一种面射型激光器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种面射型激光器及其制造方法，将A l

【技术实现步骤摘要】
一种面射型激光器及其制造方法
本专利技术涉及面射型激光器
，尤其涉及一种面射型激光器及其制造方法。
技术介绍
现有的面射型激光器的低相对介电系数材料由Al2O3构成，由Al2O3作为电流局限层及光学局限层，其相对介电系数在8-10之间，产生电容效应，导致器件频率受到限制，影响了频率的响应速度。
技术实现思路
鉴于上述状况，有必要提出一种频率响应速度的面射型激光器及其制造方法。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种面射型激光器，包括：p-DBR；低相对介电系数材料，从侧面向所述p-DBR内延伸，低相对介电系数材料，从侧面向所述p-DBR内延伸，所述低相对介电系数材料的相对介电系数小于Al2O3的相对介电系数。进一步的，所述低相对介电系数材料的相对介电系数小于或等于6。进一步的，还包括包覆所述低相对介电系数材料的钝化层，所述钝化层由low-k材料构成。进一步的，所述low-k材料包括Si3N4、SiO2、SiCO、SiCN、BCB、PI、SiLKTM、HSQ、MSQ、HOSPTM、Black本专利技术还提供一种面射型激光器的制造方法，包括以下步骤：在侧向氧化工艺后对面射型激光器进行侧向氧化去除，去除Al2O3氧化层形成空孔；向所述空孔内填入相对介电系数低于Al2O3的相对介电系数的低相对介电系数材料；以low-k材料包裹所述低相对介电系数材料的侧壁形成钝化层。进一步的，所述低相对介电系数材料为SiO2和/或SiN。进一步的，侧向氧化去除采用湿法刻蚀工艺进行。进一步的，向所述空孔内填入低相对介电系数材料采用原子层沉积工艺进行。进一步的，形成所述钝化层采用旋转涂布工艺。进一步的，所述low-k材料包括Si3N4、SiO2、SiCO、SiCN、BCB、PI、SiLKTM、HSQ、MSQ、HOSPTM、Black本专利技术的有益效果在于：将Al2O3去除以相对介电系数低于Al2O3的低相对介电系数材料替代Al2O3，用low-k材料包裹所述低相对介电系数材料的侧壁形成钝化层，从而提高器件的频率响应速度。附图说明图1是本专利技术实施例一种面射型激光器的制造方法的流程图；图2是本专利技术实施例一种面射型激光器的制造方法的流程示意图；图3是本专利技术实施例一种面射型激光器的结构示意图。标号说明：100、p-DBR；200、低相对介电系数材料；210、Al2O3氧化层；220、空孔；300、钝化层；400、p接触电极；410、金属焊垫；500、一次刻蚀台面；600、n-DBR；700、衬底；800、n电极接触层；810、n接触电极；900、BCB；910、金属垫；具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术一种面射型激光器及其制造方法进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参照图3，一种面射型激光器，包括：p-DBR100；低相对介电系数材料200，从侧面向p-DBR100内延伸，低相对介电系数材料，从侧面向所述p-DBR内延伸，所述低相对介电系数材料的相对介电系数小于Al2O3的相对介电系数；钝化层300，包覆低相对介电系数材料200，由low-k材料构成。以相对介电系数低于Al2O3的低相对介电系数材料替代Al2O3，从而提高器件的频率响应速度。进一步的，还包括包覆所述低相对介电系数材料的钝化层，所述钝化层由low-k材料构成。可以理解的，p-DBR100即P-typesemiconductordistributedBraggreflector(laser)P型半导体分布布喇格反射器(激光器)。low-k即低介电常数材料。Al2O3即氧化铝。优选的，低相对介电系数材料的相对介电系数小于或等于6。优选的，低相对介电系数材料的相对介电系数为3-5。优选的，低相对介电系数材料为SiO2和/或SiN。SiO2(二氧化硅)材料的相对介电系数约为4，SiN(氮化硅)材料的相对介电系数也较小，可以提高器件的频率响应速度。优选的，low-k材料包括Si3N4(氮化硅)、SiO2(二氧化硅)、BCB(Benzocyclobuten，苯环丁烯)、PI(polyimide，聚醯亚胺)、SiLKTM(TradeMarkoftheDowChemicalCompany)、HSQ(hydrogensilsesquioxane)、MSQ(methylsilsesquioxane)、HOSPTM(TradeMarkoftheHoneywellCompany)、Black(TradeMarkoftheApplied)。一般的，面射型激光器包括p接触电极400(p-contact，P型接触层)、p-DBR100、低相对介电系数材料200、钝化层300、一次刻蚀台面500、有源区、衬底700、n-DBR600、n接触电极等。请参照图1-图2，本专利技术还提供一种面射型激光器的制造方法，包括以下步骤：在侧向氧化工艺后对面射型激光器进行侧向氧化去除，去除Al2O3氧化层210形成空孔220；向空孔220内填入相对介电系数低于Al2O3的相对介电系数的低相对介电系数材料200；以low-k材料包裹低相对介电系数材料200的侧壁形成钝化层300。将Al2O3去除以相对介电系数低于Al2O3的低相对介电系数材料替代Al2O3，用low-k材料包裹低相对介电系数材料200的侧壁形成钝化层300，从而提高器件的频率响应速度。优选的，低相对介电系数材料为SiO2。优选的，侧向氧化去除采用湿法刻蚀工艺进行。一般的，湿法刻蚀所使用的刻蚀液包含H3PO4/H2SO4/HCl/H2C2O2/H2C2O4中的一种或多种的水溶液。可以理解的，由于DBR各层的铝含量不同，各层的侧向氧化深度有差异，通常来说最靠近MQW(MultipleQuantumWell，多量子阱)主动层的Al含量最高，一般可高达98％。优选的，向空孔220内填入低相对介电系数材料采用原子层沉积工艺进行。优选的，形成钝化层300采用旋转涂布工艺。优选的，low-k材料包括Si3N4、SiO2、SiCO、SiCN、BCB、PI、SiLKTM、HSQ、MSQ、HOSPTM、Black一般的，传统的面射型激光器的制造方法包括外延生长、P电极蒸发剥离、一次台面刻蚀、侧向氧化、二次台面刻蚀、n电极蒸发剥离、BCB涂覆及刻蚀和PAD溅射剥离，其中P电极蒸发剥离、一次台面刻蚀的顺序可以对换。而本申请是在侧向氧化后进行侧向氧化去除，然后以低相对介电系数材料填补氧化孔，从而提升面射型激光器的频率响应速度。即本专利技术的面射型激光器的制造方法包括外延生长、P电极蒸发剥离、一次刻蚀台面500刻蚀、侧向氧化、侧向氧化去除、氧化孔填补、侧壁包覆、二次一次刻蚀台面500刻蚀、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种面射型激光器，其特征在于，包括：/np-DBR；/n低相对介电系数材料，从侧面向所述p-DBR内延伸，所述低相对介电系数材料的相对介电系数小于Al

【技术特征摘要】
1.一种面射型激光器，其特征在于，包括：
p-DBR；
低相对介电系数材料，从侧面向所述p-DBR内延伸，所述低相对介电系数材料的相对介电系数小于Al2O3的相对介电系数。


2.根据权利要求1所述的一种面射型激光器，其特征在于，所述低相对介电系数材料的相对介电系数小于或等于6。


3.根据权利要求1所述的一种面射型激光器，其特征在于，还包括包覆所述低相对介电系数材料的钝化层，所述钝化层由low-k材料构成。


4.根据权利要求3所述的一种面射型激光器，其特征在于，所述low-k材料包括Si3N4、SiO2、SiCO、SiCN、BCB、PI、SiLKTM、HSQ、MSQ、HOSPTM、Black


5.一种面射型激光器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在侧向氧化工艺后对面射型激光器进行侧向氧化去除，去除Al2O3氧化层形成空孔；
向所述空孔内填入相对介电系数低于Al2O3的相对介电系数的低...

【专利技术属性】
技术研发人员：方照诒，
申请(专利权)人：深圳市德明利光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44