【技术实现步骤摘要】
缩小金属面积的方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法,特别设计一种缩小金属面积的方法。
技术介绍
在版图设计过程中,有时需要实现在有限的区间内放置更多的图形,比如通孔。如图1A所示,是现有版图中存在大金属块的区域内的放大图,在图1A对应的版图101a所显示的区域中存在金属线102以及通孔103,通孔103用于实现不同的金属层之间的连接。在虚线圈104所示区域中存在大金属块,大金属块的宽度会大于金属线102的宽度。在有些工艺的设计规则中,当大金属块的面积大于一定值时,需要增加通孔的放置,例如,一种工艺中,面积大于0.3微米×0.3微米的大金属块的区间内需要打2个以上的通孔103。如图1B是对图1A中的大金属块附近增加通孔后的版图放大图;可以看出,在虚线圈104所示区域中增加了一个通孔103。另外,在实际情况中也可能出现线路过密,而无法打两个通孔的情况,这时就需要将大金属块的面积进行缩小,以符合设计规则的要求。现有方法中,版图的修正如增加通孔或者减少大金属块的面积都是通过手动完成,这会耗时耗力,这是因为,版图中的图形数量众多,需要进行修正的大金属块的数量会有几千个。如图2A是现有一张版图缩略图,从图2A的版图101c可以看出,在版图101c上具有密密麻麻的很多图形,缩略图中无法显示具体的图形结构,这里仅用于表示版图101c中的图形数量众多。如图2B所示,是对图2A中存在大金属块的位置图,版图101d中仅显示了需要进行修正的大金属块的位置图,可以看出,图2B中显示了密密麻麻的 ...
【技术保护点】
1.一种缩小金属面积的方法,其特征在于,包括如下步骤:/n步骤一、对需要进行面积缩小的大金属块进行图形分割,所述大金属块的宽度大于版图上的金属线的宽度,所述大金属块的区域内设置有通孔或接触孔;/n所述图形分割包括:将所述大金属块的原始图形减去所述大金属块内设置通孔或接触孔的区域,之后再将减去了设置所述通孔或接触孔的区域的所述大金属块的原始图形分割成多块分块图形;/n步骤二、依次对各所述分块图形进行验证分类,各所述分块图形的验证步骤包括:/n将所述大金属块的原始图形减去所述分块图形并形成所述大金属块的中间图形;/n如果所述大金属块的中间图形和所述大金属块周侧的金属线的图形保持为整体结构,则所述分块图形验证为第一类;反之,所述分块图形验证为第二类;/n步骤三、进行图形整合,包括:将所有所述第二类的所述分块图形和所述大金属块的原始图形中设置所述通孔或接触孔的区域的图形整合形成所述大金属块的新图形,所有所述第一类的所述分块图形在所述大金属块的新图形中被去除,实现所述大金属块的面积缩小。/n
【技术特征摘要】
1.一种缩小金属面积的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、对需要进行面积缩小的大金属块进行图形分割,所述大金属块的宽度大于版图上的金属线的宽度,所述大金属块的区域内设置有通孔或接触孔;
所述图形分割包括:将所述大金属块的原始图形减去所述大金属块内设置通孔或接触孔的区域,之后再将减去了设置所述通孔或接触孔的区域的所述大金属块的原始图形分割成多块分块图形;
步骤二、依次对各所述分块图形进行验证分类,各所述分块图形的验证步骤包括:
将所述大金属块的原始图形减去所述分块图形并形成所述大金属块的中间图形;
如果所述大金属块的中间图形和所述大金属块周侧的金属线的图形保持为整体结构,则所述分块图形验证为第一类;反之,所述分块图形验证为第二类;
步骤三、进行图形整合,包括:将所有所述第二类的所述分块图形和所述大金属块的原始图形中设置所述通孔或接触孔的区域的图形整合形成所述大金属块的新图形,所有所述第一类的所述分块图形在所述大金属块的新图形中被去除,实现所述大金属块的面积缩小。
2.如权利要求1所述的缩小金属面积的方法,其特征在于:步骤一中,按照设计规则的规定,所述大金属块的面积内所需要设置的通孔或接触孔的数量大于所述大金属块内设置的通孔或接触孔的数量。
3.如权利要求2所述的缩小金属面积的方法,其特征在于:步骤三中,按照设计规则的规定,所述图形整合后的所述大金属块的面积内所需要设置的通孔或接触孔的数量小于等于所述大金属块内设置的通孔或接触孔的数量。
4.如权利要求1所述的缩小金属面积的方法,其特征在于:步骤一之前,还包括:从版图数据中挑出所述大金属块的原始图形。
5.如权利要求4所述的缩小金属面积的方法,其特征在于:通过SIZING函数自动从所述版图数据中挑出所述大金属块的原始图形。
6.如权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:张兴洲,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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