模切定位孔转孔工艺制造技术

本发明专利技术公开了模切定位孔转孔工艺，包括以下步骤：S1：将第二离型膜离型面朝上由A模切机冲切，拉取网纹胶自带纸并朝下居中贴合离型膜的上表面，同时拉取网纹胶自带膜，第四离型膜面朝下居中贴合网纹胶的上表面，亚克力保护膜粘着面朝上居中贴合第二离型膜的下表面，并使用胶芯收卷得到材料A；S2：将材料A中的第四离型膜面朝上由B模切机冲切，拉取四条导电胶废料并使各导电胶弱胶面朝下参照图2贴合，拉取所有导电胶自带胶废料，第三离型膜面朝下居中贴合在最上层导电胶的上表面，并使用胶芯收卷得到材料B。本发明专利技术本发明专利技术通过定位孔、转孔的工艺避免废料带走半成品，无需人工排废，确保产品的良品率。

【技术实现步骤摘要】
模切定位孔转孔工艺
本专利技术涉及模切工艺
，尤其涉及模切定位孔转孔工艺。
技术介绍
传统模切说的是印刷品后期加工的一种裁切工艺，模切工艺可以把印刷品或者其他纸制品按照事先设计好的图形进行制作成模切刀版进行裁切，从而使印刷品的形状不再局限于直边直角。传统模切生产用模切刀根据产品设计要求的图样组合成模切版，在压力的作用下，将印刷品或其他板状坯料轧切成所需形状或切痕的成型工艺。如在对铜箔胶带进行模切时会出现以下问题：铜箔胶带加工容易出现褶皱、边缘压印、表面氧化、表面脏污、异物、弯曲变形等不良；套冲尺寸公差±0.1不加CPK管控为正常作业，加CPK管控为难度作业；底膜带刀印为正常工艺作业，底膜无刀印为难度工艺作业。为此，我们提出模切定位孔转孔工艺来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术意在提供模切定位孔转孔工艺来解决
技术介绍
中提出的问题。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：模切定位孔转孔工艺，包括以下步骤：S1：将第二离型膜离型面朝上由A模切机冲切，拉取网纹胶自带纸并朝下居中贴合离型膜的上表面，同时拉取网纹胶自带膜，第四离型膜面朝下居中贴合网纹胶的上表面，亚克力保护膜粘着面朝上居中贴合第二离型膜的下表面，并使用胶芯收卷得到材料A；S2：将材料A中的第四离型膜面朝上由B模切机冲切，拉取四条导电胶废料并使各导电胶弱胶面朝下参照图2贴合，拉取所有导电胶自带胶废料，第三离型膜面朝下居中贴合在最上层导电胶的上表面，并使用胶芯收卷得到材料B；>S3：将材料B中的第三离型膜面朝上由C模切机冲切，封箱胶带胶面朝下贴合第三离型膜的上表面，拉取所有第三离型膜、第四离型膜及外框废料，铜箔红色面朝下居中贴合，拉取硅胶保护膜自带膜并使其粘着面朝下居中贴合，并使用胶芯收卷得到材料C；S4：将材料C中的亚力克保护膜朝上由D模切机冲切，拉取亚力克保护膜废料，拉取中间第二离型膜废料，第四离型膜离型面朝下居中贴合，并使用胶芯收卷得到材料D；S5：将材料D中的第四离型膜面朝上由E模切机冲切，封箱胶带胶面朝下贴合，拉取铝箔外框及所有第四离型膜废料，透明硅胶胶条胶面朝上对参照刀线贴合，第四离型膜朝下居中贴合，并使用胶芯收卷得到材料E；S6：将材料E中的第四离型膜面朝向由F模切机冲切，拉取透明硅胶胶条中间废料及所有第四离型膜废料，第一离型膜朝下居中贴合，并使用胶芯收卷得到材料F；S7：将材料F中的第一离型膜面朝上由G模切机冲切，上拉取两边定位孔废料，下拉取硅胶保护膜及两边透明硅胶胶条废料并使用胶芯收卷得到材料G。优选地，所述A模切机的冲切层次为第二离型膜；所述B模切机的冲切层次为第四离型膜、网纹胶；所述C模切机的冲切层次为第三离型膜、导电胶；所述D模切机的冲切层次为亚克力保护膜、第二离型膜；所述E模切机的冲切层次为第四离型膜、网纹胶+导电胶、铜箔；所述F模切机的冲切层次为第四离型膜、透明硅胶胶条；所述G模切机的冲切层次为第一离型膜、透明硅胶胶条。优选地，所述A-G模切机的冲切刀压分别为3.520±0.1、4.200±0.1、2.520±0.1、4.574±0.1、-6.36±0.1、1.49±0.1、-14.58±0.1，所述冲切刀压的单位为Pa；所述A-G模切机的冲切速度分别为210冲±5冲/分、210冲±5冲/分、210冲±5冲/分、210冲±5冲/分、180冲±5冲/分、180冲±5冲/分、180冲±5冲/分。优选地，所述S1-S7中的贴合工序均通过使用贴合机实现。优选地，所述A-G模切机均采用蚀刻刀，其中所述A、C、E模切机中的蚀刻刀均为内直外斜35°，其中所述D模切机中的蚀刻刀为双峰35°。优选地，所述S1-S7中采用刮刀治具剥离废料，所述S1-S7中在贴合材料的一侧设置断料光电感应器。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：工艺上正反切搭配，整套工艺铜箔表面采用硅胶保护膜保护，避免铜箔表面划伤、氧化、脏污、异物等不良；A模使用离型膜挖孔辅助工艺，消除了导电胶的厚度差，解决了铜箔凸起问题；铜箔切割部分使用进口刀模，改善了产品边缘压印问题；综上，本专利技术通过定位孔、转孔的工艺避免废料带走半成品，无需人工排废，确保产品的良品率。附图说明图1为本专利技术提出的模切定位孔转孔工艺A工序的结构示意图；图2为本专利技术提出的模切定位孔转孔工艺B工序的结构示意图；图3为本专利技术提出的模切定位孔转孔工艺C工序的结构示意图；图4为本专利技术提出的模切定位孔转孔工艺D工序的结构示意图；图5为本专利技术提出的模切定位孔转孔工艺E工序的结构示意图；图6为本专利技术提出的模切定位孔转孔工艺F工序的结构示意图；图7为本专利技术提出的模切定位孔转孔工艺G工序的结构示意图；图8为本专利技术提出的模切定位孔转孔工艺辅助阅读图1-7的示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1-8，模切定位孔转孔工艺，包括以下步骤：S1：参照图1，将第二离型膜离型面朝上由A模切机冲切，A模切机的冲切层次为第二离型膜，冲切刀压为3.520±0.1Pa，冲切速度为210冲±5冲/分，采用内直外斜35°蚀刻刀，拉取网纹胶自带纸并朝下居中贴合离型膜的上表面，同时拉取网纹胶自带膜，第四离型膜面朝下居中贴合网纹胶的上表面，亚克力保护膜粘着面朝上居中贴合第二离型膜的下表面，并使用6INCH胶芯收卷得到材料A；S2：参照图2，将材料A中的第四离型膜面朝上由B模切机冲切，B模切机的冲切层次为第四离型膜、网纹胶，冲切刀压为4.200±0.1Pa，冲切速度为210冲±5冲/分，采用蚀刻刀，拉取四条导电胶废料并使各导电胶弱胶面朝下参照图2贴合，拉取所有导电胶自带胶废料，第三离型膜面朝下居中贴合在最上层导电胶的上表面，并使用6INCH胶芯收卷得到材料B；S3：参照图3，将材料B中的第三离型膜面朝上由C模切机冲切，C模切机的冲切层次为第三离型膜、导电胶，冲切刀压为2.520±0.1Pa，冲切速度为210冲±5冲/分，采用内直外斜35°蚀刻刀，封箱胶带胶面朝下贴合第三离型膜的上表面，拉取所有第三离型膜、第四离型膜及外框废料，铜箔红色面朝下居中贴合，拉取硅胶保护膜自带膜并使其粘着面朝下居中贴合，并使用6INCH胶芯收卷得到材料C；S4：参照图4，将材料C中的亚力克保护膜朝上由D模切机冲切，D模切机的冲切层次为亚克力保护膜、第二离型膜，冲切刀压为4.574±0.1Pa，冲切速度为210冲±5冲/分，采用双峰35°蚀刻刀，拉取亚力克保护膜废料，拉取中间第二离型膜废料，第四离型膜离型面朝下居中贴合，并使用6INCH胶芯收卷得到材料D；S5：参照图5，将材料D中的第四离型膜面朝上由E模切机冲切，E模切机的冲切层次为第四离型膜、网纹胶+导电胶、铜箔，封箱胶带胶面朝下贴合，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.模切定位孔转孔工艺，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：将第二离型膜离型面朝上由A模切机冲切，拉取网纹胶自带纸并朝下居中贴合离型膜的上表面，同时拉取网纹胶自带膜，第四离型膜面朝下居中贴合网纹胶的上表面，亚克力保护膜粘着面朝上居中贴合第二离型膜的下表面，并使用胶芯收卷得到材料A；/nS2：将材料A中的第四离型膜面朝上由B模切机冲切，拉取四条导电胶废料并使各导电胶弱胶面朝下参照图2贴合，拉取所有导电胶自带胶废料，第三离型膜面朝下居中贴合在最上层导电胶的上表面，并使用胶芯收卷得到材料B；/nS3：将材料B中的第三离型膜面朝上由C模切机冲切，封箱胶带胶面朝下贴合第三离型膜的上表面，拉取所有第三离型膜、第四离型膜及外框废料，铜箔红色面朝下居中贴合，拉取硅胶保护膜自带膜并使其粘着面朝下居中贴合，并使用胶芯收卷得到材料C；/nS4：将材料C中的亚力克保护膜朝上由D模切机冲切，拉取亚力克保护膜废料，拉取中间第二离型膜废料，第四离型膜离型面朝下居中贴合，并使用胶芯收卷得到材料D；/nS5：将材料D中的第四离型膜面朝上由E模切机冲切，封箱胶带胶面朝下贴合，拉取铝箔外框及所有第四离型膜废料，透明硅胶胶条胶面朝上对参照刀线贴合，第四离型膜朝下居中贴合，并使用胶芯收卷得到材料E；/nS6：将材料E中的第四离型膜面朝向由F模切机冲切，拉取透明硅胶胶条中间废料及所有第四离型膜废料，第一离型膜朝下居中贴合，并使用胶芯收卷得到材料F；/nS7：将材料F中的第一离型膜面朝上由G模切机冲切，上拉取两边定位孔废料，下拉取硅胶保护膜及两边透明硅胶胶条废料并使用胶芯收卷得到材料G。/n...

【技术特征摘要】
1.模切定位孔转孔工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将第二离型膜离型面朝上由A模切机冲切，拉取网纹胶自带纸并朝下居中贴合离型膜的上表面，同时拉取网纹胶自带膜，第四离型膜面朝下居中贴合网纹胶的上表面，亚克力保护膜粘着面朝上居中贴合第二离型膜的下表面，并使用胶芯收卷得到材料A；
S2：将材料A中的第四离型膜面朝上由B模切机冲切，拉取四条导电胶废料并使各导电胶弱胶面朝下参照图2贴合，拉取所有导电胶自带胶废料，第三离型膜面朝下居中贴合在最上层导电胶的上表面，并使用胶芯收卷得到材料B；
S3：将材料B中的第三离型膜面朝上由C模切机冲切，封箱胶带胶面朝下贴合第三离型膜的上表面，拉取所有第三离型膜、第四离型膜及外框废料，铜箔红色面朝下居中贴合，拉取硅胶保护膜自带膜并使其粘着面朝下居中贴合，并使用胶芯收卷得到材料C；
S4：将材料C中的亚力克保护膜朝上由D模切机冲切，拉取亚力克保护膜废料，拉取中间第二离型膜废料，第四离型膜离型面朝下居中贴合，并使用胶芯收卷得到材料D；
S5：将材料D中的第四离型膜面朝上由E模切机冲切，封箱胶带胶面朝下贴合，拉取铝箔外框及所有第四离型膜废料，透明硅胶胶条胶面朝上对参照刀线贴合，第四离型膜朝下居中贴合，并使用胶芯收卷得到材料E；
S6：将材料E中的第四离型膜面朝向由F模切机冲切，拉取透明硅胶胶条中间废料及所有第四离型膜废料，第一离型膜朝下居中贴合，并使用胶芯收卷得到材料F；
S7：将材料F中的第一离型膜面朝上由G模切机冲切，上拉取两边定位孔废料，下拉取硅胶保护膜及两边透明硅胶胶条废料并使用胶芯收...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，欧阳宝旭，
申请(专利权)人：青岛盈科精密橡塑有限公司，盈科广州电子材料有限公司，盈科肯纳青岛新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37