一种滤波器晶圆级封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体封装技术领域，公开了一种滤波器晶圆级封装结构。所述滤波器晶圆级封装结构包括滤波器晶圆、覆盖晶圆及微凸焊点，其中，滤波器晶圆包括基板，基板的上表面设置有功能区和多个焊垫，基板上开设有通孔，通孔内设置有Cu连接体，Cu连接体与所述焊垫电性连接，覆盖晶圆由硅片制成，覆盖晶圆通过胶水层粘合于基板的上表面，覆盖晶圆靠近基板的一侧开设有凹槽，功能区容纳于所述凹槽内，微凸焊点设置在所述基板下侧并与Cu连接体连接。本实用新型专利技术的滤波器晶圆级封装结构，结构简单、封装方便，且整体更轻薄，封装结构质量好。

【技术实现步骤摘要】
一种滤波器晶圆级封装结构
本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种滤波器晶圆级封装结构。
技术介绍
滤波器是一种选频装置，可以使信号中特定的频率成分通过，而极大地衰减其他频率成分，从而可以用于滤除干扰噪声。如图1所示，滤波器的晶圆级1′包括基板11′，基板11′的上表面上设置有功能区12′和焊垫13′，根据滤波器的性能和功能的需求，在对滤波器的晶圆级1′进行封装时，需要保证功能区12′位于一个空腔内。如图1所示，现有技术中，滤波器晶圆级封装结构包括图案化的支撑围堰2′，支撑围堰2′设置在基板11′上，支撑围堰2′上设置保护层3′，基板11′、支撑围堰12′及保护层3′共同围成封闭的容纳腔4′，功能区12′位于容纳腔4′内。现有技术中的滤波器晶圆级封装结构，一方面，支撑围堰通常采用干膜光刻工艺成型在基板上，其加工过程中容易造成功能区的污染，导致封装结构良品率低；另一方面，通过支撑围堰、保护层共同封装，工艺复杂、且获得的封装结构整体厚度较厚。因此，亟需一种滤波器晶圆级封装结构来解决上述技术问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种滤波器晶圆级封装结构，结构简单、封装方便，且整体更轻薄，封装结构质量好。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种滤波器晶圆级封装结构，包括：滤波器晶圆，包括基板，所述基板的上表面设置有功能区和多个焊垫，所述基板上开设有通孔，所述通孔内设置有Cu连接体，所述Cu连接体与所述焊垫电性连接；覆盖晶圆，由硅片制成，所述覆盖晶圆通过胶水层粘合于所述基板的上表面，所述覆盖晶圆靠近所述基板的一侧开设有凹槽，所述功能区容纳于所述凹槽内；微凸焊点，设置在所述基板下侧并与所述Cu连接体连接。可选地，所述微凸焊点与所述Cu连接体之间设置有球下金属层，所述微凸焊点通过所述球下金属层与所述Cu连接体电性连接。可选地，所述球下金属层包括镀Ni层和镀Au层，所述镀Ni层与所述Cu连接体连接，所述镀Au层设置在所述微凸焊点与所述镀Ni层之间。可选地，所述镀Ni层和所述镀Au层的厚度均为2μm～4μm。可选地，所述微凸焊点为锡球，所述微凸焊点焊接于所述球下金属层。可选地，所述通孔依次通过光刻工艺和干法刻蚀工艺成型；或所述通孔采用激光烧蚀方法成型。可选地，所述凹槽依次通过光刻工艺和干法刻蚀工艺成型；或所述凹槽采用激光烧蚀方法成型。可选地，所述Cu连接体通过电镀的方式成型于所述通孔内。可选地，所述基板的厚度为20μm～30μm；和/或所述覆盖晶圆的厚度为10μm～500μm。可选地，所述胶水层的厚度为0.1μm～100μm；和/或所述凹槽的深度为5μm-100μm。本技术有益效果为：本技术的滤波器晶圆级封装结构，硅片上直接加工凹槽形成覆盖晶圆，相当于一体成型了支撑围堰和保护层，整体结构简单、封装方便，且有利于降低封装结构的整体厚度；基板和覆盖晶圆均为硅材质，通过胶水层粘合后连接牢固、稳定，硅材料强度高，能进一步降低封装结构的整体厚度；凹槽可以在覆盖晶圆与基板粘合之前进行加工，因此不会对晶圆级上的功能区造成污染；此外，微凸焊点设置在基板的下侧，故Cu连接体只需要穿过基板上的通孔即可实现微凸焊点与焊垫之间的电性连接，加工方便、生产效率高。本技术的滤波器晶圆级封装结构，结构简单、封装方便，且整体更轻薄，封装结构质量好。附图说明图1是现有技术中的滤波器晶圆级封装结构的示意图；图2是本技术具体实施方式提供的滤波器晶圆级封装结构的示意图；图3是图2中的A处放大图。图4是本技术具体实施方式提供的覆盖晶圆的结构示意图；图5是本技术具体实施方式提供的覆盖晶圆与基板粘合状态的结构示意图；图6是本技术具体实施方式提供的滤波器晶圆级封装工艺中基板被减薄后的结构示意图；图7是本技术具体实施方式提供的滤波器晶圆级封装工艺中基板上开设有通孔的结构示意图；图8是本技术具体实施方式提供的滤波器晶圆级封装工艺中通孔内填充有Cu连接体的结构示意图；图9是本技术具体实施方式提供的滤波器晶圆级封装工艺中Cu连接体下侧镀有球下金属层的结构示意图；图10是本技术具体实施方式提供的滤波器晶圆级封装工艺中球下金属层上焊接有微凸焊点的结构示意图；图11是本技术具体实施方式提供的滤波器晶圆级封装工艺中基板下侧粘附有研磨胶带的结构示意图；图12是本技术具体实施方式提供的滤波器晶圆级封装工艺中覆盖晶圆减薄后的结构示意图；图13是本技术具体实施方式提供的滤波器晶圆级封装工艺中撕掉研磨胶带后的结构示意图。图中：1′-滤波器晶圆；11′-基板；12′-功能区；13′-焊垫；2′-支撑围堰；3′-保护层；4′-容纳腔；5′-微凸焊点；1-滤波器晶圆；11-基板；111-通孔；12-功能区；13-焊垫；2-覆盖晶圆；21-凹槽；3-胶水层；4-微凸焊点；5-Cu连接体；6-球下金属层；7-研磨胶带。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。本实施例提供了一种滤波器晶圆级封装结构，适用于FBAR滤波器(薄膜腔声谐振滤波器)的晶圆级和BAW滤波器(体声波滤波器)的晶圆级。如图2和图3所示，滤波器晶圆级封装结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括：/n滤波器晶圆(1)，包括基板(11)，所述基板(11)的上表面设置有功能区(12)和多个焊垫(13)，所述基板(11)上开设有通孔(111)，所述通孔(111)内设置有Cu连接体(5)，所述Cu连接体(5)与所述焊垫(13)电性连接；/n覆盖晶圆(2)，由硅片制成，所述覆盖晶圆(2)通过胶水层(3)粘合于所述基板(11)的上表面，所述覆盖晶圆(2)靠近所述基板(11)的一侧开设有凹槽(21)，所述功能区(12)容纳于所述凹槽(21)内；/n微凸焊点(4)，设置在所述基板(11)下侧并与所述Cu连接体(5)连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括：
滤波器晶圆(1)，包括基板(11)，所述基板(11)的上表面设置有功能区(12)和多个焊垫(13)，所述基板(11)上开设有通孔(111)，所述通孔(111)内设置有Cu连接体(5)，所述Cu连接体(5)与所述焊垫(13)电性连接；
覆盖晶圆(2)，由硅片制成，所述覆盖晶圆(2)通过胶水层(3)粘合于所述基板(11)的上表面，所述覆盖晶圆(2)靠近所述基板(11)的一侧开设有凹槽(21)，所述功能区(12)容纳于所述凹槽(21)内；
微凸焊点(4)，设置在所述基板(11)下侧并与所述Cu连接体(5)连接。


2.如权利要求1所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述微凸焊点(4)与所述Cu连接体(5)之间设置有球下金属层(6)，所述微凸焊点(4)通过所述球下金属层(6)与所述Cu连接体(5)电性连接。


3.如权利要求2所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述球下金属层(6)包括镀Ni层和镀Au层，所述镀Ni层与所述Cu连接体(5)连接，所述镀Au层设置在所述微凸焊点(4)与所述镀Ni层之间。


4.如权利要求3所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱其壮，李永智，吕军，赖芳奇，
申请(专利权)人：苏州科阳半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32