存储器器件、存储单元及标准单元布局的创建方法技术

一种存储器器件包含第一存储单元，第一存储单元具有：第一多晶硅线，与第一读取字线相关联且与第一有源区和第二有源区相交；以及第二多晶硅线和第一连续有源区边缘上多晶硅线，与第一编程字线相关联，第二多晶硅线与第二有源区相交且第一连续有源区边缘上多晶硅线与第一有源区相交。存储器器件还包含与第一存储单元相邻的第二存储单元，第二存储单元具有：第三多晶硅线，与第二读取字线相关联且与第一有源区和第二有源区相交；以及第四多晶硅线和第二连续有源区边缘上多晶硅线，与第二编程字线相关联，第四多晶硅线与第一有源区相交且第二连续有源区边缘上多晶硅线与第二有源区相交，以形成连续有源区边缘上多晶硅线的交叉布置。

【技术实现步骤摘要】
存储器器件、存储单元及标准单元布局的创建方法
本公开大体上涉及标准单元布局，尤其涉及减小反熔丝单元阵列的总单元面积和反熔丝单元阵列的反熔丝单元之间的电流泄漏。
技术介绍
集成电路广泛用于各种应用中。设计集成电路是多步骤工艺。具体来说，集成电路的设计以描述集成电路所需的功能性开始。根据功能描述，设计了晶体管级电路并研发了定义电路中的各种晶体管的连接性的网表。网表可经模拟并测试以验证电路实施所需功能性和预测操作参数。接着使用网表来创建电路的标准单元布局。标准单元布局包含放置来自标准单元库的标准元件或标准单元且展示那些单元如何内连。反熔丝存储单元是一种类型的标准元件。然而，目前的反熔丝存储单元在其配置方式上具有局限性。附图说明结合附图阅读以下具体实施方式会最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1是根据一些实施例的计算系统的实例方块图。图2是根据一些实施例的实例反熔丝单元阵列。图3是根据一些实施例的图2的反熔丝单元阵列的实例布局。图4是根据一些实施例的图2的反熔丝单元阵列的另一实例布局。图5是根据一些实施例的图2的反熔丝单元阵列的又一实例布局。图6是根据一些实施例的另一实例反熔丝单元阵列。图7是根据一些实施例的图6的反熔丝单元阵列的实例布局。图8是根据一些实施例的绘示图2的反熔丝单元阵列中的单位单元的定义的实例布局。图9是根据一些实施例的绘示图2的反熔丝单元阵列中的另一单位单元的定义的另一实例布局。附图标号说明100：计算系统；105：主机器件；110：存储器器件；115：输入器件；120：输出器件；125A、125B、125C：接口；130A、130N：中央处理单元核心；135：标准单元布局应用；140：存储器控制器；145：存储阵列；150：制造工具；200、600：反熔丝单元阵列；205、605：第一反熔丝单元；210、610：第二反熔丝单元；215：第三反熔丝单元；220：第四反熔丝单元；225A、225B、225C、225D：编程晶体管；230A、230B、230C、230D：读取晶体管；235、615、BL：位线；240A、240B、240C、240D、535B、535C、535D、650、655、765、WLP：编程字线；245A、245B、245C、245D、WLR：读取字线；300、400、410A、410B、410C、410D、500、510A、510B、510C、510D、700、800、900：布局；305：有源区；310A、310B、310C、310D、315A、315B、315C、315D、330、335、415A、415B、415C、415D、425A、425B、425C、425D、535A、720、725、730、745、755、855：多晶硅线；320、325、430A、430B、430C、430D、455、525、530A、530B、735、740、770、815、835、CPODE：连续有源区边缘上多晶硅线；405、505、705：部分；420A、515、710：第一有源区；420B、520、715：第二有源区；435、440A、440B、440C、440D、440E、440F、445A、445B、445C、445D、445E、445F、750A、750B、750C、760A、760B、775A、775B：扩散层上金属；450：邻近反熔丝单元；540：扩散层上不连续金属；620、635：第一读取晶体管；625、640：第二读取晶体管；630、645：编程晶体管；660、670：第一读取字线；665、675：第二读取字线；805、905：第一单元；810、910：第二单元；820、925：第一多晶硅线；825、930：第二多晶硅线；830、935：第三多晶硅线；840、950：第四多晶硅线；845、955：第五多晶硅线；850、960：第六多晶硅线；915：第一连续有源区边缘上多晶硅线；920：第二连续有源区边缘上多晶硅线；940：第三连续有源区边缘上多晶硅线；945：第四连续有源区边缘上多晶硅线；A、B、C、D：单元；x、y：方向。具体实施方式以下公开提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例以简化本公开。当然，这些仅是实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征之上或第二特征上形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，并且也可包含可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开可在各种实例中重复附图标号和/或字母。这一重复是出于简化和清晰的目的，并且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。另外，为易于描述，本文中可使用例如“在……之下(beneath)”、“在……下方(below)”、“下部(lower)”、“在……上方(above)”、“上部(upper)”以及类似物的空间相对术语来描述如图中所示出的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。除图中所描绘的定向外，空间相对术语意欲涵盖器件在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，并且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解译。现参考图1，根据本公开的一些实施例绘示计算系统100的实例方块图。计算系统100可由电路或布局设计师用于进行电路的标准单元布局。如本文中所使用的“电路”或“集成电路”是电组件的内连，所述电组件例如电阻器、晶体管、开关、电池组、电感器或配置成用于实施所需功能性的其它类型的半导体器件。计算系统100包含与存储器器件110相关联的主机器件105。主机器件105可配置成从一个或多个输入器件115接收输入且将输出提供到一个或多个输出器件120。主机器件105可配置成经由适当的接口125A、接口125B以及接口125C分别与存储器器件110、输入器件115以及输出器件120通信。计算系统100可实施于各种计算器件中，所述各种计算器件例如计算机(例如台式计算机、膝上型计算机、服务器、数据中心等)、平板电脑、个人数字助理、移动器件、其它手持式或便携式器件或适合于使用主机器件105来进行标准单元布局的任何其它计算单元。输入器件115可包含各种输入技术中的任一种，所述各种输入技术例如键盘、触笔、触摸屏幕、鼠标、跟踪球、小键盘、麦克风、语音识别、运动本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器器件，包括：/n第一存储单元，包括：/n第一多晶硅线，与第一读取字线相关联且与第一有源区和第二有源区相交；以及/n第二多晶硅线和第一连续有源区边缘上多晶硅线，与第一编程字线相关联，所述第二多晶硅线与所述第二有源区相交且所述第一连续有源区边缘上多晶硅线与所述第一有源区相交；以及/n第二存储单元，与所述第一存储单元相邻，所述第二存储单元包括：/n第三多晶硅线，与第二读取字线相关联且与所述第一有源区和所述第二有源区相交；以及/n第四多晶硅线和第二连续有源区边缘上多晶硅线，与第二编程字线相关联，所述第四多晶硅线与所述第一有源区相交且所述第二连续有源区边缘上多晶硅线与所述第二有源区相交，以形成连续有源区边缘上多晶硅线的交叉布置。/n

【技术特征摘要】
20200210 US 16/786,4991.一种存储器器件，包括：
第一存储单元，包括：
第一多晶硅线，与第一读取字线相关联且与第一有源区和第二有源区相交；以及
第二多晶硅线和第一连续有源区边缘上多晶硅线，与第一编程字线相关联，所述第二多晶硅线与所述第二有源区相交且所述第一连续有源区边缘上多晶硅线与所述第一有...

【专利技术属性】
技术研发人员：张盟升，黄家恩，周绍禹，王奕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71