嵌入式集成电路及PLC控制器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种嵌入式集成电路及PLC控制器，该集成电路包括依次电连接的配对电路、电流源及感应电路。光敏三极管的可嵌入性，使得电路面积及功耗大大减少且器件不裸露，不易遭外界环境影响，可工作于恶劣的工业环境中；电流源的电流镜像作用，令电信号精确无误地被复制传输；配对电路的电流对称作用，防止了电流源进入饱和区而导致的镜像电流的比例失配。

【技术实现步骤摘要】
嵌入式集成电路及PLC控制器
本技术涉及可编程控制
，尤其涉及一种嵌入式集成电路及PLC控制器。
技术介绍
可编程控制在工业生产和自动化控制中是使用率非常高的集中控制设备，可编程控制代替了繁重的继电器柜，交流接触器柜等，逐渐的在生产和控制中普及使用。PLC控制器由于采用现代大规模集成电路技术，采用严格的生产工艺制造，内部电路采取了先进的抗干扰技术，具有很高的可靠性。从PLC的机外电路来说，使用PLC构成控制系统，和同等规模的继电接触器系统相比，电气接线及开关接点已减少到数百甚至数千分之一，故障也就大大降低。此外，PLC控制器带有硬件故障自我检测功能，出现故障时可及时发出警报信息。在应用软件中，应用者还可以编入外围器件的故障自诊断程序，使系统中除PLC以外的电路及设备也获得故障自诊断保护。然而，现有技术中存在PLC控制器的性能易遭工业环境的影响，电路面积及功耗大，信号精确性差、易失配，尤其是在温度控制、流量控制、压力控制等模拟量处理方面，精度尤为不足。
技术实现思路
本技术针对现有技术的不足，提出一种嵌入式集成电路及PLC控制器，解决了现有技术中存在的可编程控制的输入电路的性能易遭工业环境的影响，电路面积及功耗大，信号精确性差、易失配等的问题。为实现上述目的，本技术采用如下的技术方案：第一方面，本技术提出一种嵌入式集成电路，所述集成电路包括：依次电连接的配对电路、电流源及感应电路。优选地，所述电流源包括两个晶体管，第一晶体管(G1)的源极与第二晶体管(G2)的源极同时连接至电源，所述第一晶体管(G1)的栅极、漏极并接至所述第二晶体管(G2)的栅极，所述第二晶体管(G2)的漏极通过第一电阻(R1)接地。优选地，所述配对电路包括两个晶体管，第三晶体管(G3)的源极、第四晶体管(G4)的源极及栅极与所述电流源中的第一晶体管(G1)的源极进行电连接；第三晶体管(G3)的漏极及栅极、第四晶体管(G4)的漏极与所述电流源中的第二晶体管(G2)的源极进行电连接。优选地，所述第三晶体管(G3)与所述第四晶体管(G4)的面积相等。优选地，所述感应电路包括一个晶体管，第五晶体管(G5)的栅极与所述电流源的漏极电连接，所述第五晶体管(G5)的漏极、源极并接后接地。优选地，所述晶体管采用场效应管、双极晶体管中的一种或多种。优选地，第一晶体管(G1)、第二晶体管(G2)均为PMOS管，第三晶体管(G3)、第四晶体管(G4)均为NMOS管,第五晶体管(G5)为光敏三极管。第二方面，本技术提出一种PLC控制器，包括第一方面所述的嵌入式集成电路。本技术的有益效果：本技术的嵌入式集成电路及PLC控制器，光敏三极管接收感光，并将感光信号转换为电信号，通过由第一晶体管(G1)、第二晶体管(G2)组成的镜像电流源在由第三晶体管(G3)、第四晶体管(G4)配对电路作用下进行镜像电流配对输出。不同于传统的光电二极管，由于光敏三极管可嵌入PLC控制器内部，使得电路面积及功耗大大减少且器件不裸露，不易遭外界环境影响，可工作于恶劣的工业环境中；电流源的电流镜像作用，令电信号精确无误地被复制传输；配对电路的电流对称作用，防止了电流源进入饱和区而导致的镜像电流的比例失配。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，附图中的实施例不构成对本技术的任何限制，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术嵌入式集成电路一实施例结构示意图。图2是本技术嵌入式集成电路一实施例具体电路图。具体实施方式下面结合附图与实施例对本技术技术方案作进一步详细的说明，这是本技术的较佳实施例。应当理解，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例；需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一本技术提出一种嵌入式集成电路，如图1所示，该集成电路包括：依次电连接的配对电路、电流源及感应电路。具体电路描述如下，如图2所示：本实施例中，上述电流源包括两个晶体管，第一晶体管(G1)的源极与第二晶体管(G2)的源极同时连接至电源，上述第一晶体管(G1)的栅极、漏极并接至上述第二晶体管(G2)的栅极，上述第二晶体管(G2)的漏极通过第一电阻(R1)接地。本实施例中，上述配对电路包括两个晶体管，第三晶体管(G3)的源极、第四晶体管(G4)的源极及栅极与上述电流源中的第一晶体管(G1)的源极进行电连接；第三晶体管(G3)的漏极及栅极、第四晶体管(G4)的漏极与上述电流源中的第二晶体管(G2)的源极进行电连接。较佳地，上述第三晶体管(G3)与上述第四晶体管(G4)的面积相等。本实施例中，上述感应电路包括一个晶体管，第五晶体管(G5)的栅极与上述电流源的漏极电连接，上述第五晶体管(G5)的漏极、源极并接后接地。需要说明的是，本实施例中的晶体管可为采用场效应管、双极晶体管中的一种或多种。较佳地，本实施例中的第一晶体管(G1)、第二晶体管(G2)均为PMOS管，第三晶体管(G3)、第四晶体管(G4)均为NMOS管,第五晶体管(G5)为光敏三极管。但需要说明的是，本实施例中的晶体管也可以是耗尽型N沟道MOS晶体管的栅极与源极连接的结构，虽未作图示，不过当然也可以是将耗尽型P沟道MOS晶体管的栅极与源极连接的结构。本技术的嵌入式集成电路工作原理与效果：光敏三极管接收感光，并将感光信号转换为电信号，通过由第一晶体管(G1)、第二晶体管(G2)组成的镜像电流源在由第三晶体管(G3)、第四晶体管(G4)配对电路作用下进行镜像电流配对输出。不同于传统的光电二极管，由于光敏三极管可嵌入PLC控制器内部，使得电路面积及功耗大大减少且器件不裸露，不易遭外界环境影响，可工作于恶劣的工业环境中；电流源的电流镜像作用，令电信号精确无误地被复制传输；配对电路的电流对称作用，防止了电流源进入饱和区而导致的镜像电流的比例失配。实施例二本技术提出一种PLC控制器，包括上述的嵌入式集成电路。需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，在本技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种嵌入式集成电路，其特征在于，所述集成电路包括：依次电连接的配对电路、电流源及感应电路；/n所述电流源包括两个晶体管，第一晶体管(G1)的源极与第二晶体管(G2)的源极同时连接至电源，所述第一晶体管(G1)的栅极、漏极并接至所述第二晶体管(G2)的栅极，所述第二晶体管(G2)的漏极通过第一电阻(R1)接地；/n所述配对电路包括两个晶体管，第三晶体管(G3)的源极、第四晶体管(G4)的源极及栅极与所述电流源中的第一晶体管(G1)的源极进行电连接；第三晶体管(G3)的漏极及栅极、第四晶体管(G4)的漏极与所述电流源中的第二晶体管(G2)的源极进行电连接；/n所述第三晶体管(G3)与所述第四晶体管(G4)的面积相等；/n所述感应电路包括一个晶体管，第五晶体管(G5)的栅极与所述电流源的漏极电连接，所述第五晶体管(G5)的漏极、源极并接后接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式集成电路，其特征在于，所述集成电路包括：依次电连接的配对电路、电流源及感应电路；
所述电流源包括两个晶体管，第一晶体管(G1)的源极与第二晶体管(G2)的源极同时连接至电源，所述第一晶体管(G1)的栅极、漏极并接至所述第二晶体管(G2)的栅极，所述第二晶体管(G2)的漏极通过第一电阻(R1)接地；
所述配对电路包括两个晶体管，第三晶体管(G3)的源极、第四晶体管(G4)的源极及栅极与所述电流源中的第一晶体管(G1)的源极进行电连接；第三晶体管(G3)的漏极及栅极、第四晶体管(G4)的漏极与所述电流源中的第二晶体管(G2)的源极进行电连接；
所述第三晶体管(G3)与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪秋祥，
申请(专利权)人：厦门永陞科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35