一种基于MOS管的电平转换电路制造技术

本实用新型专利技术提出一种基于MOS管的电平转换电路，低压方波输入经反相器连接第一NMOS管的栅极，直接连接第二NMOS管的栅极；第一NMOS管的漏极经第一电阻连接供电电源，源极经第二可变电阻接地；第二NMOS管的漏极经PMOS管连接供电电源，源极直接接地；PMOS管的栅极连接第一NMOS管的漏极，源极连接供电电源，漏极第二NMOS管的漏极；第二NMOS管的漏极电压为高压方波输出。本实用新型专利技术既实现了低压到高压的电平转换，又避免了MOS管的栅极和源极承受高压，同时也限制了其栅极和源极之间的压差。时也限制了其栅极和源极之间的压差。时也限制了其栅极和源极之间的压差。

【技术实现步骤摘要】
一种基于MOS管的电平转换电路


[0001]本技术涉及电平转换电路
，尤其是一种基于MOS管的电平转换电路。

技术介绍

[0002]现有电平转换电路众多，但是由于MOS管的栅极和源极都不能承受过高电压，两者之间的压差也不能太大，因此虽然有便于集成的优点，但是不便应用于电平转换电路中，尤其是图1所示的低压转换高压的电平转换电路中。

技术实现思路

[0003]本技术提出一种基于MOS管的电平转换电路，以解决现有技术中MOS管不便应用于电平转换电路，尤其是低压转换高压的电平转换电路的问题。
[0004]一种基于MOS管的电平转换电路，低压方波输入经反相器连接第一NMOS管的栅极，直接连接第二NMOS管的栅极；第一NMOS管的漏极经第一电阻连接供电电源，源极经第二可变电阻接地；第二NMOS管的漏极经PMOS管连接供电电源，源极直接接地；PMOS管的栅极连接第一NMOS管的漏极，源极连接供电电源，漏极第二NMOS管的漏极；第二NMOS管的漏极电压为高压方波输出。
[0005]本技术既实现了低压到高压的电平转换，又避免了MOS管的栅极和源极承受高压，同时也限制了其栅极和源极之间的压差。
附图说明
[0006]图1为低压转换高压的电平转换示意图；
[0007]图2为本技术的电平转换电路图。
具体实施方式
[0008]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。本技术的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本技术限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本技术的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本技术从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
[0009]实施例1
[0010]一种基于MOS管的电平转换电路，低压方波输入IN PUT经反相器连接第一NMOS管N1的栅极，直接连接第二NMOS管N2的栅极；第一NMOS管N1的漏极经第一电阻R1连接供电电源VCC，源极经第二可变电阻R2接地；第二NMOS管N2的漏极经PMOS管P连接供电电源VCC，源极直接接地；PMOS管P的栅极连接第一NMOS管N1的漏极，源极连接供电电源VCC，漏极第二NMOS管N2的漏极；第二NMOS管N2的漏极电压为高压方波输出OUT PUT。
[0011]当IN PUT为低电平时，经反相器输入到N1管栅极为高电平，输入到N2管栅极为低
电平，因此N1管呈打开状态，N2管呈关闭状态，电流流向如图2箭头方向。此时，N1管栅极接低电平，源极串接电阻接地，因此N1管的栅极和源极之间的压差在其耐压值范围内，通过调节R2来调节A点电压，从而调节P管源极和栅极之间的电压，使P管既呈打开状态，其栅极和源极之间的压差又控制在耐压值范围内(通常控制在5V以内)，OUT PUT输出高电平。
[0012]当IN PUT为高电平时，经反相器输入到N1管栅极为低电平，输入到N2管栅极为高电平，因此N1管呈关闭状态，N2管呈打开状态。P管栅极电压则被供电电源VCC上拉，其源极和栅极之间的压差接近于0，P管呈关闭状态，OUT PUT输出低电平。
[0013]由上可知，IN PUT是高电平还是低电平，本实施例提供的电平转换电路既实现了低压到高压的电平转换，又避免了MOS管的栅极和源极承受高压，同时也限制了其栅极和源极之间的压差。
[0014]显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域及相关领域的普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本技术保护的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于MOS管的电平转换电路，其特征在于，低压方波输入经反相器连接第一NMOS管的栅极，直接连接第二NMOS管的栅极；第一NMOS管的漏极经第一电阻连接供电电源，源极经第二可变电阻接地；第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘颖异，
申请(专利权)人：合肥宽芯电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：