一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法技术

本发明专利技术提供一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，在旋转的晶圆表面涂布聚酰亚胺，晶圆边缘残留有聚酰亚胺；对晶圆边缘进行第一次清洗，去除残留在晶圆边缘的聚酰亚胺；对晶圆进行软烘烤；对晶圆边缘进行第二次清洗，去除残留在晶圆边缘的聚酰亚胺。本发明专利技术避免了聚酰亚胺的晶边残留，保证了晶圆的正常生产。保证了聚酰亚胺的厚度不受晶圆边缘以及晶圆高转速影响，满足产品对膜厚的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法。
技术介绍
在芯片制造中，功率器件芯片扮演着重要的角色，尤其在电动汽车中，其对可靠性有着很高的要求。聚酰亚胺因为具有良好的耐热性、绝缘性、抗蚀性和抗辐射性能而著称，在功率器件的表面起到钝化作用,保证了功率芯片耐高压、高温等优良性能，聚酰亚胺在电子工业中应用具有广阔的前景。在聚酰亚胺工艺中，利用光刻的方法，把设计的图形留在晶圆表面，留下的聚酰亚胺作为保护层来保证芯片的可靠性。由于聚酰亚胺膜厚很厚，在涂胶洗边的时候，边缘会有聚酰亚胺残留，晶边出现毛边和拉丝，从而导致后续工艺无法进行。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，用于解决现有技术中晶圆边缘聚酰亚胺残留的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，至少包括：步骤一、在旋转的晶圆表面涂布聚酰亚胺，所述晶圆边缘残留有聚酰亚胺；步骤二、对所述晶圆边缘进行第一次清洗，去除残留在所述晶圆边缘的聚酰亚胺；步骤三、对所述晶圆进行软烘烤；步骤四、对所述晶圆边缘进行第二次清洗，去除残留在所述晶圆边缘的聚酰亚胺。优选地，步骤一中在所述晶圆表面涂布聚酰亚胺的过程中，聚酰亚胺向晶圆边缘流动，使得所述晶圆边缘残留有聚酰亚胺。优选地，步骤一中在所述晶圆表面涂布聚酰亚胺的过程中，聚酰亚胺向晶圆边缘流动，使得所述晶圆背面残留有聚酰亚胺。优选地，步骤二中使用溶剂对所述晶圆边缘进行第一次清洗，该溶剂用于溶解晶圆边缘的聚酰亚胺。优选地，步骤二中对所述晶圆边缘进行的所述第一次清洗，包括对所述晶圆背面进行清洗。优选地，步骤二中对所述晶圆边缘进行的所述第一次清洗的方法包括：在所述晶圆边缘喷洒PGME或PGMEA。优选地，步骤二中对所述晶圆背面进行清洗的方法为在所述晶圆背面喷洒PGME和PGMEA混合物。优选地，步骤四中使用溶剂对所述晶圆边缘进行第二次清洗，该溶剂用于溶解晶圆边缘的聚酰亚胺。优选地，步骤四中对所述晶圆边缘进行的所述第二次清洗，包括对所述晶圆背面进行清洗。优选地，步骤四中对所述晶圆边缘进行的所述第一次清洗的方法包括：在所述晶圆边缘喷洒PGME和PGMEA混合物。优选地，步骤四中对所述晶圆背面进行清洗的方法为在所述晶圆背面喷洒PGME或PGMEA。如上所述，本专利技术的用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，具有以下有益效果：本专利技术避免了聚酰亚胺的晶边残留，保证了晶圆的正常生产。保证了聚酰亚胺的厚度不受晶圆边缘以及晶圆高转速影响，满足产品对膜厚的需求。附图说明图1显示为本专利技术中对晶圆边缘进行清洗的装置结构示意图。图2显示为本专利技术的用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法流程图。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。本专利技术提供一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，如图2所示，图2显示为本专利技术的用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法流程图，该方法至少包括以下步骤：步骤一、在旋转的晶圆表面涂布聚酰亚胺，所述晶圆边缘残留有聚酰亚胺；如图1所示，图1显示为本专利技术中对晶圆边缘进行清洗的装置结构示意图。该图1中同时显示了步骤一中在所述晶圆01表面涂布聚酰亚胺02，步骤一中当所述晶圆表面涂布聚酰亚胺时，所述晶圆处于围绕图1中的转台中心轴旋转的状态。本专利技术进一步地，本实施例的步骤一中在所述晶圆表面涂布聚酰亚胺的过程中，聚酰亚胺向晶圆边缘流动，使得所述晶圆边缘残留有聚酰亚胺。在晶圆旋转的过程中将聚酰亚胺涂布在该晶圆的上表面，聚酰亚胺在涂布过程中会流向晶圆的边缘，本专利技术进一步地，本实施例的步骤一中在所述晶圆表面涂布聚酰亚胺的过程中，聚酰亚胺向晶圆边缘流动，使得所述晶圆背面残留有聚酰亚胺。在所述晶圆上表面涂布聚酰亚胺的过程中，聚酰亚胺不仅会流向晶圆的边缘，同时晶圆背面也会被一部分聚酰亚胺污染。步骤二、对所述晶圆边缘进行第一次清洗，去除残留在所述晶圆边缘的聚酰亚胺；本专利技术进一步地，本实施例的步骤二中使用溶剂对所述晶圆边缘进行第一次清洗，该溶剂用于溶解晶圆边缘的聚酰亚胺。该步骤二对晶圆边缘进行第一次清洗采用如图1所示的清洗装置，该清洗装置位于所述晶圆的一侧，其中EBR表示为晶圆的去边清洗，Solvent表示为溶剂，该清洗装置将所述溶剂喷洒于晶圆的一侧，由于晶圆在所述第一次清洗的过程中处于旋转状态，因此，所述晶圆边缘的聚酰亚胺在旋转的过程中被所述溶剂溶解，达到去除所述晶圆边缘聚酰亚胺的效果。本专利技术进一步地，本实施例的步骤二中对所述晶圆边缘进行的所述第一次清洗，包括对所述晶圆背面进行清洗。本实施例中，由于在晶圆表面涂布聚酰亚胺的过程中，晶圆背面也被聚酰亚胺污染，图1中的BR表示为对晶圆背面进行清洗。本专利技术进一步地，本实施例的步骤二中对所述晶圆边缘进行的所述第一次清洗的方法包括：在所述晶圆边缘喷洒PGME和PGMEA混合物，亦即所述溶剂为PGME(丙二醇甲醚)或PGMEA(丙二醇甲醚醋酸酯)。本专利技术进一步地，本实施例的步骤二中对所述晶圆背面进行清洗的方法为在所述晶圆背面喷洒PGME和PGMEA混合物。步骤三、对所述晶圆进行软烘烤；步骤三中在对所述晶圆进行第一次清洗之后，对晶圆进行软烘烤(softbake)，亦即对所述晶圆表面涂布的聚酰亚胺进行软烘烤。步骤四、对所述晶圆边缘进行第二次清洗，去除残留在所述晶圆边缘的聚酰亚胺。本专利技术进一步地，本实施例的步骤二中使用溶剂对所述晶圆边缘进行第二次清洗，该溶剂用于溶解晶圆边缘的聚酰亚胺。该步骤四对晶圆边缘进行第二次清洗采用如图1所示的清洗装置，该清洗装置位于所述晶圆的一侧，其中EBR表示为晶圆的去边清洗，Solvent表示为溶剂，该清洗装置将所述溶剂喷洒于晶圆的一侧，由于晶圆在所述第二次清洗的过程中处于旋转状态，因此，所述晶圆边缘的聚酰亚胺在旋转的过程中被所述溶剂溶解，达到去除所述晶圆边缘聚酰亚胺的效果。本专利技术进一步地，本实施例的步骤四中对所述晶圆边缘进行的所述第二次清洗，包括对所述晶圆背面进行清洗。本实施例中，由于在晶圆表面涂布聚酰亚胺的过程中，晶圆背面也被聚酰亚胺污染，图1中的BR表示为对晶圆背面进行清洗。本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，其特征在于，至少包括：/n步骤一、在旋转的晶圆表面涂布聚酰亚胺，所述晶圆边缘残留有聚酰亚胺；/n步骤二、对所述晶圆边缘进行第一次清洗，去除残留在所述晶圆边缘的聚酰亚胺；/n步骤三、对所述晶圆进行软烘烤；/n步骤四、对所述晶圆边缘进行第二次清洗，去除残留在所述晶圆边缘的聚酰亚胺。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、在旋转的晶圆表面涂布聚酰亚胺，所述晶圆边缘残留有聚酰亚胺；
步骤二、对所述晶圆边缘进行第一次清洗，去除残留在所述晶圆边缘的聚酰亚胺；
步骤三、对所述晶圆进行软烘烤；
步骤四、对所述晶圆边缘进行第二次清洗，去除残留在所述晶圆边缘的聚酰亚胺。


2.根据权利要求1所述的用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，其特征在于：步骤一中在所述晶圆表面涂布聚酰亚胺的过程中，聚酰亚胺向晶圆边缘流动，使得所述晶圆边缘残留有聚酰亚胺。


3.根据权利要求2所述的用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，其特征在于：步骤一中在所述晶圆表面涂布聚酰亚胺的过程中，聚酰亚胺向晶圆边缘流动，使得所述晶圆背面残留有聚酰亚胺。


4.根据权利要求3所述的用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，其特征在于：步骤二中使用溶剂对所述晶圆边缘进行第一次清洗，该溶剂用于溶解晶圆边缘的聚酰亚胺。


5.根据权利要求4所述的用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，其特征在于：步骤二中对所述晶圆边缘进行的所述第一次清洗，包括对所述晶圆背面进行清洗。
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【专利技术属性】
技术研发人员：程黎明，吴长明，姚振海，陈骆，王绪根，朱联合，刘冲，张基智，韩建伟，刘希仕，赵伟冬，巫畅，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32