半导体器件结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件结构及其形成方法，所述半导体器件结构包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层包括至少两个第一附着部及至少两个第二附着部，两个所述第二附着部相邻，并且相邻的两个第二附着部的两侧分别设置有一个所述第一附着部，所述第二绝缘层包括多个第三附着部，所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上平行，并且所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上交错排布，如此，在导电焊盘形成时，可以依附所述第一附着部、所述第二附着部和所述第三附着部，从而可以避免导电焊盘中出现空洞缺陷。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体器件结构及其形成方法。
技术介绍
在半导体制造
中，焊盘结构(PadStructure)常采用大孔阵列焊盘结构和单体巨大焊盘结构，但上述两种焊盘结构均存在着一定的工艺缺陷，该工艺缺陷会影响形成的半导体器件的良率。具体的，焊盘结构通常包括绝缘层以及形成在所述绝缘层中的导电焊盘，导电焊盘在焊接过程中，焊球具有一定的冲击力，从而会导致绝缘层的表面出现裂纹。参考图1，其为现有技术的焊盘结构示意图，为了解决上述缺陷，现有技术中提供一种焊盘结构10，其包括绝缘层11和形成于绝缘层11周围的导电焊盘12，以避免焊接过程中由于焊球的冲击力而对形成的器件造成裂纹的缺陷。但该结构首先形成绝缘层11，然后在绝缘层11周围形成导电焊盘12，在形成导电焊盘12时，导电焊盘12会沿着绝缘层的侧壁沉积(或者说沿着绝缘层的两端向中间区域填充)，即所述导电焊盘12附着所述绝缘层11的侧壁沉积，由于两个绝缘层11之间的中间区域13没有可以使导电焊盘12附着沉积的侧壁，因此会导致导电焊盘12的中间区域13出现空洞缺陷14，由此会影响形成后的半导体器件结构的导电性能和可靠性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件结构及其形成方法，以提高半导体器件的导电性能和可靠性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体器件结构，包括：衬底；形成于所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层包括多个第一绝缘层和多个第二绝缘层，所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层在第一方向上平行，并且所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层在第一方向上交错排布，其中，所述第一绝缘层包括至少两个第一附着部及至少两个第二附着部，两个所述第二附着部相邻，并且相邻的两个第二附着部的两侧分别设置有一个所述第一附着部，所述第二绝缘层包括多个第三附着部，所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上平行，并且所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上交错排布；以及，形成于所述衬底上的导电焊盘，所述导电焊盘围绕所述第一附着部、所述第二附着部和所述第三附着部。可选的，在所述的半导体器件结构中，所述第一附着部、所述第二附着部和所述第三附着部在所述衬底的水平方向上的截面均呈一矩形。可选的，在所述的半导体器件结构中，所述第二附着部的尺寸与所述第三附着部的尺寸相同，并且所述第二附着部和所述第三附着部在第一方向上的尺寸与所述第一附着部在所述第一方向上的尺寸相同，以及所述第二附着部和所述第三附着部在第二方向上的尺寸均小于所述第一附着部在所述第二方向上的尺寸。可选的，在所述的半导体器件结构中，同一所述第二绝缘层中，所述多个第三附着部沿着所述第二方向依次平行设置。可选的，在所述的半导体器件结构中，所述第一附着部与所述第二附着部之间、相邻的两个所述第二附着部之间以及多个所述第三附着部之间均存在间距。可选的，在所述的半导体器件结构中，所述第一附着部与所述第二附着部之间的间距、相邻的两个所述第二附着部之间的间距以及多个所述第三附着部之间的间距均设置为0.3μm～0.5μm。可选的，在所述的半导体器件结构中，所述绝缘层的材质为氧化硅。可选的，在所述的半导体器件结构中，所述导电焊盘的材质为金属；以及所述导电焊盘的厚度为4000埃～5000埃。可选的，在所述的半导体器件结构中，所述半导体器件结构还包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层形成于所述衬底与所述绝缘层和所述导电焊盘之间，所述第二金属层覆盖所述绝缘层和所述导电焊盘。基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种半导体器件结构的形成方法，所述半导体器件结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成绝缘层，所述绝缘层包括多个第一绝缘层和多个第二绝缘层，所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层在第一方向上平行，并且所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层在所述第一方向上交错排布，其中，所述第一绝缘层包括至少两个第一附着部及至少两个第二附着部，两个所述第二附着部相邻，并且相邻的两个第二附着部的两侧分别设置有一个所述第一附着部，所述第二绝缘层包括多个第三附着部，所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上平行，并且所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上交错排布；以及，在所述衬底上形成导电焊盘，所述导电焊盘围绕所述第一附着部、所述第二附着部和所述第三附着部。可选的，在所述的半导体器件结构的形成方法，所述绝缘层和所述导电焊盘的形成方法包括：在所述衬底上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层上形成图形化的光阻层，所述图形化的光阻层包括多个第一图形化的光阻层和多个第二图形化的光阻层，所述多个第一图形化的光阻层与所述多个第二图形化的光阻层在所述第一方向上平行，并且所述多个第一图形化的光阻层与所述多个第二图形化的光阻层在第一方向上交错排布，其中，所述第一图形化的光阻层包括至少两个第一子光阻层和至少两个第二子光阻层，两个所述第二子光阻层相邻，并且相邻的两个第二子光阻层的两侧分别设置有一个所述第一子光阻层，所述第二图形化的光阻层包括多个第三子光阻层，所述第三子光阻层与所述第二子光阻层和所述第一子光阻层在所述第一方向上平行，并且所述第三子光阻层与所述第二子光阻层和所述第一子光阻层在所述第一方向上平行，以暴露出部分所述绝缘材料层；以所述图形化的光阻层为掩膜，刻蚀所述绝缘材料层，以形成绝缘层，所述绝缘层包括多个第一绝缘层和多个第二绝缘层，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间形成有开口；形成导电焊盘，所述导电焊盘填充所述开口；去除所述图形化的光阻层。可选的，在所述的半导体器件结构的形成方法，在所述衬底上形成绝缘层之前，所述半导体器件结构的形成方法还包括：在所述衬底表面形成第一金属层，所述第一金属层覆盖所述衬底；以及，在去除所述图形化的光阻层之后，所述半导体器件结构的形成方法还包括：形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述绝缘层和所述导电焊盘。可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，同一所述第二图形化的光阻层中，所述多个第三子光阻层沿着第二方向依次平行设置。在本专利技术提供的半导体器件结构及其形成方法中，所述半导体器件结构包括衬底、形成于衬底上的绝缘层和导电焊盘，所述绝缘层包括多个第一绝缘层和多个第二绝缘层，所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层在第一方向上平行，并且所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层在所述第一方向上交错排布，其中，所述第一绝缘层包括至少两个第一附着部及至少两个第二附着部，两个所述第二附着部相邻，并且相邻的两个第二附着部的两侧分别设置有一个所述第一附着部，所述第二绝缘层包括多个第三附着部，所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上平行，并且所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上交错排布，所述导电焊盘围绕所述第一附着部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：/n衬底；/n形成于所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层包括多个第一绝缘层和多个第二绝缘层，所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层在第一方向上平行，并且所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层在所述第一方向上交错排布，其中，所述第一绝缘层包括至少两个第一附着部及至少两个第二附着部，两个所述第二附着部相邻，并且相邻的两个第二附着部的两侧分别设置有一个所述第一附着部，所述第二绝缘层包括多个第三附着部，所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上平行，并且所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上交错排布；以及，/n形成于所述衬底上的导电焊盘，所述导电焊盘围绕所述第一附着部、所述第二附着部和所述第三附着部。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：
衬底；
形成于所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层包括多个第一绝缘层和多个第二绝缘层，所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层在第一方向上平行，并且所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层在所述第一方向上交错排布，其中，所述第一绝缘层包括至少两个第一附着部及至少两个第二附着部，两个所述第二附着部相邻，并且相邻的两个第二附着部的两侧分别设置有一个所述第一附着部，所述第二绝缘层包括多个第三附着部，所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上平行，并且所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上交错排布；以及，
形成于所述衬底上的导电焊盘，所述导电焊盘围绕所述第一附着部、所述第二附着部和所述第三附着部。


2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一附着部、所述第二附着部和所述第三附着部在所述衬底的水平方向上的截面均呈一矩形。


3.如权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二附着部的尺寸与所述第三附着部的尺寸相同，并且所述第二附着部和所述第三附着部在第一方向上的尺寸与所述第一附着部在所述第一方向上的尺寸相同，以及所述第二附着部和所述第三附着部在第二方向上的尺寸均小于所述第一附着部在所述第二方向上的尺寸。


4.如权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，同一所述第二绝缘层中，所述多个第三附着部沿着所述第二方向依次平行设置。


5.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一附着部与所述第二附着部之间、相邻的两个所述第二附着部之间以及多个所述第三附着部之间均存在间距。


6.如权利要求5所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一附着部与所述第二附着部之间的间距、相邻的两个所述第二附着部之间的间距以及多个所述第三附着部之间的间距均设置为0.3μm～0.5μm。


7.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述绝缘层的材质为氧化硅。


8.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述导电焊盘的材质为金属，以及所述导电焊盘的厚度为4000埃～5000埃。


9.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构还包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层形成于所述衬底与所述绝缘层和所述导电焊盘之间，所述第二金属层覆盖所述绝缘层和所述导电焊盘。


10.一种半导体器件结构的形成方法，其特征在于，所述半导体器件结构的形...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙访策，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31