助焊剂残渣除去用清洗剂组合物制造技术

本公开在一个方式中提供一种确保稳定的液体状态且助焊剂除去性及锡除去性优异的助焊剂残渣除去用清洗剂组合物。本公开在一个方式中涉及：含有溶剂(成分A)、汉森溶解度参数的极性项(δp)为7.8以下的胺(成分B)、及下述式(VI)所表示的二膦酸(成分C)的助焊剂残渣除去用清洗剂组合物；或者配合成分A、成分B及成分C而成的助焊剂残渣除去用清洗剂组合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】助焊剂残渣除去用清洗剂组合物
本公开涉及一种助焊剂残渣除去用清洗剂组合物、使用了该清洗剂组合物的清洗方法及电子部件的制造方法。
技术介绍
近年来，关于电子部件向印刷布线板、陶瓷基板的安装，从低能耗、高速处理这样的观点出发，部件小型化，焊料助焊剂的清洗中要清洗的间隙变窄。另外，就环境安全方面而言，开始使用无铅焊料，伴随于此而使用松香系助焊剂。例如，国际公开第2011/027673号(专利文献1)中公开有相对于水100重量份而包含二醇醚化合物5～100重量份的无铅焊料水溶性助焊剂除去用清洗剂。国际公开第2005/021700号(专利文献2)中公开有如下焊料助焊剂除去用清洗剂，其特征在于：相对于总量，在二醇化合物的含量小于1重量％的情况下，将苄醇的含量设为70～99.9重量％的范围且将氨基醇的含量设为0.1～30重量％的范围，在二醇化合物的含量为1～40重量％的情况下，将苄醇的含量设为15～99重量％的范围且将氨基醇的含量设为0.1～30重量％的范围。日本特开2004-2688号公报(专利文献3)中公开有如下含水系清洗剂组合物，其含有有机溶剂、具有碳数4～12的烷基或烯基的甘油醚5～30重量％、及水5重量％以上而成，且用于金属部件、电子部件、半导体部件及液晶显示面板等精密部件。日本特开2018-21093号公报(专利文献4)中公开有如下网版用清洗剂组合物：含有25℃的水100g中的溶解度小于10g的胺或其盐、25℃的水100g中的溶解度为0.02g以上且小于10g的溶剂、及水，且上述胺为选自碳数6以上且26以下的伯胺、仲胺及叔胺中的至少一种。
技术实现思路
本公开在一个方式中涉及含有溶剂(成分A)、汉森溶解度参数的极性项(δp)为7.8以下的胺(成分B)、及下述式(VI)所表示的二膦酸(成分C)的助焊剂残渣除去用清洗剂组合物，或者配合成分A、成分B及成分C而成的助焊剂残渣除去用清洗剂组合物。[化学式1]上述式(VI)中，X为碳数1以上且6以下的亚烷基或羟基亚烷基。本公开在一个方式中涉及一种清洗方法，其包括利用本公开的清洗剂组合物对具有助焊剂残渣的被清洗物进行清洗的工序。本公开在一个方式中涉及一种电子部件的制造方法，其包括如下工序：选自将选自半导体芯片、芯片型电容器及电路基板中的至少一种部件通过使用了助焊剂的焊接而搭载于电路基板上的工序、及将用于连接上述部件等的焊料凸块形成于电路基板上的工序中的至少一个工序；以及通过本公开的清洗方法对选自搭载有上述部件的电路基板及形成有上述焊料凸块的电路基板中的至少一种进行清洗的工序。具体实施方式近年来，因半导体封装基板的小型化，焊料凸块微小化，与要连接的部件的间隙变窄。而且，由于焊料凸块微小化、与要连接的部件的间隙变窄，因而关于上述专利文献中公开的清洗剂组合物，助焊剂残渣的除去性(助焊剂除去性)不足，清洗性称不上充分。进而，对于清洗剂组合物，也要求提高对回流焊时所产生的氧化锡、锡盐的除去性(锡除去性)。另外，对于清洗剂组合物，要求可确保不分离的稳定的液体状态。因此，本公开提供一种确保稳定的液体状态且助焊剂除去性及锡除去性优异的助焊剂残渣除去用清洗剂组合物、使用了其的清洗方法及电子部件的制造方法。根据本公开，可提供一种确保稳定的液体状态且助焊剂除去性及锡除去性优异的助焊剂残渣除去用清洗剂组合物。本公开基于如下认知：通过使用含有特定的溶剂(成分A)、特定的胺(成分B)及特定的二膦酸(成分C)的清洗剂组合物或配合成分A、成分B及成分C而成的清洗剂组合物，从而确保稳定的液体状态，且助焊剂除去性及锡除去性比以往提高。即，本公开在一个或多个实施方式中涉及含有溶剂(成分A)、汉森溶解度参数的极性项(δp)为7.8以下的胺(成分B)及上述式(VI)所示的二膦酸(成分C)的助焊剂残渣除去用清洗剂组合物，或配合成分A、成分B及成分C而成的助焊剂残渣除去用清洗剂组合物(以下，也将它们统称为“本公开的清洗剂组合物”)。根据本公开，在一个或多个实施方式中，可效率良好地除去助焊剂残渣。另外，根据本公开，在一个或多个实施方式中，可效率良好地除去回流焊时所产生的氧化锡、锡盐。进而，根据本公开，在一个或多个实施方式中，可获得稳定性高而均匀透明的助焊剂残渣除去用清洗剂组合物。本公开的清洗剂组合物的效果的作用机制的详情尚有不明部分，但推定如下。即，本公开的清洗剂组合物中，成分A(溶剂)渗透助焊剂及因回流焊等而劣化的助焊剂残渣而减小粘度，使其易于流动，并且成分B(胺)发挥作用，将助焊剂及助焊剂残渣分解或亲水化而使其容易溶于清洗剂组合物中。另外，推测通过成分B(胺)，助焊剂及助焊剂残渣的清洗后的冲洗工序中的向水中的溶解性变高，可提高基于冲洗的助焊剂除去性，可降低清洗及冲洗后的助焊剂残渣的残存。进而，若本公开的清洗剂组合物中成分B与成分C形成盐，则成分B(胺)与和锡的亲和性高的成分C(二膦酸)的盐作用于通过回流焊所生成且附着在助焊剂残渣中、被清洗物上的氧化锡、锡盐，使其容易溶于清洗剂组合物中。另外，推测通过成分B与成分C的盐，清洗后的冲洗工序中的氧化锡、锡盐向水中的溶解性变高，从而锡除去性提高，可降低清洗及冲洗后的氧化锡、锡盐的残存。而且，关于成分B与成分C的盐，推测通过使成分B(胺)的汉森溶解度参数的极性项(δp)为7.8以下，可使与成分C(二膦酸)的盐溶解于成分A(溶剂)，获得均匀而稳定的清洗剂组合物。但是，本公开也可不限定于该机制而进行解释。本公开中所谓“助焊剂”是指用于去除妨碍电极、布线等金属与焊料金属的连接的氧化物而促进上述连接的含有焊接中使用的松香或松香衍生物的松香系助焊剂、不含松香的水溶性助焊剂等，本公开中“焊接”包括回流焊方式及流动焊方式的焊接。本公开中所谓“焊料助焊剂”是指焊料与助焊剂的混合物。本公开中所谓“助焊剂残渣”是指在使用助焊剂形成焊料凸块后的基板和/或使用助焊剂进行焊接后的基板等残存的源自助焊剂的残渣。例如，若在电路基板上层叠搭载其他部件(例如，半导体芯片、芯片型电容器、其他电路基板等)，则在上述电路基板与上述其他部件之间会形成空间(间隙)。用于上述搭载的助焊剂在通过回流焊等进行焊接后也会以助焊剂残渣的形式残存于该间隙中。本公开中所谓“助焊剂残渣除去用清洗剂组合物”是指用于除去使用助焊剂或焊料助焊剂形成焊料凸块和/或进行焊接后的助焊剂残渣的清洗剂组合物。就基于本公开的清洗剂组合物的清洗性的显著效果显现的方面而言，焊料优选为含有锡的无铅(Pb)焊料。本公开中，所谓汉森溶解度参数(Hansensolubilityparameter)(以下也称为“HSP”)是CharlesM.Hansen在1967年发表的用于预测物质的溶解性的值，是基于“分子间的相互作用相似的2种物质容易相互溶解”的观点的参数。HSP包含以下的3个参数(单位：MPa0.5)。δd：基于分子间的色散力的能量δp：基于分子间的偶极相互作用的能量δ本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种助焊剂残渣除去用清洗剂组合物，其含有：/n溶剂即成分A；/n汉森溶解度参数的极性项δp为7.8以下的胺即成分B；及/n下述式(VI)所表示的二膦酸即成分C；/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181205 JP 2018-2281481.一种助焊剂残渣除去用清洗剂组合物，其含有：
溶剂即成分A；
汉森溶解度参数的极性项δp为7.8以下的胺即成分B；及
下述式(VI)所表示的二膦酸即成分C；



所述式(VI)中，X为碳数1以上且6以下的亚烷基或羟基亚烷基。


2.一种助焊剂残渣除去用清洗剂组合物，其是配合以下成分而成的：
溶剂即成分A、
汉森溶解度参数的极性项δp为7.8以下的胺即成分B、及
下述式(VI)所表示的二膦酸即成分C，



所述式(VI)中，X为碳数1以上且6以下的亚烷基或羟基亚烷基。


3.根据权利要求1或2所述的清洗剂组合物，其中，成分B与成分C的摩尔比B/C为4以上且40以下。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洗剂组合物，其中，成分A的含量为70质量％以上且99.5质量％以下，
成分B的含量为0.2质量％以上且15质量％以下，
成分C的含量为0.1质量％以上且3质量％以下。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的清洗剂组合物，其中，溶剂即成分A是选自下述式(I)所表示的化合物、下述式(II)所表示的化合物及下述式(III)所表示的化合物中的至少一种溶剂，
R1-O-(AO)n-R2(I)
所述式(I)中，R1为苯基或碳数1以上且8以下的烷基，R2为氢原子或碳数1以上且4以下的烷基，AO为环氧乙烷基或环氧丙烷基，n为AO的加成摩尔数且为1以上且3以下的整数，
R3-CH2OH(II)
所述式(II)中，R3为苯基、苄基、环己基、呋喃基、四氢呋喃基、糠基或四氢糠基，



所述式(III)中，R4、R5、R6、R7各自独立地为氢原子、碳数1以上且8以下的烃基、碳数1以上且3以下的羟烷基或羟基。


6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：司马宽也，长沼纯，
申请(专利权)人：花王株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP