使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法技术

本发明专利技术涉及一种使用纳米结构材料制造传输线的方法。该使用纳米结构材料制造传输线的方法包括：在由纳米氟隆形成的第一纳米氟隆层上方定位第一绝缘层；在所述第一绝缘层上方形成第一导电层；蚀刻所述第一导电层以形成发送或接收信号的第一图案；以及在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地(GND)层，其中，纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。根据本发明专利技术，通过在高电压下静电纺丝树脂而形成的纳米结构材料被用作传输线的电介质，使得传输线的电介质具有低介电常数并且能够在低介电常数状态下减小损耗正切值。此外，根据本发明专利技术的使用纳米结构材料的传输线可以用作低损耗扁平电缆，用于降低在五代移动通信网络(5G Network)中使用的从3.5GHz频带到28GHz频带中超高频信号的传输损耗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法
本专利技术涉及一种传输线，更具体地，涉及一种使用通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料来制造传输线的方法。
技术介绍
为了以低损耗传输或处理超高频信号，低损耗和高性能传输线是必要的。通常，传输线处的损耗大致分为由金属引起的导体损耗和由电介质引起的介电损耗。特别地，当电介质的介电常数较高时，由电介质引起的损耗增加，并且当电阻较大时，功率损耗增加。因此，为了制造用于传输超高频信号的低损耗和高性能传输线，必须使用具有低介电常数和小损耗正切的材料。特别地，为了有效地发送在5G移动通信网络中使用的具有3.5GHz频带到28GHz频带中的频率的信号，甚至在超高频带中具有低损耗的传输线和天线的重要性也越来越增加。
技术实现思路
技术问题本专利技术旨在提供一种使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法，该纳米结构材料具有低介电常数并且能够在该低介电常数下减小损耗正切值，以减小由电介质引起的传输线损耗，从而满足低损耗和高性能传输线的需要。技术方案根据本专利技术的一个方面，提供了一种使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法。该方法包括：在包括纳米氟隆的第一纳米氟隆层上方定位第一绝缘层；在所述第一绝缘层上方形成第一导电层；通过蚀刻所述第一导电层形成发送和接收信号的第一图案；以及在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地层。这里，纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法。该方法包括：在第一绝缘层上形成第一导电层；在包括纳米氟隆的第一纳米氟隆层上方定位所述第一绝缘层；通过蚀刻所述第一导电层形成发送和接收信号的第一图案；以及在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地层。这里，纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。形成所述第一图案可以包括通过蚀刻所述第一导电层形成接地线和信号线。所述方法可进一步包括：在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上定位第二纳米氟隆层并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及在所述第二纳米氟隆层上定位第二接地层。所述方法可进一步包括：在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上定位第二纳米氟隆层并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；在所述第二纳米氟隆层上定位第二接地层；在所述第二接地层上定位第三纳米氟隆层；在所述第三纳米氟隆层上定位第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成第二导电层；以及通过蚀刻所述第二导电层形成发送和接收信号的第二图案。形成所述第二图案可以包括通过蚀刻所述第二导电层形成信号传输线和接地端子。所述方法可进一步包括：在形成于所述第二绝缘层上的所述第二图案上定位第四纳米氟隆层并且所述第二绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及在所述第四纳米氟隆层上定位第三接地层。可通过使用粘合带或粘合剂或使用其中将热施加到粘合带上的热粘合的粘合来进行定位。有益效果根据本专利技术的实施例，在使用纳米结构材料制造传输线的方法中，通过将在高电压下静电纺丝树脂形成的纳米结构材料用作传输线的电介质，可以使得作为传输线的电介质的介电常数低，并且损耗正切值可以在低介电常数下减小。特别地，根据本专利技术的实施例的根据制造传输线的方法制造的传输线可以用作低损耗扁平电缆，用于降低五代(5G)移动通信网络中使用的从3.5GHz到28GHz的频带中高频信号的传输损耗。附图说明图1示出了一种通过静电纺丝制造纳米氟隆的设备的示例；图2示出了带状线传输线的示例；图3是示出根据本专利技术的使用传输线制造方法制造的传输线的第一实施例的横截面视图；图4是示出根据本专利技术的根据传输线制造方法的与第一纳米氟隆层的粘合的传输线的横截面视图；图5是示出根据本专利技术的使用传输线制造方法制造的传输线的第二实施例的横截面视图；图6是示出根据本专利技术的使用传输线制造方法制造的传输线的第三实施例的横截面视图；图7是示出根据本专利技术的根据传输线制造方法的与第二纳米氟隆层610的粘合的传输线的横截面视图；图8是示出根据本专利技术的使用传输线制造方法制造的传输线的第四实施例的横截面视图；图9是示出根据本专利技术的使用传输线制造方法制造的传输线的第五实施例的横截面视图；图10是示出根据本专利技术的使用传输线制造方法制造的传输线的第六实施例的横截面视图；图11示出了根据本专利技术的使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法的第一实施例；图12示出了根据本专利技术的使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法的第二实施例；图13示出了根据本专利技术的使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法的第三实施例；图14示出了根据本专利技术的使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法的第四实施例；图15示出了根据本专利技术的使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法的第五实施例；图16示出了根据本专利技术的使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法的第六实施例；图17a、图17b和图17c示出了根据本专利技术的使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法的第七实施例；图18a、图18b、18c和图18d示出了根据本专利技术的使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法的第八实施例；图19a和图19b示出了根据本专利技术的使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法的第九实施例；以及图20a和图20b示出了根据本专利技术的使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法的第十实施例。具体实施方式在下文中，将参考所附附图详细描述本专利技术的示例性实施方式。由于说明书中公开的实施例和附图中示出的部件仅仅是本专利技术的示例性实施例，并且不表示本专利技术的技术概念的整体，应当理解，在本申请提交时可以存在能够替代实施例和部件的各种等同物和修改。首先，将描述在根据本专利技术的使用纳米结构材料的传输线中使用的纳米结构材料。纳米结构材料是指通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的材料，在本文中将其称为纳米氟隆。图1示出了一种通过静电纺丝制造纳米氟隆的设备的示例。当将包括聚合物的聚合物溶液注入注射器中并且施加高电压并且聚合物溶液以一定速度流入注射器和在其上进行纺丝的基板之间时，由于表面张力将电施加到从毛细管末端悬浮的液体上，纳米尺寸的线形成，并且随着时间的推移，作为纳米结构材料的非织造纳米纤维累积。通过如上所述累积纳米纤维形成的材料是纳米氟隆。作为用于静电纺丝的聚合物材料，例如有聚氨酯(PU)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、尼龙(聚酰胺)、聚丙烯腈(PAN)等。由于低介电常数和大量空气，纳米氟隆可以用作传输线的电介质。图2示出了带状线传输线200的示例。参照图2，带状线传输线200可以包括发送信号的信号线210、围绕信号线210的电介质220以及用作外屏蔽的导体230。图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法，该方法包括：/n在包括纳米氟隆的第一纳米氟隆层上方定位第一绝缘层；/n在所述第一绝缘层上方形成第一导电层；/n通过蚀刻所述第一导电层形成发送和接收信号的第一图案；以及/n在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地层，/n其中，所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180831 KR 10-2018-01039231.一种使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法，该方法包括：
在包括纳米氟隆的第一纳米氟隆层上方定位第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上方形成第一导电层；
通过蚀刻所述第一导电层形成发送和接收信号的第一图案；以及
在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地层，
其中，所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。


2.一种使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法，该方法包括：
在第一绝缘层上方形成第一导电层；
在包括纳米氟隆的第一纳米氟隆层上方定位所述第一绝缘层；
通过蚀刻所述第一导电层形成发送和接收信号的第一图案；以及
在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地层，
其中，所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。


3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，其中，形成所述第一图案包括通过蚀刻所述第一导电层形成接地线和信号线。


4.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，所述方法进一步包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：金炳南，姜敬逸，
申请(专利权)人：信思优有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR