集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆制造技术

提出了一种集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆。该晶圆具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，该第一表面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的再布线金属层图案，第二表面上制作有背面金属层，该背面金属层被构图具有背面金属层图案，所述背面金属层图案使该背面金属层减小所述再布线金属层对该晶圆的应力。

【技术实现步骤摘要】
集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆
本公开的实施例涉及集成电路，特别地，涉及集成电路单元及制作有集成电路单元的晶圆。
技术介绍
在晶圆上制作半导体集成电路的过程中，通常需要在晶圆的正面制作再布线金属层以及金属接触以允许集成电路与外部电路进行电气连接和信号交换。然而，在热回流工序后，由于再布线金属层及金属接触的应力等因素会导致晶圆翘曲或发生变形弯曲，会影响最终产品良率。
技术实现思路
本公开的一个实施例提出了一种一种集成电路单元，包括晶片，具有正面以及与该正面相对的背面，其中该正面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的第一布线图案，该背面上制作有背面金属层，该背面金属层被构图具有第二布线图案，所述第二布线图案使该背面金属层减小所述再布线金属层对该晶片的应力。根据本公开的一个实施例，该再布线金属层被构图后制作成多段再布线金属走线，该多段再布线金属走线的布图图案构成所述设定的第一布线图案。根据本公开的一个实施例，该背面金属层被构图后制作成多段背面金属走线，该多段背面金属走线的走线轨迹构成所述第二布线图案。根据本公开的一个实施例，所述第二布线图案与所述第一布线图案相同。根据本公开的一个实施例，在所述背面的与所述正面相对应的位置处，所述背面上的所述第二布线图案与所述正面上的所述第一布线图案相同。根据本公开的一个实施例，所述多段背面金属走线中的那些尺寸大于等于第一设定尺寸的背面金属走线分割为由小于等于第二设定尺寸的金属块拼成。根据本公开的一个实施例，所述多段背面金属走线中的每段背面金属走线分割为由小于等于第二设定尺寸的金属块拼成。根据本公开的一个实施例，所述所述第一设定尺寸为400μm。所述第二定尺寸为200μm。根据本公开的一个实施例，所述背面金属层的厚度在7μm-20μm的范围。根据本公开的一个实施例，所述背面金属层包括贴附所述背面的第一金属层和制作于该第一金属层上的第二金属层，该第二金属层的厚度小于该第一金属层的厚度。根据本公开的一个实施例，所述背面金属层被构图为由多个设定形状的金属块分布于所述背面上。在一个实施例中，所述多个设定形状的金属块均匀分布于所述背面上。在一个实施例中，每个金属块具有设定的尺寸，所述设定的尺寸在小于等于200μm*200μm的范围之内。本公开的另一个实施例提出了一种制作有集成电路单元的晶圆，包括：第一表面，该第一表面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的再布线金属层图案；以及第二表面，与该第一表面相对，其中该第二表面上制作有背面金属层，该背面金属层被构图具有背面金属层图案，所述背面金属层图案使该背面金属层减小所述再布线金属层对该晶圆的应力。根据本公开的一个实施例，该晶圆第一表面上的该再布线金属层被构图后制作成多段再布线金属走线，该多段再布线金属走线的布图图案构成所述设定的再布线金属层图案。根据本公开的一个实施例，该晶圆中制作有多个集成电路单元，对该晶圆第一表面上的该再布线金属层构图以针对每个集成电路单元形成每个集成电路单元的再布线金属层，每个集成电路单元的再布线金属层具有设定的第一布线图案。其中所述再布线金属层图案由所述多个集成电路单元的再布线金属层的所述设定的第一布线图案的集合构成。根据本公开的一个实施例，该晶圆第二表面上的该背面金属层被构图后制作成多段背面金属走线，该多段背面金属走线的走线轨迹构成所述背面金属层图案。根据本公开的一个实施例，所述背面金属层图案与所述再布线金属层图案相同。根据本公开的一个实施例，在所述第二表面的与所述第一表面相对应的位置处，所述第二表面上的所述背面金属层图案与所述第一表面上的所述再布线金属层图案相同。根据本公开的一个实施例，对该晶圆第二表面上的所述背面金属层构图以针对每个集成电路单元形成每个集成电路单元的背面金属层，每个集成电路单元的背面金属层具有设定的第二布线图案。其中所述背面金属层图案由所述多个集成电路单元的背面金属层的所述设定的第二布线图案的集合构成。根据本公开的一个实施例，对该晶圆第二表面上的所述背面金属层构图为由多个设定形状的金属块分布于所述第二表面上。在一个实施例中，所述多个设定形状的金属块均匀分布于所述第二表面上。在晶圆的第二表面上制作所述背面金属层有助于矫正或削减由于在其第一表面上制作所述再布线金属层可能引起的晶圆的翘曲，从而提升产品良率。附图说明下面的附图有助于更好地理解接下来对本公开实施例的描述。为简明起见，不同附图中相同或类似的组件或结构采用相同的附图标记。图1A示意出了根据本公开一实施例的制作有集成电路的晶圆100的第一表面100T在X-Y平面上的俯视示意图。图1B示意出了根据本公开一实施例的该晶圆100的第二表面100B在X-Y平面上的俯视示意图。图1C示意出了根据本公开一变型实施例的该晶圆100的第二表面100B在X-Y平面上的俯视示意图。图1D示意出了根据本公开又一变型实施例的该晶圆100的第二表面100B在X-Y平面上的俯视示意图。图1E示意出了根据本公开再一变型实施例的该晶圆100的第二表面100B在X-Y平面上的俯视示意图。图1F示意出了根据本公开另一变型实施例的该晶圆100的第二表面100B在X-Y平面上的俯视示意图。图1G示意出了根据本公开另一变型实施例的该晶圆100的第二表面100B在X-Y平面上的俯视示意图。图2A示意出了根据本公开又一变型实施例的制作有集成电路的晶圆200的第一表面200T在X-Y平面上的俯视示意图。图2B示意出了根据本公开一实施例的该晶圆200的第二表面200B在X-Y平面上的俯视示意图。具体实施方式在下面对本公开的详细描述中，为了更好地理解本公开的实施例，描述了大量的电路、元件、方法等的具体细节。本领域技术人员将理解，即使缺少一些细节，本公开同样可以实施。为清晰明了地阐述本公开，一些为本领域技术人员所熟知的细节在此不再赘述。图1A示意出了根据本公开一实施例的制作有集成电路的晶圆100的正面侧的平面俯视图。图1A可以看作是在相互垂直的X轴、Y轴和Z轴定义的垂直坐标系中示意出了该晶圆100的第一表面(可以被提及为正面)100T在X-Y平面上的俯视示意图。目前用于制作集成电路的晶圆主要包括制作成直径为8英寸以及12英寸的圆形半导体材料，然而本公开并不用于对晶圆100的尺寸和材质进行限定。如图1A的示例，该晶圆100中制作有多个集成电路单元101,以虚线示意出各集成电路单元101之间的边界。本领域的技术人员应该理解，晶圆100在之后的工序中将被沿Z轴以所示意的虚线边界切割成各自独立的集成电路单元101，每个独立的集成电路单元101用于实现一定的电路功能，以满足其被应用于更大的电路系统中时所需要实现或所需要提供的作用。将晶圆100切割直接获得的每个集成电路单元101也可以称为集成电路晶片或集成电路裸片。对这样的集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路单元，包括：/n晶片，具有正面以及与该正面相对的背面，其中该正面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的第一布线图案，该背面上制作有背面金属层，该背面金属层被构图具有第二布线图案，所述第二布线图案使该背面金属层减小所述再布线金属层对该晶片的应力。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成电路单元，包括：
晶片，具有正面以及与该正面相对的背面，其中该正面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的第一布线图案，该背面上制作有背面金属层，该背面金属层被构图具有第二布线图案，所述第二布线图案使该背面金属层减小所述再布线金属层对该晶片的应力。


2.如权利要求1所述的集成电路单元，其中，该再布线金属层被构图后制作成多段再布线金属走线，该多段再布线金属走线的布图图案构成所述设定的第一布线图案。


3.如权利要求1所述的集成电路单元，其中，该背面金属层被构图后制作成多段背面金属走线，该多段背面金属走线的走线轨迹构成所述第二布线图案。


4.如权利要求3所述的集成电路单元，其中，所述第二布线图案与所述第一布线图案相同。


5.如权利要求3所述的集成电路单元，其特征在于，在所述背面的与所述正面相对应的位置处，所述背面上的所述第二布线图案与所述正面上的所述第一布线图案相同。


6.如权利要求3-5其中之一所述的集成电路单元，其中，所述多段背面金属走线中的那些尺寸大于等于第一设定尺寸的背面金属走线分割为由小于等于第二设定尺寸的金属块拼成。


7.如权利要求6所述的集成电路单元，其中，所述第一设定尺寸为400μm。


8.如权利要求6所述的集成电路单元，其中，所述第二定尺寸为200μm。


9.如权利要求3-5其中之一所述的集成电路单元，其中，所述多段背面金属走线中的每段背面金属走线分割为由小于等于第二设定尺寸的金属块拼成。


10.如权利要求9所述的集成电路单元，其中，所述第二定尺寸为200μm。


11.如权利要求1所述的集成电路单元，其中，所述背面金属层的厚度在7μm-20μm的范围。


12.如权利要求1所述的集成电路单元，其中，所述背面金属层包括贴附所述背面的第一金属层和制作于该第一金属层上的第二金属层，该第二金属层的厚度小于该第一金属层的厚度。


13.如权利要求1所述的集成电路单元，其中，所述背面金属层被构图为由多个设定形状的金属块分布于所述背面上。


14.如权利要求13所述的集成电路单元，其中所述多个设定形状的金属块均匀分布于所述背面上。


15.如权利要求13所述的集成电路单元，其中每个金属块具有设定的尺寸，所述设定的尺寸在小于等于200μm*200μm的范围之内。


16.一种制作有集成电路单元的晶圆，包括：
第一表面，该第一表面上制作有再布线金属层，该再布线金属层被构图具有设定的再布线金属层图案；以及
第二表面，与该第一表面相对，其中该第二表面上制作有背面金属层，该背面金属层被构图具有背面金属层图案，所述背面金属层图案使该背面金属层减小所述再布线金属层对该晶圆的应力。


17.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯丽巍，汪苏伟，李恒，姚泽强，赵君健，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51