记忆卡防逆插结构制造技术

一种记忆卡防逆插结构，其特征在于，所述记忆卡前缘的插入端呈一曲线不对称型，并形成一前后距离差，所述记忆卡底面前缘处开设有至少一个电路接点，各电路接点依记忆卡插入端的外形呈弧状不对称排列，形成前后位置差。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种记忆卡防逆插结构，其主要是提供记忆卡一种防逆插(即防呆)的功能，另通过电路接点呈弧状不对称的排列所形成的电路接点的前后位置差，使电路接点与接触端子间的接触产生时间差，借助该接触时间差的形成可适用于不同电路特性需求。
技术介绍
目前储存数据的记忆卡(Memory Card)如多媒体卡(Multi Media Card)、智慧卡(Smart Media Card)、记忆棒(Memory Stick Card)等，在使用上需通过特定的读写装置将数据读出或加以编辑处理，然而在记忆卡与读写装置对插实施时，常会发生记忆卡逆插的情形发生造成读写装置的损害，因此目前市面上所见的记忆卡大多会有防逆插(即防呆)的设计，这些设计多是将记忆卡插入端的单一边角设计成为斜角或弧角，再配合读写装置插槽内形成与记忆卡对应的斜块或弧块设计，两相配合形成为一限制插卡行程的防逆插设计，然而此种方法却存有外观不佳、单一边缺口在插卡时不易对正插置、电路接点的位置齐平与接触端子搭接时无法产生接触时间差(接触时间差的形成可供电路设计需要，依不同接触时间作不同的电路特性设计)。所以，记忆卡多年沿用的防逆插(防呆)的设计已不符合时代的需求，其仍具有改进及功能扩展的空间与需要。
技术实现思路
通过本技术记忆卡的设计，可达到防逆插(防呆)的效果外，也可借助电路接点与接触端子接触时间差的形成，达到每一电路接点接触时间不同的电路特性设计。本技术所提供的技术手段，是在记忆卡的前缘设计形成为一不对称插入端，并使至少一个以上的电路接点也依不对称插入端的造型排列形成曲线不对称排列，通过不对称插入端的不对称造型的设计使记忆卡形成一前后距离差，以达其防逆插(即防呆)的要求，另通过电路接点呈曲线不对称的排列也可形成电路接点的前后位置差，如此则可使电路接点与接触端子间的接触产生时间差，借助该时间差来设计不同电路特性的特殊功能。其中，插入端可以呈一弧状不对称型；或呈一边较高渐渐向另一边缩减的平顺弧状造型。经过本技术的实施，比较现有技术具有下列优点通过本技术的实施，除可使记忆卡达到防逆插的效果外，其整体的美观也可大幅提高。通过本技术的实施，可使记忆卡与读接装置插槽插合时能更佳顺畅，无不易对正插入的问题发生。通过本技术的实施，可形成电路接点的接触时间差，可以利用该时间差来设计不同电路特性的功能。通过本技术的实施，所有具有公知防逆插缺口的读写装置均可适用，无须因采用本记忆卡而需更换特定的读写装置。本技术不对称弧形插入端及呈不对称弧状排列的电路接点设计，可适用于各种规格型式的记忆卡使用(如多媒体卡(Multi Media Card)、智慧卡(Smart Media Card)、记忆棒(Memory Stick Card)等)。附图说明图1所示为本技术的仰视图；图2A所示为本技术的动作实施例图一；图2B所示为本技术的动作实施例图二；图2C所示为本技术的动作实施例图三；图3A所示为本技术的动作实施例图四；图3B所示为图3A中A部分的局部放大图；图4所示为本技术的实施例图一；图5所示为本技术的实施例图二。其中，附图标记说明如下 记忆卡1 插入端11 电路接点12读写装置2插槽21接触端子2具体实施方式以下特列举一实施例，以详细说明本技术的构造、作用及特征请参阅图1所示，其为本技术的仰视图，该图中揭示本技术的一种记忆卡1防逆插结构，其主要是将记忆卡1前缘的插入端11设计形成为一弧状或曲线不对称造型，而插入端11的外形以一边较高渐渐向另一边缩减的平顺弧状曲线为最佳实施形状，又记忆卡1底面前缘处则开设有至少一个以上的电路接点12(该电路接点的数量依记忆卡的规格及型式而定)，该电路接点12则依记忆卡1插入端11的外形呈弧状或曲线不对称的排列，通过插入端11的不对称造型的设计使记忆卡1形成一前后距离差，以达到其防逆插(即防呆)的要求，另外，通过电路接点12呈弧状不对称的排列也可形成电路接点12的前后位置差，如此则可使电路接点12与接触端子22间的接触产生时间差，借助该接触时间差的形成可应用于不同电路的特性需求，请同时参阅图3A。请参阅图2A、图2B及图2C，其所示分别为本技术的动作实施例图一、二及三，图中揭示通过本技术记忆卡1防逆插的设计原理主要是利用记忆卡1前缘弧形或曲线不对称造型与读写装置2的插槽21槽底缘相对的弧形或曲线不对称造型相配合所致，当记忆卡1方向正确时其前缘弧状插入端11即可与读写装置2插槽21的槽底完全贴合，如此记忆卡1即可正常运作进行数据的读取，反之，当记忆卡1错误反置逆插时，其记忆卡1前缘插入端11则无法与插槽21槽底面完全贴合接触，如此该记忆卡1则无法动作，如此即可达其防逆插(防呆)的效果；另由于本技术记忆卡1前缘插入端11呈弧状的设计，因此尽管使用的读写装置2为公知防逆插设计，本记忆卡1也可正常使用进行数据的转换及读写储存动作。请参阅图3A、图4及图5，其所示为本技术的动作实施例图四及实施例图一、二，图中揭示本技术的记忆卡1前缘至少一个以上的电路接点12依插入端11的造型形成弧状不对称排列，可使各电路接点12间同时形成前后位置差，如此当记忆卡1插设于读写装置2的插槽21内时，其最前端的电路接点12会先与接触端子22搭接形成一导通状态(此时其它电路接点尚未与各相对的接触端子搭接碰触)，待记忆卡1持续插入时其各电路接点12即会与各接触端子22依序搭接导通，借助该电路接点12前位置差所产生的接触时间差的特性，可用于设计不同电路特性的特殊功能，如读写装置的开机或联机设定等，而这些时间差的设计也可用于记忆卡1拔出时特殊功能的设计，如避免数据流失的暂存功能等；另外，本记忆卡1上的电路接点12的长度可依其需要适度加长，且该电路接头12也可依需要或记忆卡1的规格型式为前后双排并列的方式实施。综上所述，本技术所揭露的仅为较佳实施例而已，而并非用来限定本技术的范围，凡依本技术所作的等效变化或修改，均应包含在本技术的范围内。权利要求1.一种记忆卡防逆插结构，其特征在于，所述记忆卡前缘的插入端呈一曲线不对称型，并形成一前后距离差，所述记忆卡底面前缘处开设有至少一个电路接点，各电路接点依记忆卡插入端的外形呈弧状不对称排列，形成前后位置差。2.如权利要求1所述的记忆卡防逆插结构，其特征在于，所述插入端呈一弧状不对称型。3.如权利要求1所述的记忆卡防逆插结构，其特征在于，所述插入端呈一边较高渐渐向另一边缩减的平顺弧状造型。专利摘要一种记忆卡防逆插结构，其主要是将记忆卡前缘的插入端设计形成为一弧状不对称造型，而记忆卡底面前缘处则开设有至少一个以上的电路接点，该电路接点则依记忆卡插入端的外形呈弧状不对称排列，通过插入端的不对称造型的设计使记忆卡形成一前后距离差，以达到其防逆插(即防呆)的要求，另通过电路接点呈弧状不对称的排列也可形成电路接点的前后位置差，如此则可使电路接点与接触端子间的接触产生时间差，借助该接触时间差的形成可适用于不同电路特性需求。文档编号G06K19/06GK2638153SQ0327588公开日2004年9月1日 申请日期2003年7月31日本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：温国樑，张辉良，郑宗淦，
申请(专利权)人：希旺科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：