一种低功耗控制电路和智能设备制造技术

本发明专利技术涉及一种低功耗控制电路和智能设备，所述控制电路包括：MCU，及激活模块，用于根据触发信号激活MCU，使MCU通电并启动；控制模块，用于当MCU被激活后，将MCU与供电电池保持导通；事务类别判断模块，用于获取测试点电平，并根据测试点电平的高低判断待处理事务的类别，以使MCU执行该类别的待处理事务的处理流程；所述测试点与触发信号相对应；所述控制模块还用于当MCU空闲时，切掉MCU的电源，使MCU掉电。本发明专利技术采用硬件触发的激活模块将MCU激活，使MCU通电并启动，并根据判断出的待处理事务的类别执行相应的处理流程；当MCU空闲时，切掉MCU的电源，从而达到超低功耗的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗控制电路和智能设备
本专利技术涉及低功耗电路控制
，具体涉及一种低功耗控制电路和智能设备。
技术介绍
目前，在供水、供气、供热等行业内，正常情况下相关的智能设备是采用市电进行供电的，当市电供电异常，供水、供气、供热等行业智能设备无法获取市电供电情况下，只能用电池作为电源给智能设备供电。由于电池容量有限，智能设备开发过程中必须采用低功耗设计原则。通常的智能设备低功耗设计方法，首先是选用低功耗甚至超低功耗的MCU(MicroControllerUnit，微控制单元)，加上外围电路的低功耗设计，然后配合程序设计，使智能设备在空闲时进入休眠等低功耗工作模式。然而现有的这种设计电路尽管能达到低功耗效果，但由于现有方案中智能设备即使在空闲时，MCU还是处于工作状态，始终存在一定的电能消耗，导致低功耗效果不理想。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种低功耗控制电路和智能设备，以解决现有电路设计低功耗效果不理想的问题。为实现以上目的，本专利技术采用如下技术方案：一种低功耗控制电路，包括：MCU，以及，激活模块，用于根据触发信号激活所述MCU，使所述MCU通电并启动；控制模块，用于当所述MCU被激活后，将所述MCU与供电电池保持导通，使所述MCU能够获得稳定的电源供应；事务类别判断模块，用于获取测试点电平，并根据测试点电平的高低判断待处理事务的类别，以使所述MCU执行该类别的待处理事务的处理流程；所述测试点与所述触发信号相对应；r>所述控制模块，还用于当所述MCU空闲时，切掉所述MCU的电源，使所述MCU掉电。可选的，所述触发信号的个数包括一个或多个，每一个触发信号对应一个待处理事务，所述触发信号与待处理事务一一对应。可选的，所述激活模块，包括：与所述触发信号个数相同的触发单元；其中，所述触发单元包括：第一电阻、第二电阻和第一耦合电容；所述第一电阻的一端接地，另一端与触发信号并接后再与所述第一耦合电容的一端相连，所述第一耦合电容的另一端与所述第二电阻的一端相连；第一三极管和第二三极管；所述第二电阻的另一端与所述第一三极管的基极相连，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极通过第三电阻与所述第二三极管的基极相连，所述第二三极管的发射极通过第四电阻连接至所述第二三极管的基极；所述第二三极管的集电极与所述MCU的电源端相连。可选的，在所述第二电阻和所述第一三极管的发射极之间还设有并联连接的第二耦合电容和第一二极管；所述第一二极管的正极接地，负极与所述第一三极管的发射极连接；和/或，还包括：第三耦合电容，所述第二三极管的集电极通过第三耦合电容接地。可选的，所述事务类别判断模块，包括：与触发信号个数相等，且与触发信号一一对应的判断子模块；其中，所述判断子模块包括：第三三极管；所述第三三极管的集电极与对应的触发信号相连，所述第三三极管的基极通过第五电阻与所述MCU的控制端相连，所述第三三极管的发射极通过第六电阻接地；所述第六电阻远离接地的一端为测试点。可选的，所述触发信号包括：电池掉电信号，与电池掉电信号相对应的所述判断子模块用于判断是否发生供电电池掉电；当发生供电电池掉电时，启动备用电池进行供电，并通过所述MCU给出相应的报警信息。可选的，当触发信号为电池掉电信号时，与电池掉电信号相对应的所述判断子模块还包括：第四三极管；所述第四三极管的基极通过第七电阻与原供电电池相连，所述第四三极管的基极还通过第八电阻接地，所述第四三极管的发射极与备用电池相连，所述第四三极管的集电极通过第九电阻与所述第三三极管的集电极相连，所述第九电阻与所述第三三极管的集电极之间传递的信号为触发信号。可选的，所述触发信号包括：卡信号，与卡信号相对应的所述判断子模块用于判断是否有对应的卡信号到来；和/或，采样信号，与采样信号相对应的所述判断子模块用于判断是否有对应的短路信号到来。本专利技术还提供了一种智能设备，包括：如前面任一项所述的低功耗控制电路。可选的，所述智能设备为信号触发型智能设备；所述信号触发型智能设备包括：水表或燃气表。本专利技术采用以上技术方案，所述一种低功耗控制电路，包括：MCU，以及，激活模块，用于根据触发信号激活所述MCU，使所述MCU通电并启动；控制模块，用于当所述MCU被激活后，将所述MCU与供电电池保持导通，使所述MCU能够获得稳定的电源供应；事务类别判断模块，用于获取测试点电平，并根据测试点电平的高低判断待处理事务的类别，以使所述MCU执行该类别的待处理事务的处理流程；所述测试点与所述触发信号相对应；所述控制模块，还用于当所述MCU空闲时，切掉所述MCU的电源，使所述MCU掉电。本专利技术采用硬件触发的激活模块将MCU激活，使MCU通电并启动，并根据判断出的待处理事务的类别执行相应的处理流程；当MCU空闲时，切掉MCU的电源，从而达到超低功耗的目的。本专利技术所述的低功耗控制电路与传统的MCU或CPU休眠低功耗方案的不同之处在于：传统的MCU或CPU当无业务处理时需要进入休眠模式，该休眠模式则是靠失效MCU或CPU某些特定功能达到低功耗的，然而MCU或CPU的电源始终存在，会有一定的电能消耗；而本专利技术是当无业务处理时，MCU彻底掉电，只有激活模块存在极低功耗，该能耗低于传统MCU或CPU在休眠模式的电能消耗，本专利技术所述的控制电路在无业务处理时，能够实现超低功耗。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术一种低功耗控制电路一个实施例提供的结构示意图；图2是本专利技术一个实施例提供的激活模块的电路示意图；图3是本专利技术一个实施例提供的事务类别判断模块的电路示意图；图4(a)是本专利技术一个实施例提供的用于判断电池是否掉电的电路示意图一；图4(b)是本专利技术一个实施例提供的用于判断电池是否掉电的电路示意图二；图5是本专利技术一个实施例提供的基表脉冲采样示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本专利技术所保护的范围。图1是本专利技术一种低功耗控制电路一个实施例提供的结构示意图。如图1所示，本实施例所述的一种低功耗控制电路，包括：MCU1，以及，激活模块2，用于根据触发信号激活所述MCU1，使所述MCU1通电并启动；控制模块3，用于当所述MCU1被激活后，将所述MCU1与供电电池保本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低功耗控制电路，其特征在于，包括：MCU，以及，/n激活模块，用于根据触发信号激活所述MCU，使所述MCU通电并启动；/n控制模块，用于当所述MCU被激活后，将所述MCU与供电电池保持导通，使所述MCU能够获得稳定的电源供应；/n事务类别判断模块，用于获取测试点电平，并根据测试点电平的高低判断待处理事务的类别，以使所述MCU执行该类别的待处理事务的处理流程；所述测试点与所述触发信号相对应；/n所述控制模块，还用于当所述MCU空闲时，切掉所述MCU的电源，使所述MCU掉电。/n

【技术特征摘要】
1.一种低功耗控制电路，其特征在于，包括：MCU，以及，
激活模块，用于根据触发信号激活所述MCU，使所述MCU通电并启动；
控制模块，用于当所述MCU被激活后，将所述MCU与供电电池保持导通，使所述MCU能够获得稳定的电源供应；
事务类别判断模块，用于获取测试点电平，并根据测试点电平的高低判断待处理事务的类别，以使所述MCU执行该类别的待处理事务的处理流程；所述测试点与所述触发信号相对应；
所述控制模块，还用于当所述MCU空闲时，切掉所述MCU的电源，使所述MCU掉电。


2.根据权利要求1所述的低功耗控制电路，其特征在于，所述触发信号的个数包括一个或多个，每一个触发信号对应一个待处理事务，所述触发信号与待处理事务一一对应。


3.根据权利要求1所述的低功耗控制电路，其特征在于，所述激活模块，包括：
与所述触发信号个数相同的触发单元；其中，所述触发单元包括：第一电阻、第二电阻和第一耦合电容；所述第一电阻的一端接地，另一端与触发信号并接后再与所述第一耦合电容的一端相连，所述第一耦合电容的另一端与所述第二电阻的一端相连；
第一三极管和第二三极管；所述第二电阻的另一端与所述第一三极管的基极相连，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极通过第三电阻与所述第二三极管的基极相连，所述第二三极管的发射极通过第四电阻连接至所述第二三极管的基极；所述第二三极管的集电极与所述MCU的电源端相连。


4.根据权利要求3所述的低功耗控制电路，其特征在于，
在所述第二电阻和所述第一三极管的发射极之间还设有并联连接的第二耦合电容和第一二极管；所述第一二极管的正极接地，负极与所述第一三极管的发射极连接；和/或，
还包括：第三耦合电容，所述第二三极管的集电极通过第三耦合电容接地。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈从填，
申请(专利权)人：京源中科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11