交变磁场监测测量装置及系统制造方法及图纸

本申请涉及交变磁场监测测量装置及系统，具体而言，涉及交变磁场的测量领域。本申请提供的交变磁场监测测量装置包括：第一光纤、第二光纤、第一磁性条、第二磁性条、第一热膨胀部、第二热膨胀部和基底；第一磁性条和第二磁性条会在交变磁场作用下产生热量，又由于第一热膨胀部和第二热膨胀部设置在第二光纤与第一光纤之间，则当第一磁性条和第二磁性条在在交变磁场的作用下产生热量的时候，第一热膨胀部和第二热膨胀部吸收热量后发生膨胀，进而使得第一光纤和第二光纤形变，从而改变第一光纤和第二光纤的透射率，进而根据第一光纤和第二光纤的透射率改变情况与待测交变磁场的强度的对应关系，得到待测交变磁场的强度。

【技术实现步骤摘要】
交变磁场监测测量装置及系统
本申请涉及交变磁场的测量领域，具体而言，涉及交变磁场监测测量装置及系统。
技术介绍
交变磁场就是交变电流产生的交变磁场。交变磁场的大小和方向都会随着时间按照一定的规律变化。现有技术中，对交变磁场的测量是通过示波器或者电流检测装置对交变磁场进行测量。但是，由于交变测量的变化的特性，使得现有技术中的测量技术，均误差对交变磁场进行准确的描述与测量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种交变磁场监测测量装置及系统，以解决现有技术中由于交变测量的变化的特性，使得现有技术中的测量技术，均误差对交变磁场进行准确的描述与测量的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：第一方面，本申请提供一种交变磁场监测测量装置，装置包括：第一光纤、第二光纤、第一磁性条、第二磁性条、第一热膨胀部、第二热膨胀部和基底；第一光纤设置在基底的一侧，第一磁性条设置在第一光纤的外壁上，第二光纤为弯折光纤，第二光纤的形状为“U”形，“U”形的第二光纤的底部与第一光纤远离基底一侧的面相切设置，第二磁性条设置在第二光纤的外壁上，第一热膨胀部和第二热膨胀部设置在第一光纤和第二光纤之间，且第一热膨胀部和第二热膨胀部均设置在“U”形的第二光纤的两侧，用于支撑第二光纤，且第一热膨胀部和第二热膨胀部靠近“U”形的第二光纤的底部的高度低于远离“U”形的第二光纤的底部的高度。可选地，该装置还包括金属颗粒层，金属颗粒层设置在第一光纤靠近第二光纤的一侧。可选地，该金属颗粒层的材料为贵金属材料。可选地，该金属颗粒层的材料为金、银、钌、铑、钯、锇、铱、铂中至少一种。可选地，该第一热膨胀部和第二热膨胀部均包括多个条形结构。可选地，该装置还包括第三热膨胀部，第三热膨胀部设置在第二光纤远离第一光纤的一侧，且第三热膨胀部在基底上的投影远离第一热膨胀部和第二热膨胀部在基底上的投影。可选地，该第一热膨胀部、第二热膨胀部和第三热膨胀部的材料均为Fe3O4。第二方面，本申请提供一种一种交变磁场监测测量系统，系统包括：第一光源、第二光源、第一光谱仪、第二光谱仪、计算机和第一方面任意一项的交变磁场监测测量装置，第一光源和第一光谱仪分别设置在交变磁场监测测量装置中的第一光纤的两侧，第二光源和第二光谱仪分别设置在交变磁场监测测量装置中的第二光纤的两侧，计算机分别与第一光谱仪和第二光谱仪连接，用于获取第一光谱仪和第二光谱仪检测的第一光纤和第二光纤的输出光信号的光谱，并根据输出光信号的光谱得到第一光纤和第二光纤的透射率改变情况，并根据第一光纤和第二光纤的透射率改变情况与待测交变磁场的强度的对应关系，得到待测交变磁场的强度。本专利技术的有益效果是：本申请提供的交变磁场监测测量装置包括：第一光纤、第二光纤、第一磁性条、第二磁性条、第一热膨胀部、第二热膨胀部和基底；第一光纤设置在基底的一侧，第一磁性条设置在第一光纤的外壁上，第二光纤为弯折光纤，第二光纤的形状为“U”形，“U”形的第二光纤的底部与第一光纤远离基底一侧的面相切设置，第二磁性条设置在第二光纤的外壁上，第一热膨胀部和第二热膨胀部设置在第一光纤和第二光纤之间，且第一热膨胀部和第二热膨胀部均设置在“U”形的第二光纤的两侧，用于支撑第二光纤，且第一热膨胀部和第二热膨胀部靠近“U”形的第二光纤的底部的高度低于远离“U”形的第二光纤的底部的高度，由于该第一光纤的外壁上设置有第一磁性条，第二光纤的外壁上设置第二磁性条，则在交变磁场中，该第一磁性条和第二磁性条会在交变磁场和第一光纤和第二光纤中光信号的作用下产生热量，又由于该第一热膨胀部和第二热膨胀部设置在该第二光纤与第一光纤之间，则当该第一磁性条和第二磁性条在交变磁场和光信号的作用下产生热量的时候，该第一热膨胀部和第二热膨胀部在热量的作用下发生膨胀，进而使得该第一光纤和第二光纤发生形变，从而改变该第一光纤和第二光纤的透射率，进而使得第一光纤和第二光纤的输出光信号的光谱发生改变，通过对输出光信号的光谱发生改变进行检测，并根据输出光信号的光谱得到第一光纤和第二光纤的透射率改变情况，进而根据第一光纤和第二光纤的透射率改变情况与待测交变磁场的强度的对应关系，得到待测交变磁场的强度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术一实施例提供的一种交变磁场监测测量装置的结构示意图；图2为本专利技术一实施例提供的另一种交变磁场监测测量装置的结构示意图；图3为本专利技术一实施例提供的另一种交变磁场监测测量装置的结构示意图；图4为本专利技术一实施例提供的另一种交变磁场监测测量装置的结构示意图。图标：10-基底；20-第一光纤；30-第二光纤；40-第一磁性条；50-第二磁性条；60-第一热膨胀部；70-第二热膨胀部；80-金属颗粒层；90-第三热膨胀部。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种交变磁场监测测量装置，其特征在于，所述装置包括：第一光纤、第二光纤、第一磁性条、第二磁性条、第一热膨胀部、第二热膨胀部和基底；所述第一光纤设置在所述基底的一侧，所述第一磁性条设置在所述第一光纤的外壁上，所述第二光纤为弯折光纤，所述第二光纤的形状为“U”形，“U”形的所述第二光纤的底部与所述第一光纤远离基底一侧的面相切设置，所述第二磁性条设置在所述第二光纤的外壁上，所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部设置在所述第一光纤和所述第二光纤之间，且所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部均设置在“U”形的所述第二光纤的两侧，用于支撑所述第二光纤，且所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部靠近“U”形的所述第二光纤的底部的高度低于远离“U”形的所述第二光纤的底部的高度。/n

【技术特征摘要】
1.一种交变磁场监测测量装置，其特征在于，所述装置包括：第一光纤、第二光纤、第一磁性条、第二磁性条、第一热膨胀部、第二热膨胀部和基底；所述第一光纤设置在所述基底的一侧，所述第一磁性条设置在所述第一光纤的外壁上，所述第二光纤为弯折光纤，所述第二光纤的形状为“U”形，“U”形的所述第二光纤的底部与所述第一光纤远离基底一侧的面相切设置，所述第二磁性条设置在所述第二光纤的外壁上，所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部设置在所述第一光纤和所述第二光纤之间，且所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部均设置在“U”形的所述第二光纤的两侧，用于支撑所述第二光纤，且所述第一热膨胀部和所述第二热膨胀部靠近“U”形的所述第二光纤的底部的高度低于远离“U”形的所述第二光纤的底部的高度。


2.根据权利要求1所述的交变磁场监测测量装置，其特征在于，所述装置还包括金属颗粒层，所述金属颗粒层设置在所述第一光纤靠近所述第二光纤的一侧。


3.根据权利要求2所述的交变磁场监测测量装置，其特征在于，所述金属颗粒层的材料为贵金属材料。


4.根据权利要求3所述的交变磁场监测测量装置，其特征在于，所述金属颗粒层的材料为金、银、钌、铑、钯、锇、铱、铂中至少一种。


5.根据权利要求4所述的交变磁场监测测量装...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：李润生，
类型：发明
国别省市：山西;14