一种蒸镀曲面源、及蒸镀系统技术方案

本发明专利技术涉及一种蒸镀曲面源、及蒸镀系统，包括：一具有一定曲率的凹曲面、以及环绕在所述凹曲面外侧的边缘；其中，所述凹曲面的曲率半径大于所述凹曲面在水平方向上的直径的一半。有益效果：通过根据本发明专利技术的圆形曲面源沉积系统，与传统的表面蒸发源相比，可以以更接近垂直的角度进行蒸发，从而形成无阴影的高精度高分辨率的有机薄膜。

Evaporation curved surface source, and evaporation system

【技术实现步骤摘要】
一种蒸镀曲面源、及蒸镀系统
本专利技术涉及蒸镀设备
，尤其是涉及一种蒸镀曲面源、及蒸镀系统。
技术介绍
OLED微型显示器件是一种高分辨率自发光显示器件，其应用和市场前景已经在世界范围内得到了证实。近年来，随着虚拟现实(VR)、增强现实(AR)、混合现实(MR)市场的不断扩大，人们对于高分辨率微OLED的需求也日益突出。因此，需要一种更精细的OLED有机薄膜图案化技术。然而，在高真空状态下将有机发光材料蒸发成气体并将有机材料沉积在硅基底上的热蒸发沉积技术是OLED微型显示器件的关键工艺技术。在传统的热蒸发沉积工艺中，有机物喷射孔是点状或线性状的，因此OLED器件需要耗费大量的时间。特别是，有机材料从喷射孔中喷射出在热蒸发沉积中出现阴影，限制了更高分辨率OLED的生产。然而，有机材料从正方形或各种类型的表面源蒸发到圆形硅基底会造成有机材料的浪费，并且也会增加沉积在腔室壁上的残余有机气体分子。这是因为蒸发的有机气体分子和残留的有机气体分子相互碰撞，导致有机气体分子的散射，从而导致了有机材料不能垂直沉积在硅基底上，结果，在硅基底上产生不均匀的阴影效应。因此，本专利技术提出了能够使用于大规模生产高分辨率OLED微型显示器件的蒸镀曲面源、及蒸镀系统。
技术实现思路
本专利技术提供一种蒸镀曲面源、及蒸镀系统，以解决现有技术中蒸镀效果差、沉积不均匀的问题。本专利技术所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种蒸镀曲面蒸发源，包括：一具有一定曲率的凹曲面、以及环绕在所述凹曲面外侧的边缘；所述凹曲面的曲率半径大于所述凹曲面在水平方向上的直径的一半；所述凹曲面的高斯曲率计算如下式所得：其中k1，k2为该点的两个主法曲率，E，G，F为第一类基本量，L，N，M为第二类基本量。在一些实施例中，在水平方向上，所述凹曲面的截面的最大面积不小于基底的面积。在一些实施例中，所述凹曲面的深度应≥20mm。本专利技术还提出了一种蒸镀系统，包括：支架，用以固定待沉积的基底；掩膜版，置于所述基底的下方，所述掩膜版上开设有可使蒸发分子通过的图形化开口；如前述的蒸发源，置于所述掩膜版的下方，在所述蒸发源的凹曲面内置有待蒸镀的有机材料；加热装置，置于所述蒸发源的下方，用以加热所述蒸发源直至所述蒸发源内的有机材料蒸发。在一些实施例中，所述掩膜版由金属材料制成，所述金属材料为无放气的纯金属材料，如钛、钽等。在一些实施例中，所述蒸发源由金属材料制成，所述金属材料为无放气的纯金属材料，如钛、钽等。在一些实施例中，所述加热装置为电加热装置，所述电加热装置的形态与所述蒸发源的凹曲面的曲率一致。在一些实施例中，所述电加热装置包括呈螺旋状排列的电阻丝。在一些实施例中，所述加热装置的加热温度区间为50-300℃，加热速率为1～10℃/s。在一些实施例中，所述有机材料的厚度为100-10000A。在一些实施例中，所述蒸发源与基底的间距为10-300mm。在一些实施例中，所述支架成阶梯状，在所述支架内设有容纳所述基底和掩膜版的腔室，在所述基底的上部压盖有一磁力板，在所述磁力板的磁力作用下，使得所述基底和掩膜版保持紧密接触。在一些实施例中，所述磁力板为电磁铁板，在通电后产生磁力。在一些实施例中，所述蒸镀系统在沉积过程的真空度为10-4～10-7Torr。本专利技术具有的有益效果是：通过根据本专利技术的圆形曲面源沉积系统，与传统的表面蒸发源相比，可以以更接近垂直的角度进行蒸发，从而形成无阴影的高精度高分辨率的有机薄膜。此外，有机材料在所述的圆形曲面源蒸发后，由于边缘效应的影响，聚集在圆形曲面源的中心部位受热蒸发沉积，在腔室中几乎没有残留气体分子附着。在这种超高分辨率的工艺中，可以用较小的工艺成本制造出高分辨率的OLED微型显示器件。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施方案或现有技术中的技术方案，下面将对实施方案或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施方案，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术：一种蒸镀曲面蒸发源的结构示意图；图2为本专利技术：一种蒸镀曲面蒸发源的剖面结构示意图；图3为本专利技术：一种蒸镀系统的结构示意图；图4为本专利技术蒸镀系统的蒸发源的结构示意图；图5为本专利技术蒸镀系统的加热装置的结构示意图。其中：100-蒸发源、101-凹曲面、102-边缘、200-支架、300-掩膜版、400-加热装置、500-有机材料、600-磁力板、99-基底。具体实施方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本专利技术。实施例1参照图1-2所示，一种蒸镀曲面蒸发源100，包括：一具有一定曲率的凹曲面101、以及环绕在凹曲面101外侧的边缘102；其中，凹曲面101的曲率半径大于凹曲面101在水平方向上的直径的一半。凹曲面101的高斯曲率计算如下式所得：其中k1，k2为该点的两个主法曲率，E，G，F为第一类基本量，L，N，M为第二类基本量。上述的公式为高斯曲率绝妙定理，具体用法在此不再赘述，也就是说，凹曲面101呈现为内凹的曲面结构，并且内凹面呈现近似的平面结构。为了能够实现更多更接近垂直角度的蒸发，在水平方向上，凹曲面101的截面的最大面积不小于基底的面积，凹曲面101的深度不低于20mm。通过根据本专利技术的圆形曲面蒸发源，与传统的表面蒸发源相比，可以以更接近垂直的角度进行蒸发，从而形成无阴影的高精度高分辨率的有机薄膜。实施例2参照图3-5所示，本专利技术还提出了一种蒸镀系统，包括：支架200、掩膜版300、如实施例1的蒸发源100、以及加热装置400。其中，支架200用以固定待沉积的基底99；掩膜版300置于基底99的下方，掩膜版300上开设有可使蒸发分子通过的图形化开口；蒸发源100置于掩膜版300的下方，在蒸发源100的凹曲面101内置有待蒸镀的有机材料500，有机材料500的厚度为100-10000A，蒸发源100与基底99的间距为10-300mm。加热装置400置于蒸发源100的下方，用以加热蒸发源100直至蒸发源100内的有机材料500蒸发。本专利技术中的加热装置400为电加热装置400，电加热装置400的形态与蒸发源100的凹曲面101的曲率一致，其中，电加热装置400包括呈螺旋状排列的电阻丝，必要时，可以通过调节在圆形曲面源的边缘102部分和中心部分的加热线疏密来调整热均匀性。加热装置400的加热温度区间为50-300℃，加热速率为1～10℃/s。蒸镀系统在沉积过程的真空度为10-4～10-7Torr。本专利技术中的掩膜版300由金属材料制成，金属材料为无放气的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸镀曲面蒸发源，其特征在于，包括：一具有一定曲率的凹曲面、以及环绕在所述凹曲面外侧的边缘；/n所述凹曲面的曲率半径大于所述凹曲面在水平方向上的直径的一半；/n所述凹曲面的高斯曲率计算如下式所得：/n

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀曲面蒸发源，其特征在于，包括：一具有一定曲率的凹曲面、以及环绕在所述凹曲面外侧的边缘；
所述凹曲面的曲率半径大于所述凹曲面在水平方向上的直径的一半；
所述凹曲面的高斯曲率计算如下式所得：



其中k1，k2为该点的两个主法曲率，E，G，F为第一类基本量，L，N，M为第二类基本量。


2.根据权利要求1所述的一种蒸镀曲面蒸发源，其特征在于，在水平方向上，所述凹曲面的截面的最大面积不小于基底的面积。


3.根据权利要求1所述的一种蒸镀曲面蒸发源，其特征在于，所述凹曲面的深度应≥20mm。


4.一种蒸镀系统，其特征在于，包括：
支架，用以固定待沉积的基底；
掩膜版，置于所述基底的下方，所述掩膜版上开设有可使蒸发分子通过的图形化开口；
如权利要求1-3任意一项权利要求所述蒸发源，置于所述掩膜版的下方，在所述蒸发源的凹曲面内置有待蒸镀的有机材料；
加热装置，置于所述蒸发源的下方，用以加热所述蒸发源直至所述蒸发源内的有机材料蒸发。


5.根据权利要求4所述的一种蒸镀系统，其特征在于，所述掩膜版由金属材料制成，所述金属材料为无放气的...

【专利技术属性】
技术研发人员：茆胜，
申请(专利权)人：睿馨珠海投资发展有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44