蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统，能够相对于掩模的蚀刻提高基片内的区域的蚀刻的选择性，提高在该区域形成的开口的垂直性。例示的实施方式蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有至少部分地由氧化硅形成的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。膜以能够将规定开口的侧壁面的形状修正为垂直的形状的方式形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统
本专利技术例示的实施方式涉及蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。
技术介绍
为了在基片内的膜形成开口，能够使用等离子体蚀刻。专利文献1公开了硅氧化物膜的等离子体蚀刻。硅氧化物膜用来自由碳氟化合物气体形成的等离子体的化学种进行蚀刻。在硅氧化物膜的蚀刻中，碳氟化合物在规定开口的侧壁面上沉积，抑制硅氧化物膜的横向上的蚀刻。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2019-050305号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供相对于掩模的蚀刻提高基片内的区域的蚀刻的选择性，提高在该区域形成的开口的垂直性的技术。用于解决技术问题的技术方案在一个例示的实施方式中，提供一种蚀刻方法。蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有至少部分地由氧化硅形成的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。膜修正掩模的形状，使得在对区域进行蚀刻的步骤中提高在该区域形成的开口的垂直性。专利技术效果依照一个例示的实施方式，能够相对于掩模的蚀刻提高基片内的区域的蚀刻的选择性，提高在该区域形成的开口的垂直性。附图说明图1是一个例示的实施方式的蚀刻方法的流程图。图2是一个例子的基片的局部放大截面图。图3是概要地表示一个例示的实施方式的基片处理装置的图。图4是一个例示的实施方式的基片处理装置中的静电吸盘的放大截面图。图5是在一个例示的实施方式的蚀刻方法中能够使用的成膜方法的流程图。图6的(a)是形成了前体层后的状态下的一个例子的基片的局部放大截面图。图6的(b)是形成了膜PF后的状态下的一个例子的基片的局部放大截面图。图7的(a)是用于说明图1所示蚀刻方法的步骤ST2的例子的图，图7的(b)是执行了步骤ST2后的状态下的一个例子的基片的局部放大截面图。图8是表示一个例示的实施方式的基片处理系统的图。附图标记说明1……等离子体处理装置；10……腔室；16……基片支承器；GS……气体供给部；80……控制部；W……基片；RE……区域；MK……掩模。具体实施方式下面，对各种例示的实施方式进行说明。在一个例示的实施方式中，提供一种蚀刻方法。蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有至少部分地由氧化硅形成的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。膜修正掩模的形状，使得在对区域进行蚀刻的步骤中提高在该区域形成的开口的垂直性。在上述实施方式的蚀刻方法中，形成于基片上的膜在区域的蚀刻开始时保护掩模。因此，依照上述实施方式的蚀刻方法，能够提高基片的区域的蚀刻相对于掩模的蚀刻的选择性。此外，由于掩模的形状被膜修正，因此通过蚀刻在区域形成的开口的垂直性变高。在一个例示的实施方式中，也可以为，膜以从基片的上端起沿开口的深度方向而其厚度减少的方式形成。在一个例示的实施方式中，也可以为，交替地反复进行形成膜的步骤和对区域进行蚀刻的步骤。在一个例示的实施方式中，也可以为，形成膜的步骤包括：通过将第一气体供给到基片而在基片上形成前体层的步骤；和通过将第二气体供给到前体层而由前体层形成膜的步骤。在一个例示的实施方式中，也可以为，基片的区域包含硅氧化物膜。在一个例示的实施方式中，也可以为，基片的区域包含交替地层叠的一个以上的硅氧化物膜和一个以上的硅氮化物膜。在一个例示的实施方式中，也可以为，基片的区域包含交替地层叠的一个以上的硅氧化物膜和一个以上的多晶硅膜。在一个例示的实施方式中，也可以为，基片的区域包含层叠的一个以上的硅氧化物膜、一个以上的硅氮化物膜和一个以上的多晶硅膜。在一个例示的实施方式中，也可以为，掩模由硅、含碳材料或含金属材料形成。在另一个例示的实施方式中，提供基片处理装置。基片处理装置包括腔室、气体供给部和控制部。气体供给部能够对腔室内供给气体。控制部控制气体供给部来对腔室内供给气体，以在基片上形成膜。基片具有至少部分地由氧化硅形成的区域和掩模。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。膜以通过修正掩模的形状而能够提高通过蚀刻在区域形成的开口的垂直性的方式形成。控制部控制气体供给部来对腔室内供给气体，以蚀刻基片的区域。在又一个例示的实施方式中，提供基片处理系统。基片处理系统包括成膜装置和基片处理装置。成膜装置能够在基片上形成膜。基片具有至少部分地由氧化硅形成的区域和掩模。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。膜以通过修正掩模的形状而能够提高通过蚀刻在区域形成的开口的垂直性的方式形成。基片处理装置能够蚀刻基片的区域。下面，参照附图，对各种例示的实施方式详细地进行说明。此外，在各附图中对相同或者相应的部分标注相同的附图标记。图1是一个例示的实施方式的蚀刻方法的流程图。执行图1所示的蚀刻方法(以下称为“方法MT”)以蚀刻基片内的区域。图2是一个例子的基片的局部放大截面图。图2所示的基片W具有区域RE和掩模MK。基片W还可以具有基底区域UR。区域RE是在方法MT中要蚀刻的区域。在图2所示的基片W中，区域RE形成于基底区域UR上。掩模MK形成于区域RE上。掩模MK被图案化。即，掩模MK提供使区域RE部分地露出的一个以上的开口OP。掩模MK提供的开口OP的宽度例如可以为100nm以下。区域RE至少部分地由氧化硅形成。在基片W的第一例中，区域RE也可以包含硅氧化物膜。在基片W的第一例中，区域RE也可以由一个硅氧化物膜形成。在基片W的第二例中，区域RE也可以包含交替地层叠的一个以上的硅氧化物膜和一个以上的硅氮化物膜。在基片W的第二例中，区域RE也可以包含一个硅氧化物膜和一个硅氮化物膜。一个硅氮化物膜能够设置在一个硅氧化物膜与掩模MK之间。在基片W的第三例中，区域RE也可以包含交替地层叠的一个以上的硅氧化物膜和一个以上的多晶硅膜。在基片W的第四例中，区域RE也可以包含层叠的一个以上的硅氧化物膜、一个以上的硅氮化物膜和一个以上的多晶硅膜。掩模MK只要在后述的步骤ST2中能够相对于掩模MK选择性地蚀刻区域RE，就可以由任意材料形成。掩模MK能够由硅、含碳材料或者含金属材料形成。掩模MK中包含的硅例如为多晶硅或非晶硅。掩模MK中包含的含碳材料例如为非晶碳或旋涂碳材料。掩模MK中包含的含金属材料例如为钨、碳化钨或氮化钛。在一个实施方式中，方法MT使用基片处理装置执行。图3是概要地表示一个例示的实施方式的基片处理装置的图。图3所示的基片处理装置是电容耦合型的等离子体处理装置1。等离子体处理装置1具有腔室10。腔室10在其中提供有内部空间10s。腔室10的中心轴线是在铅垂方向上延伸的轴线AX。在一个实施方式中，腔室10包含腔室主体12。腔室主体1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：/n在基片的表面上形成膜的步骤，该基片具有至少部分地由氧化硅形成的区域和掩模，该掩模设置于所述区域上并提供使该区域部分地露出的开口，该膜由与所述区域的材料相同种类的材料形成；和/n蚀刻所述区域的步骤，/n所述膜修正所述掩模的形状使得在蚀刻所述区域的所述步骤中提高在所述区域形成的开口的垂直性。/n

【技术特征摘要】
20200129 JP 2020-0122411.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：
在基片的表面上形成膜的步骤，该基片具有至少部分地由氧化硅形成的区域和掩模，该掩模设置于所述区域上并提供使该区域部分地露出的开口，该膜由与所述区域的材料相同种类的材料形成；和
蚀刻所述区域的步骤，
所述膜修正所述掩模的形状使得在蚀刻所述区域的所述步骤中提高在所述区域形成的开口的垂直性。


2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述膜以从所述基片的上端起沿所述开口的深度方向而其厚度减少的方式形成。


3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：
交替地反复进行形成膜的所述步骤和蚀刻所述区域的所述步骤。


4.如权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
形成膜的所述步骤包括：
通过将第一气体供给到基片而在所述基片上形成前体层的步骤；和
通过将第二气体供给到所述前体层而由所述前体层形成所述膜的步骤。


5.如权利要求1～4中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述区域包含硅氧化物膜。


6.如权利要求1～4中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述区域包含交替地层叠的一个以上的硅氧化物膜和一个以上的硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：笹川大成，户村幕树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP