【技术实现步骤摘要】
本技术一种半导体存储卡,特别是一种使用FLASH闪速存储器的半导体存储卡。
技术介绍
现有技术中,使用FLASH闪速存储器的半导体存储卡,有多种形式和结构,如PCNCIA卡、SmartMedia卡、CompactFLashhe和Memory Stick等半导体存储卡,虽然它们具有基本相同内部结构,但是它们外部封装和接口连接形式各有不同,给不同的使用带来不便。
技术实现思路
为克服现有技术中,使用FLASH闪速存储器的半导体存储卡,外部封装和接口连接形式给不同的使用带来的不便,本技术设计一种半导体存储卡外部封装和接口连接形式以克服现有技术的不足。本技术解决其技术问题采取的技术方案是半导体存储卡是由存储卡壳体,闪速存储器、存储器控制芯片和闪速存储器与存储器控制芯片接口电路组成,闪速存储器、存储器控制芯片和闪速存储器与存储器控制芯片接口电路封装在矩形存储卡壳体内,在储卡壳体上,设有一组与控制芯片连接的接触片式拼脚,接触片式拼脚中,拼脚排列顺序为MC1数据线接口、MC0数据线接口、GND地线接口、MC-CLK时钟线接口、VDD电源线接口、预留数据线接口、预留数据线接口、GND地线接口、M2命令线接口、MC3数据线接口、MC2数据线接口。本技术的有益效果是,存储卡外观体积小,本技术实施例最小体积可达到长×宽×高尺寸为,18mm×12.4mm×1.4mm,携带方便,加工工艺简单,提高生产效率,提高产品成品优良率,同时给使用带来方便。以下结合附图对本技术进行详细说明。附附图说明图1为本技术电路框图。附图2为本技术结构示意图。附图中1矩形存储卡壳体、2控制芯片、3接触片式拼 ...
【技术保护点】
一种半导体存储卡:包括,存储卡壳体,闪速存储器、存储器控制芯片和闪速存储器与存储器控制芯片接口电路,其特征在于:A所述的闪速存储器(4)、存储器控制芯片(2)和闪速存储器(4)与存储器控制芯片(2)接口电路(6)连接后,封装在矩形存 储卡壳体(1)内,在储卡壳体(1)上,设有一组与控制芯片(2)连接的接触片式拼脚(3),B所述的接触片式拼脚(3)中,拼脚排列顺序为:MC1数据线接口(3-1)、MC0数据线接口(3-2)、GND地线接口(3-3)、MC-CLK时钟 线接口(3-4)、VDD电源线接口(3-5)、预留数据线接口(3-6)、预留数据线接口(3-7)、GND地线接口(3-8)、M2命令线接口(3-9)、MC3数据线接口(3-10)、MC2数据线接口(3-11)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:畅钟,谭丙奇,李晓艳,
申请(专利权)人:深圳市高网信息技术有限公司,
类型:实用新型
国别省市:94[中国|深圳]
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