双芯片温度补偿的石英晶体振荡器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双芯片温度补偿的石英晶体振荡器，涉及移动通讯电子技术领域。它包括陶瓷基座、集成电路、石英晶片和外盖；陶瓷基座底部外表面为底面层，陶瓷基座底部内表面为第一放置层，陶瓷基座内壁由下至上依次包括连接层、第二放置层和密封层；集成电路包括第一集成电路和第二集成电路；石英晶片位于第二放置层上。本实用新型专利技术结构简单，体积小，可靠性高，且便于批量化生产。

【技术实现步骤摘要】
双芯片温度补偿的石英晶体振荡器
本技术涉及移动通讯电子
，更具体地说它是一种双芯片温度补偿的石英晶体振荡器。
技术介绍
市场上普遍的贴片温补石英晶体振荡器受限于集成电路中温度补偿模块和振荡模块设计的限制，只能使用石英晶片的基础频点，一般贴片温补石英晶体振荡器的频点范围为10M到50M。当客户需要更高频率的贴片晶振就只能选择频率温度稳定性比较差的普通石英晶体振荡。有厂家为满足客户需求，采用的是将一种能分频或倍频集成电路放置于陶瓷基座中，使用环氧树脂对集成电路进行覆盖起保护作用，再将能带温度补偿的集成电路和石英晶片组装于另外一个陶瓷基座中，再通过将前一个陶瓷基座顶面裸露的焊盘和后一个陶瓷基座底部的焊盘焊接在一起的方法。该设计方案导致温度补偿石英晶体振荡器产品整体厚度偏高，两个陶瓷基座通过焊接组装在一起容易产生多余物，且内部含有环氧树脂不能满足产品的密封性和高可靠性要求。因此，研发一种密封性强、可靠性更高的双芯片温度补偿的石英晶体振荡器很有必要的。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服上述
技术介绍
的不足之处，而提供一种双芯片温度补偿的石英晶体振荡器。为了实现上述目的，本技术的技术方案为：双芯片温度补偿的石英晶体振荡器，其特征在于：包括陶瓷基座、集成电路、石英晶片和外盖；所述陶瓷基座底部外表面为底面层，陶瓷基座底部内表面为第一放置层，陶瓷基座内壁由下至上依次包括连接层、第二放置层和密封层；所述陶瓷基座通过密封层与外盖焊接；所述集成电路包括第一集成电路和第二集成电路；所述第一集成电路和第二集成电路均位于第一放置层上，第一集成电路和第二集成电路均通过金丝与连接层连接；所述石英晶片位于第二放置层上。在上述技术方案中，所述底面层为矩形结构，底面层边缘逆时针设置有十个端口，底面层下长边间隔设置有第一端口、第二端口和第三端口，底面层右短边间隔设置有第四端口和第五端口，底面层上长边间隔设置有第六端口、第七端口和第八端口，底面层左短边间隔设置有第九端口和第十端口。在上述技术方案中，所述连接层为矩形结构，连接层上逆时针设有十一个连接管脚，连接层下部分间隔设置有第一管脚、第二管脚、第三管脚、第四管脚、第五管脚、第六管脚、第七管脚、第八管脚和第九管脚，连接层上部分间隔设置有第十管脚，第十一管脚，第十二管脚，第十三管脚，第十四管脚，第十五管脚。在上述技术方案中，所述第一集成电路通过金丝与第一管脚、第二管脚、第三管脚、第四管脚、第五管脚、第六管脚、第十二管脚，第十三管脚，第十四管脚，第十五管脚连接；所述第二集成电路通过金丝与第七管脚、第八管脚、第九管脚、第十管脚，第十一管脚连接。在上述技术方案中，所述第二放置层为矩形结构，第二放置层上有第一粘接点和第二粘接点；所述第一粘接点和第二粘接点对称设置于第二放置层左端的短边。在上述技术方案中，所述第一管脚连接第十端口，第二管脚连接第二粘接点，第三管脚连接第二端口，第四管脚连接第三端口，第五管脚连接第六管脚、第八管脚、第四端口、第一放置层和密封层，第七管脚连接第十二管脚和第七端口，第九管脚连接第十管脚和第五端口，第十一管脚连接第十三管脚和第九端口，第十四管脚连接第八端口，第十五管脚连接第一粘接点。在上述技术方案中，所述陶瓷基座厚度为1.2mm，外盖厚度小于0.2mm，底面层的尺寸为7×5mm。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：1)本技术将两个不同功能的集成电路放置于第一放置层中，将石英晶片放置于第二放置层中，通过内部各个管脚、端口和粘接点的连接，将石英晶片和集成电路的功能引脚连接并引出，形成完整的高精度宽频振荡补偿电路；。2)本技术整体厚度不到1.4mm,体较小，厚度薄，能够满足小型化生产要求。3)本技术表面无裸露元器件，提高了产品的密封性与可靠性。4)本技术结构简单，体积小，可靠性高，且便于批量化生产。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为本技术的俯视剖视图。图3为本技术陶瓷基座的俯视图。具体实施方式下面结合附图详细说明本技术的实施情况，但它们并不构成对本技术的限定，仅作举例而已。同时通过说明使本技术的优点将变得更加清楚和容易理解。参阅附图可知：双芯片温度补偿的石英晶体振荡器，其特征在于：包括陶瓷基座1、集成电路2、石英晶片3和外盖4；所述陶瓷基座1底部外表面为底面层11，陶瓷基座1底部内表面为第一放置层12，陶瓷基座1内壁由下至上依次包括连接层13、第二放置层14和密封层15；所述陶瓷基座1通过密封层15与外盖4焊接；所述集成电路2包括第一集成电路21和第二集成电路22；所述第一集成电路21和第二集成电路22均位于第一放置层12上，第一集成电路21和第二集成电路22均通过金丝23与连接层13连接；所述石英晶片3位于第二放置层14上。所述底面层11为矩形结构，底面层11边缘逆时针设置有十个端口，底面层11下长边间隔设置有第一端口111、第二端口112和第三端口113，底面层11右短边间隔设置有第四端口114和第五端口115，底面层11上长边间隔设置有第六端口116、第七端口117和第八端口118，底面层11左短边间隔设置有第九端口119和第十端口1110。所述连接层13为矩形结构，连接层13上逆时针设有十一个连接管脚，连接层13下部分间隔设置有第一管脚131、第二管脚132、第三管脚133、第四管脚134、第五管脚135、第六管脚136、第七管脚137、第八管脚138和第九管脚139，连接层13上部分间隔设置有第十管脚1310，第十一管脚1311，第十二管脚1312，第十三管脚1313，第十四管脚1314，第十五管脚1315。所述第一集成电路21通过金丝23与第一管脚131、第二管脚132、第三管脚133、第四管脚134、第五管脚135、第六管脚136、第十二管脚1312，第十三管脚1313，第十四管脚1314，第十五管脚1315连接；所述第二集成电路22通过金丝23与第七管脚137、第八管脚138、第九管脚139、第十管脚1310，第十一管脚1311连接。所述第二放置层14为矩形结构，第二放置层14上有第一粘接点141和第二粘接点142；所述第一粘接点141和第二粘接点142对称设置于第二放置层14左端的短边。所述第一管脚131连接第十端口1110，第二管脚132连接第二粘接点142，第三管脚133连接第二端口112，第四管脚134连接第三端口113，第五管脚135连接第六管脚136、第八管脚138、第四端口114、第一放置层12和密封层15，第七管脚137连接第十二管脚1312和第七端口117，第九管脚139连接第十管脚1310和第五端口115，第十一管脚1311连接第十三管脚1313和第九端口119，第十四管脚1314连接第八端口118，第十五管脚1315连接第一粘接点141。所述陶瓷基座本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.双芯片温度补偿的石英晶体振荡器，其特征在于：包括陶瓷基座(1)、集成电路(2)、石英晶片(3)和外盖(4)；所述陶瓷基座(1)底部外表面为底面层(11)，陶瓷基座(1)底部内表面为第一放置层(12)，陶瓷基座(1)内壁由下至上依次包括连接层(13)、第二放置层(14)和密封层(15)；所述陶瓷基座(1)通过密封层(15)与外盖(4)焊接；/n所述集成电路(2)包括第一集成电路(21)和第二集成电路(22)；所述第一集成电路(21)和第二集成电路(22)均位于第一放置层(12)上，第一集成电路(21)和第二集成电路(22)均通过金丝(23)与连接层(13)连接；/n所述石英晶片(3)位于第二放置层(14)上。/n

【技术特征摘要】
1.双芯片温度补偿的石英晶体振荡器，其特征在于：包括陶瓷基座(1)、集成电路(2)、石英晶片(3)和外盖(4)；所述陶瓷基座(1)底部外表面为底面层(11)，陶瓷基座(1)底部内表面为第一放置层(12)，陶瓷基座(1)内壁由下至上依次包括连接层(13)、第二放置层(14)和密封层(15)；所述陶瓷基座(1)通过密封层(15)与外盖(4)焊接；
所述集成电路(2)包括第一集成电路(21)和第二集成电路(22)；所述第一集成电路(21)和第二集成电路(22)均位于第一放置层(12)上，第一集成电路(21)和第二集成电路(22)均通过金丝(23)与连接层(13)连接；
所述石英晶片(3)位于第二放置层(14)上。


2.根据权利要求1所述的双芯片温度补偿的石英晶体振荡器，其特征在于：所述底面层(11)为矩形结构，底面层(11)边缘逆时针设置有十个端口，底面层(11)下长边间隔设置有第一端口(111)、第二端口(112)和第三端口(113)，底面层(11)右短边间隔设置有第四端口(114)和第五端口(115)，底面层(11)上长边间隔设置有第六端口(116)、第七端口(117)和第八端口(118)，底面层(11)左短边间隔设置有第九端口(119)和第十端口(1110)。


3.根据权利要求1或2所述的双芯片温度补偿的石英晶体振荡器，其特征在于：所述连接层(13)为矩形结构，连接层(13)上逆时针设有十一个连接管脚，连接层(13)下部分间隔设置有第一管脚(131)、第二管脚(132)、第三管脚(133)、第四管脚(134)、第五管脚(135)、第六管脚(136)、第七管脚(137)、第八管脚(138)和第九管脚(139)，连接层(13)上部分间隔设置有第十管脚(1310)，第十一管脚(1311)，第十二管脚(1312)，第十三管脚(1313)，第十四管脚(1314)，第十五管脚(1315)...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文新，李松，张亚芳，严翠红，邱海，谢梦良，
申请(专利权)人：武汉海创电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42