集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法技术

本发明专利技术公开了一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其制备方法，所述电路结构包括衬底，所述衬底包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底，所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路，所述太赫兹单片电路的输入端以及输出端的微带线分别经一个中间射频测试压点后与在片探针结构连接，所述中间射频测试压点的两侧分别形成有一个侧面射频测试压点，所述侧面射频测试压点通过金属化过孔与衬底背面的金属层连接，所述在片探针结构上分别连接有输入波导接口以及输出波导接口。本申请所述太赫兹单片电路结构将射频测试压点设计到单片电路结构上，可以对单片进行在片筛选，在第一时间鉴别芯片的好坏和一致性，从而提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法
本专利技术涉及太赫兹芯片
，尤其涉及一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法。
技术介绍
太赫兹波是指频率在100GHz-10THz范围内的电磁波，频率越高的电磁波在介质中传导的损耗就越大，而且对元件的变化敏感度更高。这在单片后续的使用中，对装配的要求就越高，尤其在200GHz以上的频段，传统方式从微带线通过键合线到石英探针再转波导的方式会有比较大的损耗的同时（如图1所示），键合线的长短和形状等不一致性对太赫兹电路的性能影响很大，很容易造成端口失配，这种方法很难保证装配一致性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种方便进行筛选，进而可以提高生产效率的集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：包括衬底，所述衬底包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底，所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路，所述太赫兹单片电路的输入端以及输出端的微带线分别经一个中间射频测试压点后与在片探针结构连接，所述中间射频测试压点的两侧分别形成有一个侧面射频测试压点，所述侧面射频测试压点通过金属化过孔与衬底背面的金属层连接，所述在片探针结构上分别连接有输入波导接口以及输出波导接口。进一步的技术方案在于：所述在片探针结构包括位于在片探针结构衬底上表面的中间金属，所述中间金属的一端与所述中间射频测试压点连接，所述中间金属的两侧分别形成有第一侧金属条和第二侧金属条，所述中间金属靠近外侧的一端形成有与其垂直的第一折弯部，所述第二侧金属条靠近外侧的一端形成有与其垂直的第二折弯部，所述第一折弯部与第二折弯部的延伸方向相反，所述在片探针结构部分的衬底的背面形成有背面金属层，所述第一侧金属条以及第二侧金属条靠近内侧的一端通过金属化过孔与所述背面金属层连接，且所述金属化过孔外侧的衬底部分没有背面金属层。进一步的技术方案在于：所述太赫兹单片电路衬底与在片探针结构衬底的厚度相等。进一步的技术方案在于：所述太赫兹单片电路为微带电路，所述微带电路的输入端微带线以及输出端微带线经中间射频测试压点后与所述中间金属连接。进一步的技术方案在于：所述太赫兹单片电路为共面波导电路，所述共面波导电路的输出端与输入端共面波导分别经中间射频测试压点后与所述中间金属连接，所述共面波导电路两侧的电路分别与侧面射频测试压点连接，作为共面波导两边金属的一部分。本专利技术还公开了一种集成在片探针的太赫兹单片电路结构设计方法，其特征在于包括如下步骤：设计太赫兹单片电路器件；根据太赫兹单片电路器件的衬底、波导标准以及使用频段，针对射频测试压点和在片探针进行一体化设计；将设计的太赫兹单片电路器件、射频测试压点、在片探针结构以及波导接口在一起联合仿真设计，并进行调试；根据调试后的器件设计生产所述太赫兹单片电路结构。采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本申请所述太赫兹单片电路结构通过将太赫兹单片电路器件、射频测试压点以及在片探针结构设计到一起，可以对单片进行在片筛选，在第一时间鉴别芯片的好坏和一致性，从而提高了生产效率。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1是现有技术中太赫兹单片电路的结构示意图；图2是本专利技术实施例所述太赫兹单片电路结构的示意图；图3是本专利技术实施例中太赫兹单片电路为微带电路时的部分结构示意图；图4是本专利技术实施例中太赫兹单片电路为共面波导电路时的部分结构示意图；图5是本专利技术实施例所述太赫兹单片电路结构的部分示意图；图6是本专利技术实施例所述电路结构中在片探针结构的示意图；图7是图6中A-A向的剖视结构示意图；图8是图6中B-B向的剖视结构示意图；其中：1、衬底；2、太赫兹单片电路；3、在片探针结构；4、波导接口；5、中间金属；5-1、第一折弯部；6、第一侧金属条；7、第二侧金属条；7-1、第二折弯部；8、背面金属层；9、金属化过孔；10、中间射频测试压点；11、侧面射频测试压点。具体实施方式下面结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。如图2-图6所示，本专利技术实施例公开了一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，包括衬底1，所述衬底1包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底，所述太赫兹单片电路衬底与在片探针结构衬底的厚度相等。所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路2，所述太赫兹单片电路2的输入端以及输出端的微带线分别经一个中间射频测试压点10后与在片探针结构连接，所述中间射频测试压点10的两侧分别形成有一个侧面射频测试压点11，所述侧面射频测试压点11通过金属化过孔与衬底背面的金属层连接，所述在片探针结构3上分别连接有输入波导接口以及输出波导接口4。进一步的，如图2-图8所示，所述在片探针结构3包括位于在片探针结构衬底上表面的中间金属5，所述中间金属5的一端与所述中间射频测试压点10连接，所述中间金属5的两侧分别形成有第一侧金属条6和第二侧金属条7；所述中间金属5靠近外侧的一端形成有与其垂直的第一折弯部5-1，所述第二侧金属条7靠近外侧的一端形成有与其垂直的第二折弯部7-1，所述第一折弯部5-1与第二折弯部7-1的延伸方向相反；所述在片探针结构部分的衬底的背面形成有背面金属层8，所述第一侧金属条6以及第二侧金属条7靠近内侧的一端通过金属化过孔9与所述背面金属层8连接，且所述金属化过孔9外侧的衬底部分没有背面金属层。所述太赫兹单片电路的具体形式有很多种，第一种所述太赫兹单片电路为微带电路，如图3所示，所述微带电路的输入端微带线以及输出端微带线经中间射频测试压点10后与所述中间金属5连接。第二种，如图4所示，所述太赫兹单片电路为共面波导电路，所述共面波导电路的输出端共面波导与输入端共面波导分别经中间射频测试压点10后与所述中间金属5连接，所述共面波导电路两侧的电路经侧面射频测试压点11后分别与第一侧金属条6以及第二侧金属条7连接，作为共面波导两边金属的一部分。进一步的，本专利技术实施例还公开了一种集成在片探针的太赫兹单片电路结构设计方法，包括如下步骤：设计太赫兹单片电路器件；根据太赫兹单片电路器件的衬底、波导标准以及使用频段，针对射频测试压点和在片探针进行一体化设计；将设计的太赫兹单片电路器件、射频测试压点、在片探本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：包括衬底（1），所述衬底（1）包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底，所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路（2）， 所述太赫兹单片电路（2）的输入端以及输出端的微带线分别经一个中间射频测试压点（10）后与在片探针结构连接，所述中间射频测试压点（10）的两侧分别形成有一个侧面射频测试压点（11），所述侧面射频测试压点（11）通过金属化过孔与衬底背面的金属层连接，所述在片探针结构（3）上分别连接有输入波导接口以及输出波导接口（4）。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：包括衬底（1），所述衬底（1）包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底，所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路（2），所述太赫兹单片电路（2）的输入端以及输出端的微带线分别经一个中间射频测试压点（10）后与在片探针结构连接，所述中间射频测试压点（10）的两侧分别形成有一个侧面射频测试压点（11），所述侧面射频测试压点（11）通过金属化过孔与衬底背面的金属层连接，所述在片探针结构（3）上分别连接有输入波导接口以及输出波导接口（4）。


2.如权利要求1所述的集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：所述在片探针结构（3）包括位于在片探针结构衬底上表面的中间金属（5），所述中间金属（5）的一端与所述中间射频测试压点（10）连接，所述中间金属（5）的两侧分别形成有第一侧金属条（6）和第二侧金属条（7），所述中间金属（5）靠近外侧的一端形成有与其垂直的第一折弯部（5-1），所述第二侧金属条（7）靠近外侧的一端形成有与其垂直的第二折弯部（7-1），所述第一折弯部（5-1）与第二折弯部（7-1）的延伸方向相反，所述在片探针结构部分的衬底的背面形成有背面金属层（8），所述第一侧金属条（6）以及第二侧金属条（7）靠近内侧的一端通过金属化过孔（9）与所述背面金属层（8）连接，且所述金...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳林，胡志富，何美林，何锐聪，刘亚男，彭志农，徐敏，
申请(专利权)人：河北雄安太芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13