一种防护性高的抗静电半导体芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种防护性高的抗静电半导体芯片，包括芯片本体以及设置在芯片本体外部的保护装置和包裹在芯片本体外部的保护层，所述保护层包括抗氧化层、防潮层和绝缘层，所述保护装置包括固定在芯片本体前后两侧的连接条，所述连接条的内侧通过连接柱与芯片本体之间固定连接，所述连接条的顶部开设有滑槽，所述滑槽的底壁开设有通槽，所述通槽的底壁开设有限位槽，所述限位槽设置有多个，均匀分布在通槽的底壁，两个所述连接条之间通过活动限位装置固定连接有U形挡件，通过连接条、滑槽、通槽和限位槽之间的配合可以使多个U形挡件均匀的分布在芯片本体的顶部，实现对芯片本体的保护，避免在拆卸处理器时，损伤到电路板上的芯片本体。

【技术实现步骤摘要】
一种防护性高的抗静电半导体芯片
本专利技术涉及一种半导体芯片
，具体是一种防护性高的抗静电半导体芯片。
技术介绍
半导体芯片:在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓，锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。半导体芯片是一些处理器的核心电器元件，因此对于半导体芯片的防护性是至关重要的，对于半导体的技术加工也是非常关键的，一些厂家对于废弃处理器的回收基本都会将电路板的半导体进行进行回收加工利用，但是对处理器进行拆卸时容易损坏到芯片的位置，从而导致半导体回收失败，为此本专利技术提供一种防护性高的抗静电半导体芯片。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种防护性高的抗静电半导体芯片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了如下的技术方案：本专利技术提供一种防护性高的抗静电半导体芯片，包括芯片本体以及设置在芯片本体外部的保护装置和包裹在芯片本体外部的保护层，所述保护层包括抗氧化层、防潮层和绝缘层；所述保护装置包括固定在芯片本体前后两侧的连接条，所述连接条的内侧通过连接柱与芯片本体之间固定连接，所述连接条的顶部开设有滑槽，所述滑槽的底壁开设有通槽，所述通槽的底壁开设有限位槽，所述限位槽设置有多个，均匀分布在通槽的底壁，两个所述连接条之间通过活动限位装置固定连接有U形挡件。作为本专利技术的一种优选技术方案：所述活动限位装置包括固定在U形挡件底部的固定柱，所述固定柱的底部固定连接有挡片，所述挡片的底部固定连接有限位柱，所述限位柱与限位槽之间卡接。作为本专利技术的一种优选技术方案：位于靠近芯片本体中心的所述U形挡件的底部设置有散热风扇。作为本专利技术的一种优选技术方案：所述抗氧化层由聚酰亚胺和聚氨酯胶水固化而成。作为本专利技术的一种优选技术方案：所述防潮层包括在抗氧化层的外侧，且防潮层使用的是防潮涂料，以硅橡胶高分子聚合物为基料。作为本专利技术的一种优选技术方案：所述绝缘层为金属导热绝缘层，所述金属导热绝缘层由树脂胶液和聚酯合物复合层组成。本专利技术的有益效果是：通过连接条、滑槽、通槽和限位槽之间的配合可以使多个U形挡件均匀的分布在芯片本体的顶部，实现对芯片本体的保护，避免在拆卸处理器时，损伤到电路板上的芯片本体，通过该防护装置提高了对芯片本体回收率。附图说明图1为一种防护性高的抗静电半导体芯片的结构示意图。图2为一种防护性高的抗静电半导体芯片的结构侧视图。图3为一种防护性高的抗静电半导体芯片中保护层的结构示意图。图中：1、芯片本体；2、保护层；3、抗氧化层；4、防潮层；5、绝缘层；6、连接条；7、连接柱；8、滑轨；9、通槽；10、限位槽；11、U形挡件；12、固定柱；13、挡片；14、限位柱；15、散热风扇。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例：如图1-3所示，本专利技术提供一种防护性高的抗静电半导体芯片，包括芯片本体1以及设置在芯片本体1外部的保护装置和包裹在芯片本体1外部的保护层2，保护层2包括抗氧化层3、防潮层4和绝缘层5；保护装置包括固定在芯片本体1前后两侧的连接条6，连接条6的内侧通过连接柱7与芯片本体1之间固定连接，连接条6的顶部开设有滑槽8，滑槽8的底壁开设有通槽9，通槽9的底壁开设有限位槽10，限位槽10设置有多个，均匀分布在通槽9的底壁，两个连接条6之间通过活动限位装置固定连接有U形挡件11；通过连接条6、滑槽8、通槽9和限位槽10之间的配合可以使多个U形挡件11均匀的分布在芯片本体1的顶部，实现对芯片本体1的保护，避免在拆卸处理器时，损伤到电路板上的芯片本体，通过该防护装置提高了对芯片本体1回收率。其中，活动限位装置包括固定在U形挡件11底部的固定柱12，固定柱12的底部固定连接有挡片13，挡片13的底部固定连接有限位柱14，限位柱14与限位槽10之间卡接；挡片13滑动在滑槽8的内部，当向上提起U形挡件11时，限位柱14退出限位槽10，这时向一侧移动U形挡片11，配合挡片13和滑槽8，可以使U形挡片11顺利向一侧移动。其中，位于靠近芯片本体1中心的U形挡件11的底部设置有散热风扇15；配合散热风扇15可以增加芯片本体1的散热能力，从而延长芯片本体1的使用寿命。其中，抗氧化层3由聚酰亚胺和聚氨酯胶水固化而成；在制得抗氧层3之前需要对芯片本体1的金属密封层进行抛光打磨、清洗，再将聚酰亚胺和聚氨酯胶水固化而成，增加芯片本体1的抗氧化能力。其中，防潮层4包括在抗氧化层3的外侧，且防潮层4使用的是防潮涂料，以硅橡胶高分子聚合物为基料；可避免芯片本体1在潮湿的情况下依然能够保持完好无损。其中，绝缘层5为金属导热绝缘层，金属导热绝缘层由树脂胶液和聚酯合物复合层组成；配合树脂胶液和聚酯合物复合层可以有效起到绝缘效果，在外部电路出现漏电的情况可以对芯片本体1起到保护作用，且能够加快芯片本体1的散热情况，进一步延长芯片本体1的使用寿命。具体的，本专利技术使用时：当需要对芯片本体1进行回收或者维护时，设置在芯片本体1上的U形挡件11可以对芯片本体1进行防护，可避免辅助工具损伤到芯片本体，拆卸完成后，可以向上拉动U形挡件11，使限位柱14退出限位槽10，再向一侧移动U形挡件11，可以将所有U形挡件11以相同的方式移动到芯片本体1的一侧，从而方便对芯片本体1进行拆卸或者维护。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下作出各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防护性高的抗静电半导体芯片，其特征在于，包括芯片本体(1)以及设置在芯片本体(1)外部的保护装置和包裹在芯片本体(1)外部的保护层(2)，所述保护层(2)包括抗氧化层(3)、防潮层(4)和绝缘层(5)；/n所述保护装置包括固定在芯片本体(1)前后两侧的连接条(6)，所述连接条(6)的内侧通过连接柱(7)与芯片本体(1)之间固定连接，所述连接条(6)的顶部开设有滑槽(8)，所述滑槽(8)的底壁开设有通槽(9)，所述通槽(9)的底壁开设有限位槽(10)，所述限位槽(10)设置有多个，均匀分布在通槽(9)的底壁，两个所述连接条(6)之间通过活动限位装置固定连接有U形挡件(11)。/n

【技术特征摘要】
1.一种防护性高的抗静电半导体芯片，其特征在于，包括芯片本体(1)以及设置在芯片本体(1)外部的保护装置和包裹在芯片本体(1)外部的保护层(2)，所述保护层(2)包括抗氧化层(3)、防潮层(4)和绝缘层(5)；
所述保护装置包括固定在芯片本体(1)前后两侧的连接条(6)，所述连接条(6)的内侧通过连接柱(7)与芯片本体(1)之间固定连接，所述连接条(6)的顶部开设有滑槽(8)，所述滑槽(8)的底壁开设有通槽(9)，所述通槽(9)的底壁开设有限位槽(10)，所述限位槽(10)设置有多个，均匀分布在通槽(9)的底壁，两个所述连接条(6)之间通过活动限位装置固定连接有U形挡件(11)。


2.根据权利要求1所述的一种防护性高的抗静电半导体芯片，其特征在于，所述活动限位装置包括固定在U形挡件(11)底部的固定柱(12)，所述固定柱(12)的底部固定连接有挡片...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建鸿，王昱凯，陈慧贞，陈宜萱，陈尹臻，
申请(专利权)人：合肥强友科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34