本实用新型专利技术属于晶圆切割进料技术领域，尤其一种用于晶圆切割的进料装置，包括进料板，所述进料板前侧面开设有横向滑槽，所述切割平台内部下表面中部固定连接有第二气体发生箱，所述第二气体发生箱上方固定连接有第一气体发生箱，所述出气管下端固定连接有第一气体发生箱上表面中部，所述第二气体发生箱左右两侧中部均固定连接有连接管，所述吸气管下端固定连接有连接管，所述滑块左侧面中部固定连接有气动伸缩杆的右端，所述气动伸缩杆左端套接滑动连接有气缸，该用于晶圆切割的进料装置具有晶圆落到切割平台上的过程中会缓慢下降，减小晶圆和切割平台接触时的冲击力，避免了对晶圆造成损伤的特点。造成损伤的特点。造成损伤的特点。
【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆切割的进料装置
[0001]本技术涉及晶圆切割进料
，尤其涉及一种用于晶圆切割的进料装置。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工一片或多片晶圆。
[0003]把晶圆放置在切割平台上，需要进料装置进行输送，从进料装置上把晶圆放置在切割平台上，往往是晶圆与进料装置相脱离后直接落入到切割平台上，晶圆落在切割平台上会产生较大的冲击力，对晶圆造成损伤，影响晶圆的后期加工。
[0004]为解决上述问题，本申请中提出一种用于晶圆切割的进料装置。
技术实现思路
[0005](一)技术目的
[0006]为解决
技术介绍
中存在的技术问题，本技术提出一种用于晶圆切割的进料装置，具有晶圆落到切割平台上的过程中会缓慢下降，减小晶圆和切割平台接触时的冲击力，避免了对晶圆造成损伤的特点。
[0007](二)技术方案
[0008]为解决上述问题，本技术提供了一种用于晶圆切割的进料装置，包括进料板，所述进料板前侧面开设有横向滑槽，所述横向滑槽滑动连接有滑块，所述滑块前侧面中部固定连接有承重块，所述承重块上表面固定连接有L型支撑架竖直部分的下端，所述L型支撑架的水平部分后端下表面固定连接有第一连接杆的上端，所述第一连接杆下端固定连接有取料圆盘上表面中部，所述取料圆盘内部上表面中部固定连接有真空发生器，所述取料圆盘下表面间隔均匀开设有吸附通孔，所述进料板后侧面靠右侧固定连接有承重杆的前端，所述承重杆后端上表面固定连接有第二连接杆的下端，所述第二连接杆的上端固定连接有切割平台的下表面中部，所述切割平台上表面固定连接有若干个吸气管，所述切割平台上表面中部固定连接有出气管，所述吸气管关于出气管对称放置，所述切割平台内部下表面中部固定连接有第二气体发生箱，所述第二气体发生箱上方固定连接有第一气体发生箱，所述出气管下端固定连接有第一气体发生箱上表面中部，所述第二气体发生箱左右两侧中部均固定连接有连接管，所述吸气管下端固定连接有连接管，所述横向滑槽中部靠右侧固定连接有接触式开关，所述滑块左侧面中部固定连接有气动伸缩杆的右端，所述气动伸缩杆左端套接滑动连接有气缸。
[0009]优选的，所述出气管的出风量小于吸气管的进风量。
[0010]优选的，所述接触式开关的左侧面和切割平台纵向中心线位于同一条直线上。
[0011]优选的，所述气缸固定连接在挡板的左侧面，所述挡板位于横向滑槽的左侧。
[0012]优选的，所述气缸、真空发生器和第一气体发生箱以及第二气体发生箱均电性连接于接触式开关。
[0013]优选的，所述取料圆盘下表面高于切割平台上表面。
[0014]优选的，所述吸气管和连接管以及第二气体发生箱呈一体化贯通。
[0015]本技术的上述技术方案具有如下有益的技术效果：
[0016]该用于晶圆切割的进料装置，通过设置的取料圆盘、滑块、横向滑槽和切割平台，取料圆盘通过真空发生器和吸附通孔的作用下，把晶圆进行吸附，滑块在横向滑槽中移动，把取料圆盘上的晶圆送到切割平台中部正上方，晶圆在落到切割平台的过程中，吸气管把晶圆向下吸，出气管排出的风会把晶圆顶起，使得晶圆缓慢落平稳到切割平台上表面中部，对晶圆的下落起到缓冲的作用，从而达到了具有晶圆落到切割平台上的过程中会缓慢下降，减小晶圆和切割平台接触时的冲击力，避免了对晶圆造成损伤的效果。
附图说明
[0017]图1为本技术的整体结构示意图；
[0018]图2为本技术的切割平台内部结构示意图；
[0019]图3为本技术的取料圆盘内部结构示意图；
[0020]图4为本技术的气缸和气动伸缩杆结构示意图。
[0021]图中：1、进料板；2、取料圆盘；3、第一连接杆；4、L型支撑架；5、气缸；6、承重块；7、接触式开关；8、横向滑槽；9、第二连接杆；10、切割平台；11、出气管；12、吸气管；13、连接管；14、第一气体发生箱；15、第二气体发生箱；16、真空发生器；17、吸附通孔；18、挡板；19、气动伸缩杆；20、滑块；21、承重杆。
具体实施方式
[0022]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本技术进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本技术的概念。
[0023]如图1
‑
4所示，本技术提出的一种用于晶圆切割的进料装置，包括进料板1，进料板1前侧面开设有横向滑槽8，横向滑槽8滑动连接有滑块20，滑块20前侧面中部固定连接有承重块6，承重块6上表面固定连接有L型支撑架4竖直部分的下端，L型支撑架4的水平部分后端下表面固定连接有第一连接杆3的上端，第一连接杆3下端固定连接有取料圆盘2上表面中部，取料圆盘2内部上表面中部固定连接有真空发生器16，取料圆盘2下表面间隔均匀开设有吸附通孔17，进料板1后侧面靠右侧固定连接有承重杆21的前端，承重杆21后端上表面固定连接有第二连接杆9的下端，第二连接杆9的上端固定连接有切割平台10的下表面中部，切割平台10上表面固定连接有若干个吸气管12，切割平台10上表面中部固定连接有出气管11，吸气管12关于出气管11对称放置，切割平台10内部下表面中部固定连接有第二气体发生箱15，第二气体发生箱15上方固定连接有第一气体发生箱14，出气管11下端固定连接有第一气体发生箱14上表面中部，第二气体发生箱15左右两侧中部均固定连接有连接
管13，吸气管12下端固定连接有连接管13，横向滑槽8中部靠右侧固定连接有接触式开关7，滑块20左侧面中部固定连接有气动伸缩杆19的右端，气动伸缩杆19左端套接滑动连接有气缸5。
[0024]本实施例中，需要说明的是，出气管11的出风量小于吸气管12的进风量，采用这样的设置方式，使得晶圆在落到切割平台10的过程中，吸气管12把晶圆向下吸，出气管11排出的风会把晶圆顶起，使得晶圆缓慢落平稳到切割平台10上表面上，对晶圆的下落起到缓冲的作用。
[0025]本实施例中，需要说明的是，接触式开关7的左侧面和切割平台10纵向中心线位于同一条直线上，采用这样的设置方式，可以使得滑块20和接触式开关7接触时，取料圆盘2位于切割平台10的正上方。
[0026]本实施例中，需要说明的是，气缸5固定连接在挡板18的左侧面，挡板18位于横向滑槽8的左侧，采用这样的设置方式，挡板18对滑块20向左移动起到限位的作用。
[0027]本实施例中，需要说明的是，气缸5、真空发生器16和第一气体发生箱14以及第二气体发生箱15均电性连接于接触式开关7，采用这样的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆切割的进料装置，包括进料板(1)，其特征在于，所述进料板(1)前侧面开设有横向滑槽(8)，所述横向滑槽(8)滑动连接有滑块(20)，所述滑块(20)前侧面中部固定连接有承重块(6)，所述承重块(6)上表面固定连接有L型支撑架(4)竖直部分的下端，所述L型支撑架(4)的水平部分后端下表面固定连接有第一连接杆(3)的上端，所述第一连接杆(3)下端固定连接有取料圆盘(2)上表面中部，所述取料圆盘(2)内部上表面中部固定连接有真空发生器(16)，所述取料圆盘(2)下表面间隔均匀开设有吸附通孔(17)，所述进料板(1)后侧面靠右侧固定连接有承重杆(21)的前端，所述承重杆(21)后端上表面固定连接有第二连接杆(9)的下端，所述第二连接杆(9)的上端固定连接有切割平台(10)的下表面中部，所述切割平台(10)上表面固定连接有若干个吸气管(12)，所述切割平台(10)上表面中部固定连接有出气管(11)，所述吸气管(12)关于出气管(11)对称放置，所述切割平台(10)内部下表面中部固定连接有第二气体发生箱(15)，所述第二气体发生箱(15)上方固定连接有第一气体发生箱(14)，所述出气管(11)下端固定连接有第一气体发生箱(14)上表面中部，所述第二气体发生箱(15)左右两侧中部...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦可勇，何彬，
申请(专利权)人：江苏众晶半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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