一种具有磁场过强保护功能的无源射频识别芯片，包括一天线单元，用于接收读取器发出的电磁信号；一输入／输出电路单元；一逻辑电路单元；一电源产生单元，为所述逻辑电路单元提供直流电源，其特征在于，所述无源无源射频识别芯片还包括： 一变容二极管，该变容二极管阳极连接于所述天线单元与电源产生单元之间，其阴极接地； 一二极管，该二极管阳极与所述电源产生单元电源输出端连接，阴极与天线单元连接。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种无源射频识别(Radio Frequency Identification, RFID)芯片，特 别是涉及一种具有磁场过强保护功能的无源RFID芯片。
技术介绍
近年来，无源射频识别芯片越来越多的被使用，例如用作电子标签，此外，IC卡也是一 种RFID芯片。参阅图l,所示为现有技术下的无源RFID芯片。所述无源RFID芯片l包括一天线单元lOO ， 一电源产生单元200, —输入/输出电路单元300, —逻辑电路单元400。天线单元100与电 源产生单元200连接，电源产生单元200分别与输入/输出电路单元300及一逻辑电路单元400连接。天线电路100包括天线线路101和天线电容102。无源RFID芯片自身没有电源，其通过接 收由读卡器产生的电磁波8所供给的电磁波而工作。无源RFID芯片逻辑电路单元400中的耗电 由电源产生单元200供给，其可以产生直流电源VDD。 VDD是在电源产生单元200中通过对天线 单元100所接收到的电磁波8进行检波和平滑而产生的。电源产生单元200包括一第一二极管 203，--第一电容器201，第二二极管202, —第二电容器204。第二电容器204有足够大的电 容量值以向逻辑电路单元400供电。天线单元lOO输出给电源产生单元200的信号的负分量由 第一二极管203和第二二极管202滤除，只有其正分量通过第二二极管202供给各电路。第二 电容器204存储已经通过第二二极管202的正分量并在天线单元100信号为负时供电。因此， VDD基本上为恒定值，因而电源产生单元200起直流电压源的作用，其输出直流电源VDD端为 电源产生单元200的电源输出端。无源RFID芯片的优点是可以非接触的方式读出所记录的数据，可以不用电池工作，其耐 用性好。但是人们还是期望得到更高的性能，例如，人们希望能使无源RFID芯片读取识别范 围增大，因而读取器需要发出很强的功率。而在无源RFID芯片内天线受强电磁波作用时会产 生出高交流电信号，通过对该交流电信号整流后所得到的直流电压也随之变高。因此，会出 现该RFID芯片内部的逻辑电路和时钟发生器发热甚至损坏。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供具有磁场过强保护功能的无源RFID芯片，当所述无源RFID芯片接收到的磁场强度过高时降低其天线感应出的电信号电压强度。本专利技术提供一种无源RFID芯片，包括一天线单元，用于接收读取器发出的电磁信号；一 电源产生单元，为所述无源RFID芯片系统提供直流电源， 一输入/输出电路单元300， 一逻辑 电路单元400; —变容二极管，该变容二极管阳极连接于所述天线单元与电源产生单元之间 ，其阴极接地；一二极管，该二极管阳极与所述电源产生单元电源输出端连接，阴极与天线 单元连接。本专利技术提供的无源RFID芯片具有磁场过强保护功能，当所述无源RFID芯片接受到的磁场 强度过高时降低其天线感应出的电信号。 附图说明图1是现有无源RFID芯片的示意图。 图2是本专利技术无源RFID芯片一实施方式的示意图。 具体实施例方式参阅图2，本专利技术具有磁场过强保护功能的无源RFID芯片一实施方式的示意图。本专利技术 的实施方案与图l所示现有技术不同在于在天线单元100与电源产生电源200之间接一变容 二极管802，所述变容二极管802阳极连接于所述天线单元100与电源产生单元200之间，其阴 极接地；在反馈通路上接一二极管801,该二极管801阳极与所述电源产生单元200的电源输 出端连接，阴极与天线单元100连接。根据无源RFID芯片各电路的安全电压值选择变容二极管802,设所述变容二极管802的阀 值电压为V。当直流电源VDD输出的电压小于V时，无源RFID芯片各电路输入的为安全电压。 由于VDD输出的电压小于V,变容二极管802截止。当直流电源VDD输出的电压大于V的时，变 容二极管802导通。此时天线单元100与变容二极管802并联，天线单元100的品质因数(Q值 )降低，感应电磁波8的能力减弱，使电源产生单元200整流后产生的直流电压VDD降低。这 样避免当直流电源VDD输出的电压过高而引起无源RFID芯片各电路故障甚至烧坏。权利要求1.一种具有磁场过强保护功能的无源射频识别芯片，包括一天线单元，用于接收读取器发出的电磁信号；一输入/输出电路单元；一逻辑电路单元；一电源产生单元，为所述逻辑电路单元提供直流电源，其特征在于，所述无源无源射频识别芯片还包括一变容二极管，该变容二极管阳极连接于所述天线单元与电源产生单元之间，其阴极接地；一二极管，该二极管阳极与所述电源产生单元电源输出端连接，阴极与天线单元连接。全文摘要本专利技术提供一种具有磁场过强保护功能的无源RFID芯片。目前的无源RFID芯片在天线受到强电磁场作用时会产生高电压的交流信号，因此，通过对交流信号整流所得的直流电压也成为高电压。所以出现逻辑电路发热或元件损坏。本专利技术通过在无源RFID芯片中增加一变容二极管来控制天线的品质因数，在天线受到强电磁场作用时降低感应能力以降低整流所得电压值，到达保护无源RFID芯片内部逻辑电路的目的。文档编号G06K19/073GK101149816SQ20061020088公开日2008年3月26日 申请日期2006年9月20日 优先权日2006年9月20日专利技术者刘建林, 庄宗仁, 翁世芳 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：翁世芳，庄宗仁，刘建林，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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