一种大电流带隙基准源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大电流带隙基准源，包括市电电源、降压整流滤波模块、开关导通模块、过压保护模块、带隙基准模块以及输出电压模块，所述市电电源连接降压整流滤波模块，降压整流滤波模块连接开关导通模块，开关导通模块连接过压保护模块，过压保护模块连接带隙基准模块，带隙基准模块连接输出电压模块，与现有技术相比，本实用新型专利技术的有益效果是：本方案添加了过压保护电路，使得电路在过压情况下会断开电路，保证电路的安全运行，同时带隙基准电路处添加了电位器来改变阻值之间的变化，来达到改变输出电压的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种大电流带隙基准源
本技术涉及带隙基准电路，具体是一种大电流带隙基准源。
技术介绍
经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。现在有些带隙基准结构输出电压与带隙电压也不一致。要实现基准电压源所需解决的主要问题是如何提高其温度抑制与电源抑制，即如何实现与温度有确定关系且与电源基本无关的结构。由于在现实中半导体几乎没有与温度无关的参数，因此只有找到一些具有正温度系数和负温度系数的参数，通过合适的组合，可以得到与温度无关的量，且这些参数与电源无关。目前市场上的带隙基准电路往往都缺乏保护电路，使得电路的安全性存在疑问，往往会照成电路的损坏，需要改进。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种大电流带隙基准源，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种大电流带隙基准源，包括市电电源、降压整流滤波模块、开关导通模块、过压保护模块、带隙基准模块以及输出电压模块，所述市电电源连接降压整流滤波模块，降压整流滤波模块连接开关导通模块，开关导通模块连接过压保护模块，过压保护模块连接带隙基准模块，带隙基准模块连接输出电压模块。作为本技术再进一步的方案：所述降压整流滤波模块由变压器W、整流器T、π型滤波器Y所构成，开关导通模块由电容C1、开关S1、电阻R1、二极管D1、电阻R2所构成，过压保护模块由二极管D2、可控硅D3、二极管D4、继电器J2、开关S2所构成，带隙基准模块由CMOS管V1、CMOS管V2、CMOS管V3、放大器U1、三极管V4、三极管V5、电位器RP1、电位器RP2、电位器RP3、电阻R3所构成，输出电压模块由输出电压VOUT、电容C2所构成。变压器W的输入端连接市电电源，变压器W的输出端一端连接整流器T的1号引脚，变压器W的输出端另一端连接整流器T的3号引脚，整流器T的2号引脚连接π型滤波器Y的1号引脚，整流器T的4号引脚连接π型滤波器Y的2号引脚，π型滤波器Y的3号引脚连接电容C1、开关S1，π型滤波器Y的4号引脚连接电容C1的另一端，开关S1的另一端连接电阻R1，电阻R1的另一端连接二极管D1的正极、二极管D2的负极、可控硅D3的正极、开关S2，二极管D1的负极连接电阻R2，电阻R2的另一端接地，二极管D2的正极连接可控硅D3的控制极，可控硅D3的负极连接继电器J2、二极管D4的负极，二极管D4的正极连接继电器J2的另一端，继电器J2的另一端接地。开关S2的另一端连接CMOS管V1的电源端、CMOS管V2的电源端、CMOS管V3的电源端，CMOS管V1的接地端连接放大器U1的反相端、三极管V4的发射极、电位器RP1，电位器RP1的另一端接地，三极管V4的基极接地，三极管V4的集电极接地，放大器U1的同相端连接电阻R3、CMOS管V2的接地端、电阻R3、电位器RP2，电阻R3的另一端连接三极管V5的发射极、三极管V5的集电极接地、三极管V5的基极接地，电位器RP2的另一端接地，放大器U1的输出端连接CMOS管V1的输入端、CMOS管V2的输入端、CMOS管V3的输入端，CMOS管V3的接地端连接电位器RP3、输出电压VOUT、电容C2，电位器RP3的另一端接地，电容C2的另一端接地。作为本技术再进一步的方案：所述二极管D1为发光二极管，二极管D2、二极管D4为稳压二极管。作为本技术再进一步的方案：所述三极管V4、三极管V5为PNP三极管。作为本技术再进一步的方案：所述放大器U1信号为LM358。作为本技术再进一步的方案：所述可控硅D3的控制极与二极管D2的正极相连接。作为本技术再进一步的方案：所述整流器T由桥式整流电路所构成。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本方案添加了过压保护电路，使得电路在过压情况下会断开电路，保证电路的安全运行，同时带隙基准电路处添加了电位器来改变阻值之间的变化，来达到改变输出电压的目的。附图说明图1为一种大电流带隙基准源的原理图。图2为一种大电流带隙基准源的电路图。图3为放大器LM358的引脚图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1：请参阅图1，一种大电流带隙基准源，用于提供电源的市电电源、用于高伏交流电压变为低伏直流电压的降压整流滤波模块，用于电路导通的开关导通模块，用于电路过压断开电路的过压保护模块，用于消除温度带来影响的带隙基准模块，用于输出稳定电压的输出电源模块，所述市电电源连接降压整流滤波模块，降压整流滤波模块连接开关导通模块，开关导通模块连接过压保护模块，过压保护模块连接带隙基准模块，带隙基准模块连接输出电压模块。具体电路如图2所示，所述降压整流滤波模块由变压器W、整流器T、π型滤波器Y所构成，开关导通模块由电容C1、开关S1、电阻R1、二极管D1、电阻R2所构成，过压保护模块由二极管D2、可控硅D3、二极管D4、继电器J2、开关S2所构成，带隙基准模块由CMOS管V1、CMOS管V2、CMOS管V3、放大器U1、三极管V4、三极管V5、电位器RP1、电位器RP2、电位器RP3、电阻R3所构成，输出电压模块由输出电压VOUT、电容C2所构成。变压器W的输入端连接市电电源，变压器W的输出端一端连接整流器T的1号引脚，变压器W的输出端另一端连接整流器T的3号引脚，整流器T的2号引脚连接π型滤波器Y的1号引脚，整流器T的4号引脚连接π型滤波器Y的2号引脚，π型滤波器Y的3号引脚连接电容C1、开关S1，π型滤波器Y的4号引脚连接电容C1的另一端，变压器W将高伏交流电变为低伏交流电，整流器T将低伏交流电变为低伏直流电，π型滤波器将不平稳的直流电变为平稳的直流电，开关S1的另一端连接电阻R1，电阻R1的另一端连接二极管D1的正极、二极管D2的负极、可控硅D3的正极、开关S2，二极管D1的负极连接电阻R2，电阻R2的另一端接地，二极管D2的正极连接可控硅D3的控制极，可控硅D3的负极连接继电器J2、二极管D4的负极，二极管D4的正极连接继电器J2的另一端，继电器J2的另一端接地，继电器J2工作时，开关S2弹开，继电器J2不工作时，开关S2闭合。开关S2的另一端连接CMOS管V1的电源端、CMOS管V2的电源端、CMOS管V3的电源端，CMOS管V1的接地端连接放大器U1的反相端、三极管V4的发射极、电位器RP1，电位器RP1的另一端接地，三极管V4的基极接地，三极管V4的集电极接地，放大器U1的同相端连接电阻R3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大电流带隙基准源，包括市电电源、降压整流滤波模块、开关导通模块、过压保护模块、带隙基准模块以及输出电压模块，其特征在于，所述市电电源连接降压整流滤波模块，降压整流滤波模块连接开关导通模块，开关导通模块连接过压保护模块，过压保护模块连接带隙基准模块，带隙基准模块连接输出电压模块，所述降压整流滤波模块由变压器W、整流器T、π型滤波器Y所构成，开关导通模块由电容C1、开关S1、电阻R1、二极管D1、电阻R2所构成，过压保护模块由二极管D2、可控硅D3、二极管D4、继电器J2、开关S2所构成，带隙基准模块由CMOS管V1、CMOS管V2、CMOS管V3、放大器U1、三极管V4、三极管V5、电位器RP1、电位器RP2、电位器RP3、电阻R3所构成，输出电压模块由输出电压VOUT、电容C2所构成，/n变压器W的输入端连接市电电源，变压器W的输出端一端连接整流器T的1号引脚，变压器W的输出端另一端连接整流器T的3号引脚，整流器T的2号引脚连接π型滤波器Y的1号引脚，整流器T的4号引脚连接π型滤波器Y的2号引脚，π型滤波器Y的3号引脚连接电容C1、开关S1，π型滤波器Y的4号引脚连接电容C1的另一端，开关S1的另一端连接电阻R1，电阻R1的另一端连接二极管D1的正极、二极管D2的负极、可控硅D3的正极、开关S2，二极管D1的负极连接电阻R2，电阻R2的另一端接地，二极管D2的正极连接可控硅D3的控制极，可控硅D3的负极连接继电器J2、二极管D4的负极，二极管D4的正极连接继电器J2的另一端，继电器J2的另一端接地，/n开关S2的另一端连接CMOS管V1的电源端、CMOS管V2的电源端、CMOS管V3的电源端，CMOS管V1的接地端连接放大器U1的反相端、三极管V4的发射极、电位器RP1，电位器RP1的另一端接地，三极管V4的基极接地，三极管V4的集电极接地，放大器U1的同相端连接电阻R3、CMOS管V2的接地端、电阻R3、电位器RP2，电阻R3的另一端连接三极管V5的发射极、三极管V5的集电极接地、三极管V5的基极接地，电位器RP2的另一端接地，放大器U1的输出端连接CMOS管V1的输入端、CMOS管V2的输入端、CMOS管V3的输入端，CMOS管V3的接地端连接电位器RP3、输出电压VOUT、电容C2，电位器RP3的另一端接地，电容C2的另一端接地。/n...

【技术特征摘要】
1.一种大电流带隙基准源，包括市电电源、降压整流滤波模块、开关导通模块、过压保护模块、带隙基准模块以及输出电压模块，其特征在于，所述市电电源连接降压整流滤波模块，降压整流滤波模块连接开关导通模块，开关导通模块连接过压保护模块，过压保护模块连接带隙基准模块，带隙基准模块连接输出电压模块，所述降压整流滤波模块由变压器W、整流器T、π型滤波器Y所构成，开关导通模块由电容C1、开关S1、电阻R1、二极管D1、电阻R2所构成，过压保护模块由二极管D2、可控硅D3、二极管D4、继电器J2、开关S2所构成，带隙基准模块由CMOS管V1、CMOS管V2、CMOS管V3、放大器U1、三极管V4、三极管V5、电位器RP1、电位器RP2、电位器RP3、电阻R3所构成，输出电压模块由输出电压VOUT、电容C2所构成，
变压器W的输入端连接市电电源，变压器W的输出端一端连接整流器T的1号引脚，变压器W的输出端另一端连接整流器T的3号引脚，整流器T的2号引脚连接π型滤波器Y的1号引脚，整流器T的4号引脚连接π型滤波器Y的2号引脚，π型滤波器Y的3号引脚连接电容C1、开关S1，π型滤波器Y的4号引脚连接电容C1的另一端，开关S1的另一端连接电阻R1，电阻R1的另一端连接二极管D1的正极、二极管D2的负极、可控硅D3的正极、开关S2，二极管D1的负极连接电阻R2，电阻R2的另一端接地，二极管D2的正极连接可控硅D3的控制极，可控硅D3的负极连接继电器J2、二极管D4的负极，二极管D4的正极连接继电器J2...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋荣方，
申请(专利权)人：南京瑞宽通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32