一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法技术

本申请公开了一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法，其中，成型方法包括以下步骤：取两片待连接介质，在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒，在上方的待连接介质顶面设置加压板；对加压板进行高频脉冲加压处理，使纳米金属颗粒结合和使纳米金属颗粒与待连接介质结合，形成导电介质；移除加压板；清除导电介质上残余纳米金属颗粒。本申请实施例提供的成型方法采用纳米金属颗粒作为填充物替代一般的金属粉末，结合高频脉冲加压处理方式，使得纳米金属颗粒可在常温下发生冶金结合而与待连接介质烧结成导电介质，完成导电片的成型制备，具有便捷、低成本、设备要求低的特点，可制备出具备合格的结构强度、导电性能的导电结构产品。

【技术实现步骤摘要】
一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法
本申请涉及集成电路
，具体而言，涉及一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法。
技术介绍
导电结构目前应用十分广泛，但目前导电结构的制作还比较粗糙，一般使用高温加工生产，其制备过程一般是将材料构成组装结构后放置在高温条件下进行烧结成型，该成型过程属于热烧结，存在成型过程复杂以及烧结设备复杂的问题，对设备要求高，现阶段导电结构制备缺少一种便捷的方法。针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
本申请实施例的目的在于提供一种的基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法，实现常温下制备导电结构，以简化导电结构制备过程、降低设备要求、设备成本。第一方面，本申请实施例提供了一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，用于制备导电片，包括以下步骤：S1、取两片待连接介质，在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒，在上方的待连接介质顶面设置加压板；S2、对加压板进行高频脉冲加压处理，使纳米金属颗粒结合和使纳米金属颗粒与待连接介质结合，形成导电介质；S3、移除加压板；S4、清除导电介质上残余纳米金属颗粒。本申请实施例的一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，采用纳米金属颗粒作为填充物替代一般的金属粉末，结合高频脉冲加压处理方式，使得纳米金属颗粒可在常温下发生冶金结合而与待连接介质烧结成导电介质，完成导电片的成型制备；该成型方法无需在高温条件下进行加工生产，同时纳米金属颗粒发生冶金结合即可获得一般导电结构的导电性能，从而有效简化了现有技术的导电结构烧结过程，降低了设备要求，实现了在常温下完成导电片烧结成型，具有便捷、低成本、设备要求低的特点。所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，其中：在步骤S2中，高频脉冲加压处理为冲击处理、旋转摩擦处理、超声处理中的一种。所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，其中：当高频脉冲加压处理为超声处理时，超声处理为上开口大、下开口小的超声头装置。所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，其中：所述纳米金属颗粒的表面包覆有聚乙烯吡咯烷酮、咪唑、2-苯基咪唑或苯并咪唑中的一种或多种。所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，其中：所述加压板表面具有惰性层。所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，其中：在步骤S1中，在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒前，对所述待连接介质进行用于增强待连接介质与纳米金属颗粒结合效果的表面处理。所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，其中：所述表面处理包括以下处理方法中的一种：表面粗化处理、表面建设铜钛合金层、表面覆盖胶类物质。所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，其中：在步骤S1中，在两片待连接介质中填充的纳米金属颗粒，为金属粉末状或由纳米金属粉末与有机溶剂配成的膏体状。所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，其中：在步骤S4中，采用有机溶液对导电介质表面进行清洗以清除残余纳米金属颗粒。第二方面，本申请实施例还提供了一种根据上述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法制备的导电结构，包括一金属层和设于金属层上下表面且与金属层冶金结合的介质层。该导电结构通过基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法制成，可在常温下制备，在具备导电结构的结构强度、导电性能的同时，其成型过程具有便捷、低成本、设备要求低的特点。由上可知，本申请实施例提供的一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法，其中，成型方法采用纳米金属颗粒作为填充物替代一般的金属粉末，结合高频脉冲加压处理方式，使得纳米金属颗粒可在常温下发生冶金结合而与待连接介质烧结成导电介质，完成导电片的成型制备，具有便捷、低成本、设备要求低的特点，可制备出具备合格的结构强度、导电性能的导电结构产品。附图说明图1为本申请实施例提供的一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法的流程图。图2为提供的一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法加工时将加压板设于待连接介质上时的加工结构示意图。图3为纳米金属颗粒烧结前的示意图。图4为纳米金属颗粒利用本申请实施例基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法成型烧结后的示意图。附图标记：1、待连接介质；2、纳米金属颗粒；3、加压板。具体实施方式下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。第一方面，请参照图1和2，图1和2是本申请一些实施例中的一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，用于制备导电片，包括以下步骤：S1、取两片待连接介质1，在两片待连接介质1中填充纳米金属颗粒2，在上方的待连接介质1顶面设置加压板3；其中，在填充纳米金属颗粒2的过程中，可先取一片待连接介质1在其上需要成型的位置处铺上合适厚度的纳米金属颗粒2，再将另一片置于纳米金属颗粒2上，使得两片待连接介质1与纳米金属颗粒2紧密接触以完成纳米金属颗粒2的填充过程；或者，可取出两片待连接介质1，并将两片待连接介质1平行设置，使得两片待连接介质1之间具有合适的距离，然后通过注入装置将纳米金属颗粒2注入填充在两片待连接介质1之间需求成型的位置以完成纳米金属颗粒2的填充过程；两种填充方式均可将两片待连接介质1调整到平行设置的状态，并使两者之间填充满均匀的纳米金属颗粒2，可确保纳米金属颗粒2分布均匀，使得后续产出的导电片结构更均匀、质量更佳。更具体地，采用前者填充方式时，还可根据成型需求将纳米金属颗粒2填充为特定图案形状。更具体地，采用后者填充方式时，两片待连接介质1可通过夹持工具进行位置固定以使得两片待连接介质1之间具有合适的距离，也可通过在两片待连接介质1之间设置垫片以使得两片待连接介质1之间具有合适的距离。更具体地，待连接介质1和加压板3均呈平面片状结构，使得加压板3可平行设于位于上方的待连接介质1的顶面而与上方的待连接介质1紧密接触，利于后续加压成型，确保导电片成型质量。更具体地，加压板3可直接放置在待连接介质1顶面，也可通过紧固件暂时固定在待连接介质1顶面以防止两者相对位移。更具体地，纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，用于制备导电片，其特征在于：包括以下步骤：/nS1、取两片待连接介质，在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒，在上方的待连接介质顶面设置加压板；/nS2、对加压板进行高频脉冲加压处理，使纳米金属颗粒结合和使纳米金属颗粒与待连接介质结合，形成导电介质；/nS3、移除加压板；/nS4、清除导电介质上残余纳米金属颗粒。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，用于制备导电片，其特征在于：包括以下步骤：
S1、取两片待连接介质，在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒，在上方的待连接介质顶面设置加压板；
S2、对加压板进行高频脉冲加压处理，使纳米金属颗粒结合和使纳米金属颗粒与待连接介质结合，形成导电介质；
S3、移除加压板；
S4、清除导电介质上残余纳米金属颗粒。


2.根据权利要求1所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，其特征在于：在步骤S2中，高频脉冲加压处理为冲击处理、旋转摩擦处理、超声处理中的一种。


3.根据权利要求1所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，其特征在于：当高频脉冲加压处理为超声处理时，超声处理为上开口大、下开口小的超声头装置。


4.根据权利要求1所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，其特征在于：所述纳米金属颗粒的表面包覆有聚乙烯吡咯烷酮、咪唑、2-苯基咪唑或苯并咪唑中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的基于纳米金属冲击烧结的导电结构的成型方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨冠南，钟朝彬，童金，崔成强，张昱，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：广东;44