半导体结构制造技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、第一垂直结构与第二垂直结构以及隔离结构。第一垂直结构与第二垂直结构形成于基板上；隔离结构位于第一垂直结构与第二垂直结构之间。隔离结构包括中心区与多个基脚区形成于中心区的两侧上。每一基脚区为自每一基脚区的第一末端至第二末端朝向中心区的锥形。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术实施例涉及半导体结构，尤其涉及隔离结构与其制作方法。
技术介绍
半导体技术中的进展对更高储存能力、更快处理系统、更高效能与更低成本的半导体装置需求也增加。为符合这些需求，半导体产业持续缩小半导体装置(如金属氧化物半导体场效晶体管，包含平面金属氧化物半导体场效晶体管、鳍状场效晶体管或纳米片场效晶体管)的尺寸。尺寸缩小会增加半导体制造工艺的复杂度。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种半导体结构，以解决上述至少一个问题。在一些实施例中，半导体结构可包括基板；第一垂直结构与第二垂直结构，形成于基板上；以及隔离结构，位于第一垂直结构与第二垂直结构之间。隔离结构包括中心区与多个基脚区形成于中心区的两侧上。每一基脚区为自每一基脚区的第一末端至第二末端朝向中心区的锥形。在一些实施例中，场效晶体管结构可包括基板；第一垂直结构与第二垂直结构，形成于基板上；栅极结构，位于第一垂直结构与第二垂直结构的部分上；以及隔离结构，位于第一垂直结构与第二垂直结构之间。第一垂直结构与第二垂直结构的每一者包括通道层。隔离结构可包括第一侧壁、第二侧壁与垂直地位于第一侧壁与第二侧壁之间的基脚区。第一侧壁与第二侧壁可位于隔离结构的上表面与下表面之间。基脚区可为自第二侧壁至第一侧壁的锥形。在一些实施例中，半导体结构的形成方法可包括形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上；横向地形成隔离结构于第一鳍状结构与第二鳍状结构之间；以及移除隔离结构的一部分，以形成自隔离结构的侧壁至隔离结构的上表面的锥形的基脚区。隔离结构可包括第一绝缘层与第一绝缘层上的第二绝缘层。本专利技术实施例的有益效果在于，上侧区包含基脚于下侧区上。具有基脚的上侧区的顶部宽度，比下侧区的底部宽度窄。基脚的优点为提供狭窄的隔离结构顶部宽度与宽广的隔离结构底部宽度，以用于高密度集成电路所用的紧密且坚固的切割金属栅极方案。附图说明图1A及图1B分别为一些实施例中，半导体装置的等角图。图1C至图1F为一些实施例中，半导体装置的剖视图。图2为一些实施例中，制作半导体装置的方法的流程图。图3A至图3C与图4A至图4C为一些实施例中，半导体装置于制作工艺的多种阶段的等角图。图5至图16为一些实施例中，半导体装置于制作工艺的多种阶段的剖视图。图17A及图17B与图18A及图18B为一些实施例中，半导体装置于制作工艺的多种阶段的剖视图。附图标记如下：C-C,D-D:剖线GL,L1,W1,W2,848:水平尺寸GH,H1,H2,138H:垂直尺寸HT:总高度H3,H4,H5:高度S108,S1081,S1082,S1083,125:分隔距离t116,t118,t142,t538,122t:厚度W104H,W104H1,W104H2,W104H3:顶部宽度W104L,W104L1,W104L2,W104L3:底部宽度W14041,W14043:宽度100:半导体装置102:场效晶体管103:锐角104,1041,1042,1043,704,7041,7042,7043:隔离结构104H:上侧区104L:下侧区105:水平位移106:基板107:垂直错位108,1081,1082,1083:鳍状结构108A:鳍状物基底部分108B:堆叠鳍状物部分109,111,1111,1112,1113,113,1131,1132,1133,117,121:上表面110:源极/漏极区112:栅极结构112A:氧化物层112B:栅极介电层112C,1712:栅极114:栅极间隔物115,1151,1152,1153:下表面116:蚀刻停止层118:层间介电层122:通道层122s:间隙129:第二末端131:第一末端133,1331,1332,1333,135,1351,1352,1353:侧壁138:浅沟槽隔离区140:内连线结构142:内侧间隔物152:衬垫层154:基体区156:中心区158,158L,158R:基脚区162,164,538,602:层状物174:中段工艺的绝缘层178:沟槽导体200:方法205,210,215,220,225:步骤224:源极/漏极结构308B:堆叠层320:第一半导体层320t,322t:垂直厚度322:第二半导体层420:第三半导体层440,442,814:硬掩模层503,903,1201:凹陷结构812:多晶硅结构846:空间1402:牺牲层1404:掩模层具体实施方式值得注意的是，下述内容的“一实施例”、“一例示性的实施例”、“例示性”或类似用语所述的实施例可包含特定的特征、结构或特性，但每一实施例可不必包含特定的特征、结构或特性。此外，这些用语不必视作相同实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，无论是否明确说明，本
中技术人员自可结合其他实施例以实施这些特征、结构或特性。应理解的是，此处的措词或用语的目的为说明而非限制，因此本
中技术人员可依此处说明解释下述说明的措词或用语。空间性的相对用语如“下方”、“其下”、“下侧”、“上方”、“上侧”或类似用语可用于简化说明某一元件与另一元件在图示中的相对关系。空间性的相对用语可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于图示方向。元件亦可转动90°或其他角度，因此方向性用语仅用以说明图示中的方向。与鳍状场效晶体管或全绕式栅极场效晶体管相关的鳍状物的图案化方法可为任何合适方法。举例来说，鳍状物的图案化方法可采用一或多道光刻工艺，包括双重图案化工艺或多重图案化工艺。一般而言，双重图案化工艺或多重图案化工艺结合光刻与自对准工艺，其产生的图案间距小于采用单一的直接光刻工艺所得的图案间距。举例来说，一实施例形成牺牲层于基板上，并采用光刻工艺图案化牺牲层。采用自对准工艺以沿着图案化的牺牲层侧部形成间隔物。接着移除牺牲层，并可采用保留的间隔物以图案化鳍状物。此处采用的用语“基本上”指的是在产品或工艺的设计阶段中，用于构件或工艺操作的特性或参数的期望值或目标值，以及高于及/或低于所需值的数值。数值范围通常来自于工艺或公差中的细微变化。在一些实施例中，用语“大约”和“基本上”指的是在5％之内变化的给定数值(比如目标数值±1％、±2％、±3％、±4％或±5％)。此处采用的用语“垂直”指的是大致垂直于基板表面。此处采用的用语“选择性”指的是相同蚀刻条件下，对两种不同材料的蚀刻速率之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n一基板；/n一第一垂直结构与一第二垂直结构，形成于该基板上；以及/n一隔离结构，位于该第一垂直结构与该第二垂直结构之间，其中该隔离结构包括一中心区与多个基脚区形成于该中心区的两侧上，每一多个所述基脚区为自每一多个所述基脚区的一第一末端至一第二末端朝向该中心区的锥形。/n

【技术特征摘要】
20200130 US 16/776,5401.一种半导体结构，包括：
一基板；
一第一垂直结构与一第二垂直结构，形成于该基板上；以及
...

【专利技术属性】
技术研发人员：游家权，庄礼阳，朱熙甯，江国诚，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71