双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备制造技术

本公开提供了一种双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备，该阵列基板包括：多条栅线、多条数据线，相邻的两条数据线之间设置有两列子像素区域，相邻的两行子像素区域之间设置有两条栅线；阵列基板中每个像素组中的每个子像素区域的第一电容和第二电容的和值均相同。本公开通过调整阵列基板内每个像素组中各个子像素区域的相关结构来实现像素组中所有子像素区域对应的第一电容和第二电容的和值均相同，进而保证子像素区域因栅线跳变电压导致像素电压浮动的程度相同，使所有子像素区域的亮度变化相同，避免摇头纹的产生，达到更好的显示效果，提升用户的使用体验。

【技术实现步骤摘要】
双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备
本公开涉及显示
，特别涉及一种双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备。
技术介绍
随着超高清视频产业的不断升级，市场上4K电视已经基本普及，8K电视市场也已经初具规模。而8K产品由于数据(data)线数量较多，导致覆晶薄膜(COF，ChipOnFilm)数量偏多、面板成本上升，而且过多的COF数量导致包材和整机的设计比较困难。现有技术中，为了降低生产成本，提出了一种双栅结构的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)，通过增加栅线(gate)数量降低数据线数量来减小COF数量，进而减少对应驱动芯片的数量，达到降低生产成本的目的。但是，栅极电压跳变时会影响像素电压浮动，导致每列像素在不同极性时的亮度有差异，用户在摇头观察显示屏时，容易丢帧出现摇头纹，影响屏幕的显示效果和用户的使用体验。
技术实现思路
本公开实施例的目的在于提供一种双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备，用以解决现有技术中因栅极电压跳变导致易产生摇头纹的问题。本公开的实施例采用如下技术方案：一种双栅极结构的阵列基板，至少包括：多条栅线、多条数据线，相邻的两条数据线之间设置有两列子像素区域，相邻的两行子像素区域之间设置有两条栅线；所述阵列基板中每个像素组中的每个子像素区域的第一电容和第二电容的和值均相同；其中，所述像素组为相邻两条所述数据线之间按照2*2的矩阵阵列排布的多个子像素区域；所述第一电容为每个所述子像素区域所对应的栅线部分以及该子像素区域的源漏极之间的电容；所述第二电容为每个所述子像素区域所对应的栅线部分以及该子像素区域的像素电极之间的电容。在一些实施例中，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域所对应的栅极与该子像素区域的源漏极之间的重合面积与所述像素组中的其他子像素区域的所述重合面积不同。在一些实施例中，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的源漏极的宽度与所述像素组中其他子像素区域的源漏极的宽度不同；其中，所述子像素区域的源漏极的宽度为所述子像素区域的源漏极与所述子像素区域的栅极之间重合部分的宽度。在一些实施例中，在所述像素组中，位于所述矩阵阵列中第一行第一列的子像素区域为第一子像素区域，位于第一行第二列的子像素区域为第二子像素区域，位于第二行第一列的子像素区域为第三子像素区域，位于第二行第二列的子像素区域为第四子像素区域；所述第四子像素区域的源漏极宽度大于所述像素组内其他任意一个子像素区域的源漏极宽度，所述第一子像素区域的源漏极宽度大于所述第二子像素区域和第三子像素区域的源漏极宽度，所述第二子像素区域的源漏极宽度大于第三子像素区域的源漏极宽度。在一些实施例中，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的源漏极的长度与所述像素组中其他子像素区域的源漏极的长度不同；其中，所述子像素区域的源漏极的长度为所述子像素区域的源漏极与所述子像素区域的栅极之间重合部分的长度。在一些实施例中，在所述像素组中，位于所述矩阵阵列中第一行第一列的子像素区域为第一子像素区域，位于第一行第二列的子像素区域为第二子像素区域，位于第二行第一列的子像素区域为第三子像素区域，位于第二行第二列的子像素区域为第四子像素区域；所述第四子像素区域的源漏极长度大于所述像素组内其他任意一个子像素区域的源漏极长度，所述第一子像素区域的源漏极长度大于所述第二子像素区域和第三子像素区域的源漏极长度，所述第二子像素区域的源漏极长度大于第三子像素区域的源漏极长度。在一些实施例中，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的栅线部分与该子像素区域靠近栅线一侧的像素电极的边缘之间的距离与该像素组中其他子像素区域的距离不同。在一些实施例中，在所述像素组中，位于所述矩阵阵列中第一行第一列的子像素区域为第一子像素区域，位于第一行第二列的子像素区域为第二子像素区域，位于第二行第一列的子像素区域为第三子像素区域，位于第二行第二列的子像素区域为第四子像素区域；所述第三子像素区域的所述距离大于所述像素组内其他任意一个子像素区域的所述距离，所述第二子像素区域的所述距离大于所述第一子像素区域和所述第四子像素区域的所述距离，所述第一子像素区域的所述距离大于所述第四子像素区域的所述距离。在一些实施例中，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的栅线在靠近该子像素区域的像素电极的一侧设置有凹槽结构。在一些实施例中，所述凹槽结构的横截面至少包括以下一种形状：矩形、半圆形、锯齿形。本公开的实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板至少包括如上述的双栅极结构的阵列基板。本公开的实施例还提供了一种电子设备，其特征在于，所述电子设备至少包括如上述的显示面板。本公开实施例的有益效果在于：通过调整阵列基板内每个像素组中各个子像素区域的相关结构来实现像素组中所有子像素区域对应的第一电容和第二电容的和值均相同，进而保证子像素区域因栅线跳变电压导致像素电压浮动的程度相同，使所有子像素区域的亮度变化相同，避免摇头纹的产生，达到更好的显示效果，提升用户的使用体验。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中双栅极结构阵列基板的一种局部设置示意图；图2为现有技术中第一子像素区域的像素电压浮动示意图；图3为现有技术中双栅极结构阵列基板的部分像素连接示意图；图4为现有技术中双栅极结构阵列基板的像素两亮暗程度示意图；图5为本公开第一实施例中像素组示意图；图6为本公开第一实施例中源漏极宽度调整示意图；图7为本公开第一实施例中源漏极长度调整示意图；图8为本公开第一实施例中栅线调整示意图。具体实施方式此处参考附图描述本公开的各种方案以及特征。应理解的是，可以对此处申请的实施例做出各种修改。因此，上述说明书不应该视为限制，而仅是作为实施例的范例。本领域的技术人员将想到在本公开的范围和精神内的其他修改。包含在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与上面给出的对本公开的大致描述以及下面给出的对实施例的详细描述一起用于解释本公开的原理。通过下面参照附图对给定为非限制性实例的实施例的优选形式的描述，本公开的这些和其它特性将会变得显而易见。还应当理解，尽管已经参照一些具体实例对本公开进行了描述，但本领域技术人员能够确定地实现本公开的很多其它等效形式，它们具有如权利要求的特征并因此都位于借此所限定的保护范围内。当结合附图时，鉴于以下详细说明，本公开的上述和其他方面、特征和优势将变得更为显而易见。此后参照附图描述本公开的具体实施例；然而，应当理解，所申请的实施例仅仅是本公开的实例，其可采用多种方式实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双栅极结构的阵列基板，其特征在于，至少包括：多条栅线、多条数据线，相邻的两条数据线之间设置有两列子像素区域，相邻的两行子像素区域之间设置有两条栅线；/n所述阵列基板中每个像素组中的每个子像素区域的第一电容和第二电容的和值均相同；其中，/n所述像素组为相邻两条所述数据线之间按照2*2的矩阵阵列排布的多个子像素区域；/n所述第一电容为每个所述子像素区域所对应的栅线部分以及该子像素区域的源漏极之间的电容；/n所述第二电容为每个所述子像素区域所对应的栅线部分以及该子像素区域的像素电极之间的电容。/n

【技术特征摘要】
1.一种双栅极结构的阵列基板，其特征在于，至少包括：多条栅线、多条数据线，相邻的两条数据线之间设置有两列子像素区域，相邻的两行子像素区域之间设置有两条栅线；
所述阵列基板中每个像素组中的每个子像素区域的第一电容和第二电容的和值均相同；其中，
所述像素组为相邻两条所述数据线之间按照2*2的矩阵阵列排布的多个子像素区域；
所述第一电容为每个所述子像素区域所对应的栅线部分以及该子像素区域的源漏极之间的电容；
所述第二电容为每个所述子像素区域所对应的栅线部分以及该子像素区域的像素电极之间的电容。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域所对应的栅极与该子像素区域的源漏极之间的重合面积与所述像素组中的其他子像素区域的所述重合面积不同。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的源漏极的宽度与所述像素组中其他子像素区域的源漏极的宽度不同；其中，所述子像素区域的源漏极的宽度为所述子像素区域的源漏极与所述子像素区域的栅极之间重合部分的宽度。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述像素组中，位于所述矩阵阵列中第一行第一列的子像素区域为第一子像素区域，位于第一行第二列的子像素区域为第二子像素区域，位于第二行第一列的子像素区域为第三子像素区域，位于第二行第二列的子像素区域为第四子像素区域；
所述第四子像素区域的源漏极宽度大于所述像素组内其他任意一个子像素区域的源漏极宽度，所述第一子像素区域的源漏极宽度大于所述第二子像素区域和第三子像素区域的源漏极宽度，所述第二子像素区域的源漏极宽度大于第三子像素区域的源漏极宽度。


5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的源漏极的长度与所述像素组中其他子像素区域的源漏极的长度不同；其中，所述子像素区域的源漏极的长度为所述子像素区域的源漏极与所述子像素区域的栅极之间重合部分的长...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘信，高玉杰，郭坤，杨志，程石，王静，盛子沫，谢斌，高翔宇，冯俊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，武汉京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11