发光器件和电子设备制造技术

提供了一种发光器件和一种包括该发光器件的电子设备，所述发光器件包括发射层，所述发射层包括主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和电子设备本申请基于在韩国知识产权局于2020年1月30日提交的第10-2020-0011347号韩国专利申请以及于2021年1月28日提交的第10-2021-0011975号韩国专利申请，并要求所述韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
一个或更多个实施例涉及一种发光器件以及一种包括该发光器件的电子设备。
技术介绍
发光器件(例如，有机发光器件)可以包括位于基底上的第一电极以及顺序地堆叠在第一电极上的空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域移向发射层，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域移向发射层。载流子(诸如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态从而产生光。
技术实现思路
提供了一种发光器件和一种包括该发光器件的电子设备，所述发光器件具有低驱动电压、优异的外量子效率和改善的寿命特性。另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过实践所给出的公开的实施例而获知。根据一方面，提供了一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及中间层，布置在第一电极与第二电极之间，并且包括发射层，其中，发射层包括主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂，主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂彼此不同，第一掺杂剂是磷光掺杂剂，第二掺杂剂的斯托克斯位移(或斯托克斯的位移)小于或等于15nm，第一掺杂剂的发射光谱与第二掺杂剂的吸收光谱的光谱重叠积分大于或等于1.5×1015M-1cm-1nm4，并且光谱重叠积分通过等式1来评价。等式1在等式1中，J(λ)是以M-1cm-1nm4为单位的第一掺杂剂的发射光谱与第二掺杂剂的吸收光谱的光谱重叠积分，ε(λ)是以M-1cm-1为单位的由第二掺杂剂的吸收光谱计算的第二掺杂剂的摩尔消光系数，λ是以nm为单位的发射光谱和吸收光谱的波长，并且FD(λ)是第一掺杂剂的归一化的发射光谱，其中，第一掺杂剂的发射光谱是在室温下在5μM(5μmol/L)第一掺杂剂的甲苯溶液中评价的发射光谱，并且第二掺杂剂的吸收光谱是在室温下在5μM(5μmol/L)第二掺杂剂的甲苯溶液中评价的吸收光谱。根据另一方面，提供了一种包括该发光器件的电子设备。附图说明通过下面结合附图的描述，公开的某些实施例的以上和其它方面、特征及优点将更加清楚，在附图中：图1是示意性地示出根据实施例的发光器件的结构的图；图2是示意性地示出根据实施例的电子设备的结构的图；图3是示意性地示出根据另一实施例的电子设备的结构的图；以及图4是示意性地示出D1-1、D1-2和D1-3(“D1-1”、“D1-2”和“D1-3”)的发射光谱以及D2-1(“D2-1(Abs)”)的吸收光谱的图。具体实施方式现在将详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。就这点而言，本实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例以解释本说明书的方面。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(者/种)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者其变型。因为公开可以具有各种修改的实施例，所以在附图中示出并在具体实施方式中描述了优选的实施例。当参照根据附图描述的实施例时，公开的效果和特征以及实现这些的方法将是明显的。然而，公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。下面将参照附图更详细地描述公开的一个或更多个实施例。彼此相同或对应的那些组件被赋予相同的附图标记而与附图序号无关，并且省略冗余的说明。除非在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述包括复数的表述。还将理解的是，这里使用的术语“包括”和/或其变型说明存在所陈述的特征或元件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征或元件。将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”或者“到”另一层、区域或组件“上”时，它可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或组件。为了便于说明，可以夸大或缩小附图中元件的尺寸。例如，由于为了便于说明而任意地示出了附图中元件的尺寸和厚度，因此公开不限于此。如这里使用的表述“(中间层)包括由式1表示的化合物”可以包括其中“(中间层)包括相同的由式1表示的化合物”的情况以及其中“(中间层)包括两种或更多种不同的由式1表示的化合物”的情况。发光器件可以包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及中间层，布置在第一电极与第二电极之间，并且包括发射层，其中，发射层可以包括主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂。包括在发射层中的主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂可以彼此不同。主体可以包括与第一掺杂剂和第二掺杂剂不同的化合物。主体的示例的描述与下面描述的相同。第一掺杂剂可以是磷光掺杂剂。也就是说，第一掺杂剂可以是可以根据磷光发射机理而发射磷光的化合物。在实施例中，第一掺杂剂可以是含过渡金属的有机金属化合物。例如，过渡金属可以是元素周期表的第一行过渡金属、元素周期表的第二行过渡金属或元素周期表的第三行过渡金属。在实施例中，过渡金属可以是具有40或更大的原子量的金属。在实施例中，过渡金属可以是铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铥(Tm)或铑(Rh)。第二掺杂剂的斯托克斯位移(Stokesshift)可以小于或等于15nm。在实施例中，第二掺杂剂的斯托克斯位移可以大于或等于5nm且小于或等于15nm。同时，第一掺杂剂的发射光谱与第二掺杂剂的吸收光谱的光谱重叠积分可以大于或等于1.5×1015M-1cm-1nm4。光谱重叠积分可以通过等式1来评价：等式1在等式1中，J(λ)是以M-1cm-1nm4为单位的第一掺杂剂的发射光谱与第二掺杂剂的吸收光谱的光谱重叠积分，ε(λ)是以M-1cm-1为单位的由第二掺杂剂的吸收光谱计算的第二掺杂剂的摩尔消光系数，λ是以nm为单位的发射光谱和吸收光谱的波长，并且FD(λ)是第一掺杂剂的归一化的发射光谱，例如，是归一化为1的面积的第一掺杂剂的与波长相关的发射光谱，其中，第一掺杂剂的发射光谱是在室温下在5μM(5μmol/L)第一掺杂剂的甲苯溶液中评价的发射光谱，并且第二掺杂剂的吸收光谱是在室温下在5μM(5μmol/L)第二掺杂剂的甲苯溶液中评价的吸收光谱。在实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，所述发光器件包括：/n第一电极；/n第二电极，面对所述第一电极；以及/n中间层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发射层，/n其中，所述发射层包括主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂，/n所述主体、所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂彼此不同，/n所述第一掺杂剂是磷光掺杂剂，/n所述第二掺杂剂的斯托克斯位移小于或等于15nm，/n所述第一掺杂剂的发射光谱与所述第二掺杂剂的吸收光谱的光谱重叠积分大于或等于1.5×10

【技术特征摘要】
20200130 KR 10-2020-0011347;20210128 KR 10-2021-001.一种发光器件，所述发光器件包括：
第一电极；
第二电极，面对所述第一电极；以及
中间层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发射层，
其中，所述发射层包括主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂，
所述主体、所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂彼此不同，
所述第一掺杂剂是磷光掺杂剂，
所述第二掺杂剂的斯托克斯位移小于或等于15nm，
所述第一掺杂剂的发射光谱与所述第二掺杂剂的吸收光谱的光谱重叠积分大于或等于1.5×1015M-1cm-1nm4，并且
所述光谱重叠积分通过等式1来评价：
等式1



其中，在等式1中，
J(λ)是以M-1cm-1nm4为单位的所述第一掺杂剂的所述发射光谱与所述第二掺杂剂的所述吸收光谱的所述光谱重叠积分，
ε(λ)是以M-1cm-1为单位的由所述第二掺杂剂的所述吸收光谱计算的所述第二掺杂剂的摩尔消光系数，
λ是以nm为单位的所述发射光谱和所述吸收光谱的波长，并且
FD(λ)是所述第一掺杂剂的归一化的所述发射光谱，并且
其中，所述第一掺杂剂的所述发射光谱是在室温下在5μM所述第一掺杂剂的甲苯溶液中评价的发射光谱，并且
所述第二掺杂剂的所述吸收光谱是在室温下在5μM所述第二掺杂剂的甲苯溶液中评价的吸收光谱。


2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一掺杂剂是含过渡金属的有机金属化合物。


3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二掺杂剂的所述斯托克斯位移大于或等于5nm且小于或等于15nm。


4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述光谱重叠积分大于或等于1.5×1015M-1cm-1nm4且小于或等于2.0×1015M-1cm-1nm4。


5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一掺杂剂的发射光谱中的发射峰波长大于或等于430nm且小于或等于470nm。


6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一掺杂剂的发射光谱中的发射峰波长大于所述第二掺杂剂的吸收光谱中的吸收峰波长。


7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，激子从所述第一掺杂剂的最低激发三重态能级跃迁到所述第二掺杂剂的最低激发单重态能级，并且在所述第二掺杂剂的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹锡奎，田美恩，赵显九，柳在镇，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR