显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:29464175 阅读:10 留言:0更新日期:2021-07-27 17:43
本发明专利技术公开了一种显示面板及显示装置,其包括电性连接的开关晶体管以及驱动晶体管;所述显示面板还包括:第一金属层,包括位于所述开关晶体管的氧化物有源层下的隔离层,以及所述驱动晶体管的第一驱动栅极;相较于现有技术,本发明专利技术提高了氧化物有源层的稳定性,提高了开关晶体管的稳定性,进而提高了显示面板的显示效果。

Display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示装置。
技术介绍
近年来,随着显示技术的发展,OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)由于其高对比度、高亮度以及色彩鲜艳等特点被越来越多厂商青睐,同时也促进OLED技术在显示领域得到了大幅的发展。但是随着移动设备和可穿戴显示方案的发展及目前电池高能量密度方案暂无关键性突破。使得人们对显示设备功耗要求越来越高。目前OLED小尺寸主要的两大背板技术是LTPS(LowTemperaturePolySi,低温多晶硅)和IGZO(indiumgalliumzincoxide,铟镓锌氧化物),但是由于IGZO正面均一性较难控制,而LTPS载流子迁移率较大,存在漏电流较高的问题,因此LTPO(LowTemperaturePolycrystalline-SiOxide)低温多晶氧化物技术应运而生。它结合了LTPS和IGZO两者的优点,形成了一种响应速度快,功耗更低的LTPO解决方案。但是,由于IGZO器件中的有源层为氧化物,较为敏感,容易受到邻近膜层离子渗透以及外部光照的影响,使得器件电性发生漂移,进而影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种显示面板及显示装置,能够解决现有技术中,由于IGZO器件中的氧化物有源层容易受到邻近膜层离子渗透以及外部光照的影响,使得器件电性发生漂移,进而影响显示效果的技术问题。为解决上述技术问题,本专利技术实施例提供一种显示面板,其包括电性连接的开关晶体管以及驱动晶体管;所述显示面板还包括:第一金属层,包括位于所述开关晶体管的氧化物有源层下的隔离层,以及所述驱动晶体管的第一驱动栅极,其中,所述隔离层与所述氧化物有源层具有重叠部分。在本专利技术的一种实施例中,所述氧化物有源层在所述第一金属层上的正投影位于所述隔离层的覆盖范围之内。在本专利技术的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述第一金属层上的第二金属层,且所述第二金属层包括所述开关晶体管的第一开关栅极以及所述驱动晶体管的第二驱动栅极,其中,所述第一开关栅极位于所述氧化物有源层和所述隔离层之间。在本专利技术的一种实施例中,所述第一开关栅极与所述隔离层通过过孔电性连接。在本专利技术的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述第一金属层下的第二金属层,且所述第二金属层包括所述驱动晶体管的第二驱动栅极,且所述第一驱动栅极与所述第二驱动栅极皆位于所述驱动晶体管的多晶硅有源层上。在本专利技术的一种实施例中,所述隔离层为所述开关晶体管的第一开关栅极。在本专利技术的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述第一金属层上的第三金属层,且所述第三金属层包括所述开关晶体管的开关源极与开关漏极,所述开关源极与所述开关漏极设置于所述氧化物有源层上,并与所述氧化物有源层两侧搭接。在本专利技术的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述第一金属层与所述第三金属层之间的第四金属层,且所述第四金属层包括所述开关晶体管的第二开关栅极,且所述第二开关栅极位于所述氧化物有源层上。在本专利技术的一种实施例中,所述开关源极在所述氧化物有源层上的正投影、所述开关漏极在所述氧化物有源层上的正投影以及所述第二开关栅极在所述氧化物有源层上的正投影相连接并覆盖所述氧化物有源层。根据本专利技术的上述目的,提供一种显示装置,所述显示装置包括所述显示面板。本专利技术的有益效果:本专利技术通过在开关晶体管的氧化物有源层下方设置隔离层,以隔离来自氧化物有源层下方的离子渗透以及光照影响,进而可以提高氧化物有源层的稳定性,提高显示面板的显示效果,且该隔离层与驱动晶体管的第一驱动栅极同层制备,进而可以节省工艺工序,节省成本。附图说明下面结合附图,通过对本专利技术的具体实施方式详细描述,将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图;图2为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;图3为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;图4为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;图5为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。在本专利技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本专利技术。此外,本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。本专利技术实施例针对现有的显示面板及显示装置,在LTPO技术中,由于IGZO器件中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括电性连接的开关晶体管以及驱动晶体管;/n所述显示面板还包括:/n第一金属层,包括位于所述开关晶体管的氧化物有源层下的隔离层,以及所述驱动晶体管的第一驱动栅极,其中,所述隔离层与所述氧化物有源层具有重叠部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括电性连接的开关晶体管以及驱动晶体管;
所述显示面板还包括:
第一金属层,包括位于所述开关晶体管的氧化物有源层下的隔离层,以及所述驱动晶体管的第一驱动栅极,其中,所述隔离层与所述氧化物有源层具有重叠部分。


2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述氧化物有源层在所述第一金属层上的正投影位于所述隔离层的覆盖范围之内。


3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述第一金属层上的第二金属层,且所述第二金属层包括所述开关晶体管的第一开关栅极以及所述驱动晶体管的第二驱动栅极,其中,所述第一开关栅极位于所述氧化物有源层和所述隔离层之间。


4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一开关栅极与所述隔离层通过过孔电性连接。


5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述第一金属层下的第二金属层,且所述第二金属层包括所述驱动晶体管的第二驱动栅极,且所述第一驱动栅极与所述第二驱动栅极皆...

【专利技术属性】
技术研发人员:王俊
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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