一种智能全彩调色COB光源制作方法技术

本发明专利技术公开了一种智能全彩调色COB光源制作方法，其中包括封装基板、COB芯片和固晶胶，本申请在制备封装基板时，创造性地将原本的固晶区设置为若干个横向固晶槽，纵向固晶槽，横向固晶槽，纵向固晶槽的尺寸与所需胶接的COB芯片一致，同时固晶槽内设置有沟槽，在后续在固晶槽中点胶后，固晶胶能够进入沟槽，这样设置可以极大程度的降低溢胶情况，同时胶接时固晶胶不易覆盖COB芯片侧边，避免出现漏电情况。本申请制备的COB光源出光效率高，出光均匀，在制备过程中COB芯片的侧边不会覆胶，且固晶胶不会出现溢胶情况，COB光源的良率和可靠性高，发光效果优异，实用性更高。

【技术实现步骤摘要】
一种智能全彩调色COB光源制作方法
本专利技术涉及COB光源加工
，具体为一种智能全彩调色COB光源制作方法。
技术介绍
COB光源是将LED芯片直接贴在金属基板上的高光效集成面光源技术，此技术剔除了支架概念，无电镀、无回流焊、无贴片工序，因此工序减少近三分之一，成本也节约了三分之一。在常规COB光源加工过程中，通常会存在以下技术问题：COB封装时一般会将COB芯片通过固晶胶胶接在封装基板上，但在实际点胶过程中，容易出现因点胶量过多导致固晶胶覆盖在COB芯片侧面，影响COB芯片出光，同时固晶胶一般为选择导电银胶，还容易出现漏电现象。基于以上情况，为解决该技术问题，本申请公开了一种智能全彩调色COB光源制作方法，以解决该技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种智能全彩调色COB光源制作方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种智能全彩调色COB光源制作方法，包括以下步骤：(1)制备封装基板，封装基板表面设有形成若干个固晶槽；所述固晶槽包括间隔设置的横向固晶槽和纵向固晶槽；(2)取封装基板，在封装基板的固晶槽内点涂固晶胶，分别将COB芯片胶接在横向固晶槽、纵向固晶槽内，超声处理3-5min，静置5-10min，再转移至烘箱中烘烤1.5-2h，烘烤温度为150-160℃；(3)采用热压超声波键合工艺，通过金线将COB芯片与封装基板表面的电路连接键合；(4)围坝，并在围坝围起来的区域内灌入荧光胶，以2℃/min的升温速率升温至140-150℃下，保温烘烤45-50min，再以2℃/min的速率降温冷却；(5)进行性能测试，包装入库，得到成品COB光源。较优化的方案，步骤(1)中，封装基板的制备步骤如下：A.取单面覆铜板，剪切成预设的规格尺寸，备用；B.通过刷板机去除覆铜板表面的氧化膜，在覆铜板表面镀铜层上涂覆正性光刻胶，烘烤固化，通过掩膜版曝光出固晶区图形，放置于显影液中进行显影刻蚀，形成若干个固晶区；C.将单面覆铜板置于ICP刻蚀机内，分别对固晶区进行ICP刻蚀并形成固晶槽，去除正性光刻胶，所述固晶槽包括间隔设置的横向固晶槽和纵向固晶槽，所述横向固晶槽的相邻位置均为纵向固晶槽，所述纵向固晶槽的相邻位置均为横向固晶槽；D.在固晶槽底部进行二次光刻，取步骤C处理后的单面覆铜板，表面涂覆正性光刻胶，烘烤固化，曝光显影出沟槽图形，再进行ICP刻蚀，在固晶槽底部形成若干道沟槽；E.取步骤D处理后的单面覆铜板，通过正胶去胶液去除正性光刻胶，再依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干；F.取步骤E处理后的单面覆铜板，在固晶槽内涂覆固晶保护层，再在镀铜层表面旋涂正性光刻胶并覆盖整个镀铜层，烘烤固化，通过掩膜版曝光电路连接图形，再通过掩膜版曝光出固晶区图形，显影液进行显影，再在正性光刻胶上表面涂覆负性光刻胶，置于烘箱中烘烤坚膜，再转移至蚀刻液中，刻蚀去除未曝光区域的镀铜层；G.取步骤F处理后的单面覆铜板，通过负胶去胶液去除镀铜层表面光刻胶，再依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干；H.去除固晶槽内的固晶保护层；I.在单面覆铜板表面进行阻焊制作，钻孔加工，形成封装基板。较优化的方案，步骤(2)、步骤(4)中，烘烤时均处于超声条件下，超声功率为60-70W，超声频率为20kHz。较优化的方案，步骤D中，沟槽的分布方向与固晶槽的方向相反，横向固晶槽中的沟槽为纵向排列，纵向固晶槽中的沟槽为横向排列。较优化的方案，步骤F中，固晶保护层为二氧化硅膜；步骤H中通过氢氟酸去除二氧化硅膜。较优化的方案，步骤C中，ICP刻蚀深度为a，COB芯片的厚度为b，镀铜层的厚度为c，则c+0.2b＜a＜c+0.5b。较优化的方案，步骤F中，烘烤坚膜时，先置于85-90℃下烘烤5-10min，再在110-115℃下烘烤20-30min，烘烤后转移至蚀刻液中；刻蚀液为酸性氯化铜蚀刻液。较优化的方案，步骤B、步骤D、步骤F中，烘烤固化时烘烤温度均为90-100℃，烘烤时间均为15-20min。较优化的方案，负胶去胶液去胶时，在80-85℃水浴条件下去胶20-25min。较优化的方案，根据以上所述的一种智能全彩调色COB光源制作方法制作的COB光源。与现有技术相比，本专利技术所达到的有益效果是：本申请公开了本申请公开了一种智能全彩调色COB光源制作方法，其中包括封装基板、COB芯片和固晶胶，为解决因固晶胶胶量过多导致溢胶或固晶胶覆盖COB芯片侧面这一技术问题，本申请在制备封装基板时，创造性地将原本的固晶区设置为若干个横向固晶槽，纵向固晶槽，横向固晶槽，纵向固晶槽的尺寸与所需胶接的COB芯片一致，同时固晶槽内设置有沟槽，在后续在固晶槽中点胶后，固晶胶能够进入沟槽，这样设置可以极大程度的降低溢胶情况，同时胶接时固晶胶不易覆盖COB芯片侧边，避免出现漏电情况。同时，COB封装时一般会将多颗芯片按照一定的排布方式固定在基板上，常规排布方式一般为单向排布，芯片排布方向一致，彼此之间并没有有效错开，因此相邻芯片的侧边出光会被相互吸收，影响芯片的出光效率；因此本申请对COB芯片的排布方式进行改进，从常规的同向排布设置为COB芯片分别横向、纵向放置，并间隔设置，其中横向固晶槽的相邻位置均为纵向固晶槽，纵向固晶槽的相邻位置均为横向固晶槽；这样设计可以极大程度的避免相邻芯片之间的影响；同时本申请限定了“ICP刻蚀深度为a，COB芯片的厚度为b，镀铜层的厚度为c，c+0.2b＜a＜c+0.5b”，这一参数的限定保证了COB芯片的出光不会受到凹槽的限制。在实际制备过程中，本申请首先进行封装基板的加工，将单面覆铜板剪切成预设的规格尺寸后，本申请在覆铜板的镀铜层上涂覆正性光刻胶，并进行曝光显影，曝光出若干个横向固晶槽、纵向固晶槽的图形，此时选择正性光刻胶是因为正性光刻胶易被去除，且后续清洗干净，残留胶少；显影后进行ICP刻蚀，刻蚀时刻蚀掉镀铜层之后继续往下刻蚀，并形成若干个固晶槽。为进行固晶槽底部沟槽设置，本申请在覆铜板表面涂覆正性光刻胶，并进行二次光刻，以形成沟槽，便于在后续点固晶胶时，能够避免固晶胶溢胶，同时避免固晶胶覆盖COB芯片侧边；在设置沟槽时，为保证后续COB芯片的粘结性能，本申请限定了沟槽的排布方向与固晶槽的方向相反，在横向固晶槽内纵向排布沟槽，在纵向固晶槽内横向排列；沟槽纵截面形状可为“V型”、“矩形”、“梯形”等，具体形状可根据实际加工时采用的刻蚀工艺选择；沟槽刻蚀结束后，本申请通过正胶去胶液、丙酮、乙醇、纯水依次进行超声清洗，以去除单面镀铜板表面的正性光刻胶；接着后续需要进行封装基板线路的设计，需要接触大量刻蚀液，为保证固晶槽形状不被破坏，本申请先在固晶槽内涂覆一层固晶保护层，而且在进行电路光刻时，选择抗蚀刻性能更加优异的负性光刻胶；而负性光刻胶易残留，为避免该情本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种智能全彩调色COB光源制作方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)制备封装基板，封装基板表面设有形成若干个固晶槽；所述固晶槽包括间隔设置的横向固晶槽和纵向固晶槽；/n(2)取封装基板，在封装基板的固晶槽内点涂固晶胶，分别将COB芯片胶接在横向固晶槽、纵向固晶槽内，超声处理3-5min，静置5-10min，再转移至烘箱中烘烤1.5-2h，烘烤温度为150-160℃；/n(3)采用热压超声波键合工艺，通过金线将COB芯片与封装基板表面的电路连接键合；/n(4)围坝，并在围坝围起来的区域内灌入荧光胶，以2℃/min的升温速率升温至140-150℃下，保温烘烤45-50min，再以2℃/min的速率降温冷却；/n(5)进行性能测试，包装入库，得到成品COB光源。/n

【技术特征摘要】
1.一种智能全彩调色COB光源制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)制备封装基板，封装基板表面设有形成若干个固晶槽；所述固晶槽包括间隔设置的横向固晶槽和纵向固晶槽；
(2)取封装基板，在封装基板的固晶槽内点涂固晶胶，分别将COB芯片胶接在横向固晶槽、纵向固晶槽内，超声处理3-5min，静置5-10min，再转移至烘箱中烘烤1.5-2h，烘烤温度为150-160℃；
(3)采用热压超声波键合工艺，通过金线将COB芯片与封装基板表面的电路连接键合；
(4)围坝，并在围坝围起来的区域内灌入荧光胶，以2℃/min的升温速率升温至140-150℃下，保温烘烤45-50min，再以2℃/min的速率降温冷却；
(5)进行性能测试，包装入库，得到成品COB光源。


2.根据权利要求1所述的一种智能全彩调色COB光源制作方法，其特征在于：步骤(1)中，封装基板的制备步骤如下：
A.取单面覆铜板，剪切成预设的规格尺寸，备用；
B.通过刷板机去除覆铜板表面的氧化膜，在覆铜板表面镀铜层上涂覆正性光刻胶，烘烤固化，通过掩膜版曝光出固晶区图形，放置于显影液中进行显影刻蚀，形成若干个固晶区；
C.将单面覆铜板置于ICP刻蚀机内，分别对固晶区进行ICP刻蚀并形成固晶槽，去除正性光刻胶，所述固晶槽包括间隔设置的横向固晶槽和纵向固晶槽，所述横向固晶槽的相邻位置均为纵向固晶槽，所述纵向固晶槽的相邻位置均为横向固晶槽；
D.在固晶槽底部进行二次光刻，取步骤C处理后的单面覆铜板，表面涂覆正性光刻胶，烘烤固化，曝光显影出沟槽图形，再进行ICP刻蚀，在固晶槽底部形成若干道沟槽；
E.取步骤D处理后的单面覆铜板，通过正胶去胶液去除正性光刻胶，再依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干；
F.取步骤E处理后的单面覆铜板，在固晶槽内涂覆固晶保护层，再在镀铜层表面旋涂正性光刻胶并覆盖整个镀铜层，烘烤固化，通过掩膜版曝光电路连接图形，再通过掩膜版曝光出固晶区图形，显影液进行显影，再在正性光刻胶上表面涂覆负...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈秀莲，林建辉，黄泽语，
申请(专利权)人：珠海市宏科光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44