本公开提供一种引线框架，其包含裸片脚座及环绕所述裸片脚座的多个引线。所述引线中的每一个包含接近所述裸片脚座的指状物部分及远离所述裸片脚座的引线部分。所述指状物部分包含主体及至少一个支撑结构。在邻近的所述引线上的相应的所述支撑结构相互隔离，且所述支撑结构与所述裸片脚座之间的距离小于所述引线部分与所述裸片脚座之间的距离。还提供一种包含本文中所描述的引线框架的半导体封装结构及一种包含本文中所描述的半导体封装结构的半导体封装组合件。
【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构
本公开涉及一种包含引线框架的半导体封装结构。
技术介绍
引线框架包含裸片脚座及朝向裸片脚座延伸的多个引线。安置于裸片脚座上的半导体裸片经由接线电连接到引线中的每一个。随着半导体裸片上的I/O密度不断增大的趋势，连接I/O中的每一个与引线中的每一个的接线形成较密集的布置，此倾向于使彼此交叉或短路。接线的长度愈长，那么接线交叉及/或短路的情况愈严重。为缩短接线的长度，将引线框架的引线中的每一个修改为较长或较靠近裸片脚座。然而，当个别引线的指状物部分的长度大于2毫米时，接近裸片脚座的引线的端子末端会下垂，且造成此类端子末端在引线框架的囊封操作步骤之后从模制原料暴露。另外，连接半导体裸片的I/O与此类端子末端的接线归因于下垂而被拖曳及变形，从而造成信号线出现故障。
技术实现思路
在一些实施例中，本公开提供一种引线框架，其包含裸片脚座及环绕所述裸片脚座的多个引线。所述引线中的每一个包含接近所述裸片脚座的指状物部分及远离所述裸片脚座的引线部分。所述指状物部分包含主体及至少一个支撑结构。在邻近的所述引线上的相应的所述支撑结构相互隔离，且所述支撑结构与所述裸片脚座之间的距离小于所述引线部分与所述裸片脚座之间的距离。在一些实施例中，本公开提供一种半导体封装结构，其包含裸片脚座及环绕所述裸片脚座的多个引线。所述引线中的每一个包含接近所述裸片脚座的端子末端及远离所述裸片脚座的引线末端。所述引线中的每一个包含主体及至少一个支撑结构。所述支撑结构与所述端子末端之间的距离小于所述支撑结构与所述引线末端之间的距离。在一些实施例中，本公开提供一种半导体封装组合件，其包含裸片脚座、环绕所述裸片脚座的多个引线，及在所述裸片脚座及所述多个引线下方的衬底。所述引线中的每一个包含接近所述裸片脚座的指状物部分及远离所述裸片脚座的引线部分。所述指状物部分包含主体及至少一个支撑结构。所述支撑结构相对于所述衬底为虚设结构。在邻近的所述引线上的相应的所述支撑结构相互隔离，且所述支撑结构与所述裸片脚座之间的距离小于所述引线部分与所述裸片脚座之间的距离。附图说明当结合附图阅读时，从以下实施方式容易理解本公开的一些实施例的方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可能出于论述清晰起见而被任意地增大或减小。图1绘示根据本公开的一些实施例的从引线框架的顶面所见的透视图。图2绘示从图1的引线框架的底面所见的透视图。图3绘示根据本公开的一些实施例的引线框架的横截面视图。图4绘示根据本公开的一些实施例的半导体封装结构的横截面视图。图5绘示根据本公开的一些实施例的半导体封装条纹的横截面视图。图6绘示根据本公开的一些实施例的半导体封装组合件的横截面视图。图7A绘示根据本公开的一些实施例的引线框架的仰视图，所述引线框架展示引线部分以及指状物部分的支撑结构。图7B绘示从图7A的线AA分割的横截面视图。图7C绘示图7A的区域B的放大视图。图7D绘示根据本公开的一些实施例的半导体封装结构的仰视图，所述半导体封装结构包含图7A的引线框架。图8A到图8F绘示根据本公开的一些实施例的半导体封装结构在各种制造操作步骤期间的横截面视图。具体实施方式贯穿图式及实施方式使用共同的参考数字以指示相同或相似的组件。从结合随附图式的以下实施方式将容易理解本公开的实施例。以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以阐释本公开的某些方面。当然，此些实例仅仅为实例且不打算为限制性的。举例来说，在以下实施方式中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征及第二特征以直接接触方式被形成或安置的实施例，且还可包含额外特征可被形成或安置于第一特征与第二特征之间使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清晰的目的，且其本身并不规定所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。如先前在背景章节中所论述，为缩短接线的长度，用以缩短引线的指状物部分的长度的另一方法为增大引线的引线部分与引线的指状物部分的长度比。与金属沿着厚度方向被半蚀刻的引线的指状物部分相比，引线的引线部分含有具有完全厚度的金属区段。信号通过较高长度比的引线部分发射可能会被改变，因此这并非是对各种半导体裸片封装的通用解决方案。用以防止引线的指状物部分下垂的又一方法是用较高强度材料替换原始材料。然而，下垂减轻程度有限。本公开提供一种引线框架，其具有裸片脚座及环绕裸片脚座的多个引线。引线中的每一个包含在指状物部分处的支撑结构，以便防止引线下垂并防止接近裸片脚座的引线的末端从囊封物暴露。相似于引线部分，支撑结构可为具有完全厚度并与面向裸片脚座的指状物部分的侧表面隔开的金属区段。本专利技术提供囊封本文中所论述的引线框架的半导体封装结构。本专利技术还提供包含本文中所论述的半导体封装结构及例如PCB的衬底的半导体封装组合件。参看图1，图1绘示根据本公开的一些实施例的从引线框架10的顶面所见的透视图。引线框架10包含裸片脚座101及环绕裸片脚座101的多个引线103。多个引线中的每一个包含远离裸片脚座101的引线部分103A、主体103FB，及连接到主体103FB的支撑结构103FS。主体103FB具有面向裸片脚座101并与裸片脚座101隔开的侧表面1031。支撑结构103FS具有面向裸片脚座101并与裸片脚座101隔开的侧表面1032。从图1的透视图可推断，任何邻近引线103上的相应支撑结构103FS相互隔离，即，支撑结构103FS中的每一个与主体103FB及引线部分103A整体地集成，而不与直接邻近引线103上的支撑结构103FS进行物理耦合。图2绘示从图1的引线框架10的底面所见的透视图。具有与图1中的数字标记相同的数字标记的元件是指相同组件且可指相同组件。从图2的仰视透视图可看出，除相互隔离之外，邻近引线103中的任一个上的相应支撑结构103FS还交错地安置。举例来说，第一引线上的支撑结构103FS不与直接邻近于第一引线的第二引线上的支撑结构103FS侧向地重叠。第一引线上的支撑结构103FS相比于直接邻近于第一引线的第二引线上的支撑结构103FS可较靠近或较远离裸片脚座101。参看图3，图3为根据本公开的一些实施例的引线框架30的横截面视图。图3可从图1的线PP分割，且因此展示引线框架面板或引线框架条纹的单元。引线框架30包含裸片脚座301及环绕裸片脚座301的多个引线303。如图3中所展示，裸片脚座301由左引线303及右引线303环绕。引线303中的每一个包含较靠近或接近裸片脚座301的指状物部分303F，及较远离或远离裸片脚座301的引线部分303A。在一些实施例中，引线303包含背对裸片脚座301的引线部分303A的引线末端或侧表面3035"，及面朝裸片脚座301的指状物部分303F的端子末端或侧表面3031。引线末端与端子末端相对本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种引线框架，其包括：/n裸片脚座；及/n多个引线，其环绕所述裸片脚座，所述引线中的每一个包含接近所述裸片脚座的指状物部分及远离所述裸片脚座的引线部分，所述指状物部分包括主体及至少一个支撑结构；/n其中在邻近的所述引线上的相应的所述支撑结构相互隔离，且所述支撑结构与所述裸片脚座之间的距离小于所述引线部分与所述裸片脚座之间的距离。/n
【技术特征摘要】
20200122 US 16/749,5861.一种引线框架，其包括：
裸片脚座；及
多个引线，其环绕所述裸片脚座，所述引线中的每一个包含接近所述裸片脚座的指状物部分及远离所述裸片脚座的引线部分，所述指状物部分包括主体及至少一个支撑结构；
其中在邻近的所述引线上的相应的所述支撑结构相互隔离，且所述支撑结构与所述裸片脚座之间的距离小于所述引线部分与所述裸片脚座之间的距离。
2.根据权利要求1所述的引线框架，其中所述支撑结构从所述指状物部分的下表面突起。
3.根据权利要求1所述的引线框架，其中所述引线部分的下表面与所述支撑结构的下表面大体上齐平。
4.根据权利要求1所述的引线框架，其中从横截面视角看，所述引线部分的宽度宽于所述支撑结构的宽度。
5.根据权利要求1所述的引线框架，其中所述指状物部分的所述主体具有第一宽度，且所述支撑结构具有第二宽度，从平面视角看，所述第二宽度等于或小于所述第一宽度。
6.根据权利要求1所述的引线框架，其中从平面视角看，第一引线的所述支撑结构与邻近于所述第一引线的第二引线的所述支撑结构交错地安置。
7.根据权利要求1所述的引线框架，其中第一引线的所述支撑结构沿着所述指状物部分的主要方向与邻近于所述第一引线的第二引线的所述支撑结构隔开至少200μm。
8.根据权利要求1所述的引线框架，其中第一引线的所述支撑结构沿着所述指状物部分的主要方向与邻近于所述第一引线的第二引线的所述引线部分隔开至少200μm。
9.根据权利要求1所述的引线框架，其中面向所述裸片脚座的所述主体的第一侧表面沿着所述指状物部分的主要方向与面向所述裸片脚座的所述支撑结构的第二侧表面隔开至少约400μm。
10.一种半导体封装结构，其包括：
裸片脚座；及
多个引线，其环绕所述裸片脚座，所述引线中的每一个包含接近所述裸片脚座的端子末端及远离所述裸片脚座的引线末端，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹峻棋，廖国成，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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