一种半导体激光器巴条及其制造方法、电子设备技术

本申请公开了半导体激光器巴条及其制造方法、电子设备。该半导体激光器巴条包括：衬底，第一绝缘层、多个半导体激光器单元和连接层。第一绝缘层，设置于衬底上；多个半导体激光器单元设置于第一绝缘层远离衬底的表面上，每个半导体激光器单元设有第一电极和第二电极；连接层设置于相邻的两个半导体激光器单元之间，用于连接半导体激光器单元的第一电极和另一半导体激光器单元的第二电极，或者用于连接半导体激光器单元的第二电极和另一半导体激光器单元的第一电极。因此，本申请提供的半导体激光器巴条的多个半导体激光器单元相互之间通过连接层串联设置，以使半导体激光器巴条的功率易于得到控制，保持光功率的一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器巴条及其制造方法、电子设备
本申请涉及半导体激光器
，特别是涉及一种半导体激光器巴条及其制造方法、电子设备。
技术介绍
由于半导体激光器具有体积小、重量轻、电光转换效率高、寿命长和可靠性高等优点，已在通讯、医疗、显示、工业制作和安防等领域逐渐取代了气体和固体激光器的使用，其应用范围也在逐步扩展。现有技术中的半导体激光器巴条通常将多个半导体激光器单元设置在同一衬底和绝缘层上，并且多个半导体激光器单元并联设置。本申请的专利技术人在长期研究中发现，现有技术中的半导体激光器巴条上的各个半导体激光器单元之间并联设置，需要在每个半导体激光器单元上单独打线，且打线时产生的应力对半导体激光器单元的光电特性会有劣化影响，同时并联多路控制下电路复杂且很难保证各半导体激光器单元的光功率等光电特性的一致性，且制造工艺复杂。
技术实现思路
本申请的主要目的是提供一种半导体激光器巴条及其制造方法、电子设备，旨在解决上述技术问题。为解决上述问题，本申请采取的一个技术方案是提供了一种半导体激光器巴条，该半导体激光器巴条包括：衬底；第一绝缘层，设置于所述衬底上；多个半导体激光器单元，设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的表面上，每个所述半导体激光器单元设有第一电极和第二电极；连接层，设置于相邻的两个所述半导体激光器单元之间，用于连接所述半导体激光器单元的第一电极和另一所述半导体激光器单元的第二电极，或者用于连接所述半导体激光器单元的第二电极和另一所述半导体激光器单元的第一电极。为解决上述问题，本申请采取的另一个技术方案是提供了一种电子设备，该电子设备包括上述半导体激光器巴条。为解决上述问题，本申请采取的另一个技术方案是提供了一种半导体激光器巴条的制造方法，该半导体激光器巴条的制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上设置第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述衬底的表面上设置多个半导体激光器单元，其中每个所述半导体激光器单元设有第一电极和第二电极；通过连接层连接所述半导体激光器单元的第一电极和相邻设置的所述半导体激光器单元的第二电极，或者用于连接所述半导体激光器单元的第二电极和相邻设置的所述半导体激光器单元的第一电极。与现有技术相比，本申请提供的半导体激光器巴条包括：衬底，第一绝缘层、多个半导体激光器单元和连接层。第一绝缘层，设置于衬底上；多个半导体激光器单元设置于第一绝缘层远离衬底的表面上，每个半导体激光器单元设有第一电极和第二电极；连接层设置于相邻的两个半导体激光器单元之间，用于连接半导体激光器单元的第一电极和另一半导体激光器单元的第二电极，或者用于连接半导体激光器单元的第二电极和另一半导体激光器单元的第一电极。因此，本申请提供的半导体激光器巴条的多个半导体激光器单元相互之间通过连接层串联设置，从而只需要在半导体激光器巴条的两端打线，避免在对某一个半导体激光器单元进行封装打线时对其他半导体激光器单元的光导波的产生影响。并且相对于常规并联打线的半导体激光器巴条，本申请提供的串联设置的半导体激光器巴条的功率易于得到控制，保持光功率的一致性。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请提供的巴条的一实施例结构示意图；图2是本申请提供的半导体激光器巴条的一实施例结构示意图；图3是本申请提供的半导体激光器巴条的另一实施例结构示意图；图4是本申请提供的有源区的一实施例结构示意图；图5是本申请提供的半导体激光器巴条的一实施例中在衬底上设置第一绝缘层的结构示意图；图6是本申请提供的半导体激光器巴条的一实施例中在第一绝缘层上设置导电层和有源区的结构示意图；图7是本申请提供的半导体激光器巴条的一实施例中在导电层和有源区开设沟槽的结构示意图；图8是本申请提供的半导体激光器巴条的一实施例中在导电层和有源区设置第二绝缘层的结构示意图；图9是本申请提供的半导体激光器巴条的一实施例中设置连接层的结构示意图。附图标号：巴条20；N面电极21；衬底基板22；有源层23；绝缘层24；P面电极25；半导体激光器巴条10；衬底100；第一绝缘层200；半导体激光器单元300；第一电极310；第二电极320；有源区332；P型包层3327；P型波导层3326；第二量子阱层3325；势垒层3324；第一量子阱层3323；N型波导层3322；N型包层3321；导电层331；连接层400；沟槽500；第二绝缘层600；第一窗口610；第二窗口620；台阶700。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。参见图1，图1是本申请提供的巴条20的一实施例结构示意图。如图1所示，巴条20包括多个激光器单元，每个激光器单元包括衬底基板22、绝缘层24、有源层23、P面电极25和N面电极21。其中衬底基板22设置在N面电极21的一表面上，绝缘层24、有源层23和P面电极25设置于衬底基板22远离N面电极21的表面上。相邻两个激光器单元之间并联设置，因此，图1中使用巴条20时需要对每个激光器单元单独供电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器巴条，其特征在于，所述半导体激光器巴条包括：/n衬底；/n第一绝缘层，设置于所述衬底上；/n多个半导体激光器单元，设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的表面上，每个所述半导体激光器单元设有第一电极和第二电极；/n连接层，设置于相邻的两个所述半导体激光器单元之间，用于连接所述半导体激光器单元的第一电极和另一所述半导体激光器单元的第二电极，或者用于连接所述半导体激光器单元的第二电极和另一所述半导体激光器单元的第一电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器巴条，其特征在于，所述半导体激光器巴条包括：
衬底；
第一绝缘层，设置于所述衬底上；
多个半导体激光器单元，设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的表面上，每个所述半导体激光器单元设有第一电极和第二电极；
连接层，设置于相邻的两个所述半导体激光器单元之间，用于连接所述半导体激光器单元的第一电极和另一所述半导体激光器单元的第二电极，或者用于连接所述半导体激光器单元的第二电极和另一所述半导体激光器单元的第一电极。


2.根据权利要求1所述的半导体激光器巴条，其特征在于，每个所述半导体激光器单元包括：
导电层，设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的表面上；
有源区，设置于所述导电层远离所述第一绝缘层的表面上；
第二绝缘层，设置于所述导电层与所述有源区上，所述连接层设置于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面上。


3.根据权利要求2所述的半导体激光器巴条，其特征在于，
相邻设置的两个所述半导体激光器单元之间设置有沟槽，以使多个所述半导体激光器单元间隔设置。


4.根据权利要求2所述的半导体激光器巴条，其特征在于，
所述有源区在所述衬底上的投影面积小于所述导电层在所述衬底上的投影面积，以在所述导电层上形成台阶。


5.根据权利要求4所述的半导体激光器巴条，其特征在于，所述第二绝缘层设置有第一窗口和第二窗口；
所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡海，邱于珍，
申请(专利权)人：深圳瑞波光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44