晶圆检验方法技术

一种晶圆检验方法，特别是用来侦测巨观上的缺陷，其特征在于其包括以下步骤：在晶圆上选取一种比较区且由此比较区而产生一种比较图，此比较图与一参考图相比较。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种用来侦测巨观的缺陷的。
技术介绍
在半导体制造时，晶圆在制造过程期间依序在多个步骤中进行处理，其中在晶圆上须制成多个相同的可复原的结构元件，其即为所谓“晶粒(Dies)”。随着积体密度逐渐增加，则对晶圆上所形成的结构的品质上的要求亦已提高。为了可对所形成的结构的品质进行检验且在各种情况下可发现已存在的缺陷，则对操控该晶圆所用的各构件和制程中的各步骤的品质，准确性和可再生性的需求亦应相对应地提高。这表示在以多个步骤和即将涂布在光阻-或类似物上的层来制造晶圆时，能可靠地提早辨认各别结构中的缺陷是特别重要的。在进行各别的步骤之后，对所获得的品质进行检验是有利的。因此，例如在微影术之后，制程期间以及在下一步骤之前都应能可靠地对各别所达成的品质进行评价。然后，在进行每一步骤之后且在制程结束之前须确定若晶圆或晶圆上所形成的结构有缺陷，则此晶圆可直接剔除而不必进行以后的各步骤。同样，有缺陷的晶圆可分开再处理，直至令人满意的品质达到为止。以此种方式可使半导体制程中的效率和效益提高。在以光学方式来辨认缺陷时，适当的方式是在半导体晶圆涂布漆层时藉由厚度的变动来考虑系统上的缺陷，以便使半导体晶圆上未含有缺陷的位置不需作标记。特殊的光学装置适合用来检验晶圆的表面。因此，表面的检查例如由EP 455 857中已为人所知，藉由此种检查可对由晶圆表面反射回来的光束进行评估。为了发现半导体晶圆上的巨观缺陷，则唯一的晶圆上的各晶粒须以所谓晶粒对晶粒的方法来进行比较。藉由高准确性的过程而在晶圆上形成很均匀的结构。因此，当制程中未存在“干扰”时，由晶粒所摄取的图像在每一情况下都是相同的，“干扰”对晶粒的形成有不良的影响。二个图像之间所形成的全部的差异因此可解释成“缺陷”。此种方法例如已描述在US2004/0105578 A1中，此种“比较”当然只可对晶圆的具有相同晶粒的区域来进行。因此，上述方式只适用于具有所谓生产性晶粒的区域。晶圆的其它区域(其具有测试阵列或具有“无结构的领域”或位于晶圆的边缘上)不能以上述方式来检验。当然，已显示的事实是由上述的“其它区域”亦可获得重要资讯，其对提早辨认缺陷会有帮助或可使缺陷提早被辨认。于是，一些在施加漆层时会产生的问题特别是可提早在晶圆的边缘上被辨认出，此乃因这些问题首先会在边缘上产生且然后随着制程期间的增长而继续向中央延伸。若未检查上述的其它区域，则不能辨认其上的缺陷。这样会使缺陷稍后形成在生产性晶粒上而使晶圆不能使用。此处，一晶圆对一晶圆的比较可提供帮助，其中一晶圆大部份完全以一种所谓单发(one-shot)方法来与随后所产生的第二晶圆相比较。此种方法当然需要使很大数量的资料互相比较且因此会使测试的速率下降很多。相较于晶粒对晶粒的比较而言，此处所述的方法亦与机械容许度(Tolerance)有关，机械容许度在生产二个依序相随的晶圆时是可以察觉的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种新的，所要解决的技术问题是使其尽可能可提早辨认所产生的缺陷，此外，本专利技术亦提供一种进行本方法所用的装置，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种，特别是用来侦测巨观上的缺陷，其包括以下步骤在晶圆上选取一种比较区且由此比较区而产生一种比较图，此比较图与一参考图相比较。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的，其中首先经由一使用者介面以选取一选取区且然后由此选取区以自动方式或人工方式来决定该比较区，使该比较区成为该选取区的一部份区域。前述的，其中所述的选取区是在一学习模式中选取。前述的，其中所述的比较区以一种几何形的基本形式来形成，特别是以长方形来形成。前述的，其中须选取该比较区，使其包含该晶圆的边缘。前述的，其中须选取该比较区，使其对各别的晶圆具有各别标记，这些标记特别是藉由所谓排除区而由比较过程中排除。前述的，其中所述的排除区具有一种任意的几何形状。前述的，其中所述的几何形式是长方形的形式。前述的，其中设在晶圆上的晶粒以一种晶粒对晶粒的比较过程来进行比较。因此，藉由本专利技术可提供一种半导体晶圆上的巨观缺陷的侦测方法，其中不是使用目前所进行的晶圆对晶圆的比较(此种比较过程中须考虑整个晶圆以进行比较)而是只选取晶圆中特定的比较区以进行比较。然后，此种比较亦只限制在已选取的比较区上才可进行。因此，较佳是经由使用者-介面(Interface)来选取各个比较区。藉助于使用者，则首先即可确定一种选取区，然后以自动方式或人工方式由此选取区来决定一种特别是长方形形式的比较区。此比较区因此是先前已决定的选取区的一部份区域。于是，即将进行的比较所依据的资料量可大大地减少。藉由使用者所发出的对选取区的决定，则这些区域(其中已为人所知的是各缺陷在时间上首先可被查觉)可考虑作为比较区。典型上这些作为比较区的区域特别是在晶圆涂布漆层时是晶圆的边缘区域。因此，自我显露的制造上的缺陷可提早被辨认且会在制程中造成干扰。较佳是在一种所谓学习模式中决定上述的选取区，此学习模式中须对所有其它的比较来决定此选取区。在学习模式中以自动方式或同样亦可以人工方式而由此选取区中决定该比较区，使比较区成为选取区的一部份。因此，较佳是确定此种未含有生产性晶粒的比较区。生产性晶粒毕竟是相同的结构元件，其应在制程中无缺陷地制成且因此配置在至晶圆边缘的一种确定的距离中。晶圆上通常亦设有各别的元件，例如，晶圆辨认件或条码，其位于已选取的比较区中，这些元件然后在一种所谓排除区中由比较过程中排除，以便可进行晶圆对晶圆的比较过程。非生产性的区域可藉助于上述方法而在晶圆对晶圆的比较中进行检验，而生产性晶粒的检验则可在晶粒对晶粒的比较过程中进行，这可与前者同时或依序进行。经由上述可知，本专利技术是有关于一种。为了检验一种晶圆，目前所用的方式是对整个晶圆进行一种晶圆对晶圆的比较。为了确保可提早辨认此晶圆上的缺陷或缺陷发展情况，则一种晶圆对晶圆的比较过程只限制在可由使用者所选取的特定的比较区上。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图1是一种已划分成选取区和比较区的晶圆的图解。图2是本专利技术的方法的流程图。10晶圆 12晶粒 14选取区 16非生产性的区域18非生产性的区域中的测试结构20晶圆中央的测试结构 22比较区24晶圆的边缘 26各别标记27排除区 28比较图30参考图 32对准过程34照明修正 36比较37消失具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的其具体实施方式、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。图1显示一种晶圆10，其上施加多个相同的结构(所谓晶粒12)。在一般的晶粒对晶粒的比较中，这些晶粒12须互相比较且各晶粒12之间所发现的差异可视为缺陷。现在为了可提早指出制程上可变的各种条件或提早确定所显露的缺陷，则本专利技术中的比较过程亦需扩大至非生产性的区域。当然，此时须使用晶圆对晶圆的比较过程。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乔吉·里雀尔，岱特雷夫·麦克森，
申请(专利权)人：莱卡显微系统半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：