半导体工艺设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、第一压力侦测器及第二压力侦测器，第一压力侦测器及第二压力侦测器均通过压力侦测管路与工艺腔室相连接，用于侦测工艺腔室内的压力，第一压力侦测器及第二压力侦测器具有不同的侦测量程；其中，压力侦测管路包括水平管路和竖直管路，水平管路一端与工艺腔室水平相连接，另一端与竖直管路垂直相连接，竖直管路竖直向上延伸，第一压力侦测器及第二压力侦测器与竖直管路相连通。本实用新型专利技术的半导体工艺设备可以有效减少反应生成物在压力侦测管路内壁的附着，确保压力侦测器的工作灵敏性，有助于提高设备及工艺稳定性，且可以减少管路维修保养时间，降低设备使用成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备
本技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体工艺设备。
技术介绍
在诸如气相沉积等半导体工艺制程中，腔体内的压力是一个非常重要的管控参数，确保腔体内的压力维持在预设压力值对工艺品质，比如对沉积高品质的薄膜非常重要，因而在像气相沉积等工艺过程中需要通过压力计实时监测腔体内的压力。但是现有的半导体工艺设备的压力计侦测管路和位置设计不合理，原设计管路为低位设计，管路抽气路径较长且转角为270°。而真空泵在抽气时也是往下，反应腔体内的反应生成物会顺着真空气流方向流到压力计的管路内。气相沉积以及干法刻蚀等工艺过程中，因工艺本身的特点，在腔体内会生成一种聚合物(Polymer)，聚合物在设备排气时会沿压力计压力侦测管路扩散并附着于管路内壁，且很难在设备保养时去除。聚合物在内壁上不断累积增厚，会造成管道通路变窄，使得压力计的反应时间变长而无法快速准确地监测到腔体内的实时压力，影响正常工艺生产，严重时甚至会导致产品报废。此外，因工艺腔体反应成物的随机性，有时候可能有偶发大颗粒的生成物进入压力计管路内，造成抽气速度及压力稳定时间变慢的情况，容易干扰维修工程师的判断而误判为真空泵或真空阀等零部件损坏，浪费大量的维修时间和维修成本。现有技术中，通常需要由维修人员根据反应物影响的程度定期手动清洗压力计的压力侦测管路，因反应成物的随机性，亦无法完全避免压力计偶发性失真的问题
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种半导体工艺设备，用于解决现有的半导体工艺设备中，因聚合物在内壁上不断累积增厚造成管道通路变窄，使得压力计的反应时间变长而无法快速准确地监测到腔体内的实时压力，影响正常工艺生产，严重时甚至造成产品报废，且因工艺腔体反应成物的随机性，有时候可能有偶发大颗粒的生成物进入压力计管路内，造成抽气速度及稳定时间变慢的情况，容易干扰维修工程师的判断而误判为真空泵或真空阀等零部件损坏，浪费大量的维修时间和维修成本，而通过维修人员根据反应物影响的程度定期手动清洗压力计的压力侦测管路，因反应成物的随机性，亦无法完全避免压力计偶发性失真等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、第一压力侦测器及第二压力侦测器，所述第一压力侦测器及第二压力侦测器均通过压力侦测管路与所述工艺腔室相连接，用于侦测所述工艺腔室内的压力，所述第一压力侦测器及第二压力侦测器具有不同的侦测量程；其中，所述压力侦测管路包括水平管路和竖直管路，所述水平管路一端与所述工艺腔室水平相连接，另一端与所述竖直管路垂直相连接，所述竖直管路竖直向上延伸，所述第一压力侦测器及第二压力侦测器与所述竖直管路相连通。可选地，所述水平管路为1个且竖直管路为2个，2个竖直管路平行间隔设置且均与所述水平管路垂直相连接，所述第一压力侦测器和第二压力侦测器与所述2个竖直管路分别相连通。可选地，所述水平管路和竖直管路均为2个且一一对应连接，所述第一压力侦测器和第二压力侦测器与所述2个竖直管路分别相连通。可选地，所述水平管路与所述工艺腔室的连接点的高度大于所述工艺腔室高度的二分之一。可选地，所述半导体工艺设备还包括报警装置，与所述第一压力侦测器和/或所述第二压力侦测器相连接，以在侦测到所述工艺腔室内的压力异常时发出报警信息。可选地，所述压力侦测管路上设置有控制阀。可选地，所述工艺腔室包括物理气相沉积腔室、化学气相沉积腔室和干法刻蚀腔室中的任意一种。可选地，所述水平管路和所述竖直管路的连接面为弧形面。可选地，所述第一压力侦测器和第二压力侦测器的底面高于所述工艺腔室的顶面。可选地，所述第一压力侦测器为高压侦测器，侦测量程包括0-760torr；所述第二压力侦测器为低压侦测器，侦测量程包括5-100mtorr。如上所述，本技术的半导体工艺设备，具有以下有益效果：本技术的半导体工艺设备，设置两个不同量程的压力侦测器以实时监测工艺腔室内的压力，侦测管路仅通过一段垂直管路和一段水平管路与工艺腔室相连接，压力侦测器的抽气路径极大变短，由此可以有效减少反应生成物在压力侦测管路内壁的附着，确保压力侦测器的工作灵敏性，有助于提高设备及工艺稳定性，且可以减少管路维修保养时间，降低设备使用成本。附图说明图1显示为本技术的实施例一中提供的半导体工艺设备的结构示意图。图2显示为本技术的半导体工艺设备中的压力侦测管路的例示性结构示意图。图3显示为本技术的实施例二中提供的半导体工艺设备的结构示意图。元件标号说明11工艺腔室12第一压力侦测器13第二压力侦测器14水平管路15竖直管路16控制阀17集尘框具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1至图3。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
所能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质
技术实现思路
的变更下，当亦视为本技术可实施的范畴。实施例一如图1所示，本技术提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室11、第一压力侦测器12及第二压力侦测器13；所述工艺腔室11用于进行半导体工艺制程，比如化学气相沉积或物理气相沉积，或者还可以是干法刻蚀等工艺过程中对腔室内压力要求很高的半导体工艺制程，因而相应地所述工艺腔室11包括但不限于物理气相沉积腔室、化学气相沉积腔室和干法刻蚀腔室中的任意一种，所述工艺腔室11可通过排气管路与真空泵(未示出)相连通，以将工艺腔室11内的压力维持在所需的程度；所述第一压力侦测器12及第二压力侦测器13均通过压力侦测管路与所述工艺腔室11相连接，用于侦测所述工艺腔室11内的压力，所述第一压力侦测器12及第二压力侦测器13具有不同的侦测量程；其中，所述压力侦测管路包括水平管路14和竖直管路15，所述水平管路14一端与所述工艺腔室11水平相连接，另一端与所述竖直管路15垂直相连接，所述竖直管路15竖直向上延伸，所述第一压力侦测器12及第二压力侦测器13与所述竖直管路15相连通。本技术的半导体工艺设备，设置两个不同量程的压力侦测器以实时监测工艺腔室11内的压力，侦测管路仅通过一段垂直管路和一段水平管路14与工艺腔室11相连接，压力侦测器的抽气路径极大变短(比如缩短至15cm左右)，由此可以有效减少反应生成物在压力侦测管路内壁的附着本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室、第一压力侦测器及第二压力侦测器，所述第一压力侦测器及第二压力侦测器均通过压力侦测管路与所述工艺腔室相连接，用于侦测所述工艺腔室内的压力，所述第一压力侦测器及第二压力侦测器具有不同的侦测量程；其中，所述压力侦测管路包括水平管路和竖直管路，所述水平管路一端与所述工艺腔室水平相连接，另一端与所述竖直管路垂直相连接，所述竖直管路竖直向上延伸，所述第一压力侦测器及第二压力侦测器与所述竖直管路相连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室、第一压力侦测器及第二压力侦测器，所述第一压力侦测器及第二压力侦测器均通过压力侦测管路与所述工艺腔室相连接，用于侦测所述工艺腔室内的压力，所述第一压力侦测器及第二压力侦测器具有不同的侦测量程；其中，所述压力侦测管路包括水平管路和竖直管路，所述水平管路一端与所述工艺腔室水平相连接，另一端与所述竖直管路垂直相连接，所述竖直管路竖直向上延伸，所述第一压力侦测器及第二压力侦测器与所述竖直管路相连通。


2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述水平管路为1个且竖直管路为2个，2个竖直管路平行间隔设置且均与所述水平管路垂直相连接，所述第一压力侦测器和第二压力侦测器与所述2个竖直管路分别相连通。


3.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述水平管路和竖直管路均为2个且一一对应连接，所述第一压力侦测器和第二压力侦测器与所述2个竖直管路分别相连通。


4.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述水平管路与所述工艺腔室的连接点的高度大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡天保，曹兴龙，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31