IC标签及其制造方法技术

技术编号:2926636 阅读:210 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
用由安装IC芯片(10)的金属膜层(11a)形成的第1天线、由不安装IC芯片(10)的金属膜层(12a)形成的至少一个第2天线构成RFID标签(1)。采用以下构造:金属膜层(11a)形成在基体(11b)上,金属膜层(12a)形成在基体(12b)上,通过使金属膜层(11a)与金属膜层(12a)隔着基体(11b)耦合,而使第1天线与第2天线静电电容耦合起来。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有借助于无线波进行动作的IC芯片的IC标签及其制造方法
技术介绍
近年来,以在物品、IC卡等上附加RFID (Radio Frequency Identification )标签而用于物品的信息管理等的形式,RFID标签被广 泛利用。这样的RFID标签由于由IC芯片和天线所构成,能够将存储 在IC芯片中的ID (Identification:识别信息)等信息通过天线以无 线方式与读写器进行通信,所以可以借助于读写器以非接触的方式读 取存储在IC芯片中的信息,或者反过来也可以对IC芯片进行写入。而且,在多个物品上贴附写入了各自固有的信息的RFID标签, 并在制造工程或输送中,通过读写器对信息进行读取或者写入等,并 对各工序中的物品的信息进行管理的情形广泛得以实施。上述读写器能够对处于通讯区域内的RFID标签的IC芯片所存储的信息一并进行 读取,在作业的高效化上有效果。这里,在例如通过RFID标签对多个信封进行管理的情况下, RFID标签被贴附在各信封的大致同一位置上,因此如果将多个信封 重叠则RFID标签也接近并相互重合。另外,如果RFID标签接近并 相互重合,则各RFID标签的天线的阻抗变化,从各RFID标签发出 的电波将会干扰,有读写器无法正确地读取存储在RFID标签中的信 息这样的问题。因而,为了解决上述问题,以往公开了以下技术在相重合的 RFID标签之间,中间隔着具有保障从各RFID标签发出的电波不会 干扰的间隔以上的厚度的隔片(例如,特开2005-001692号公报 (0016 ~ 0019段落、图1、图2))。但是,根据特开2005-001692号所^i^开的技术,如果为了防止将 RFID标签重合之际的电波干扰,在相重合的RFID标签之间隔着隔 片,并将例如贴附了 RFID标签的多个信封重叠,则有因隔片的厚度 而使重叠的信封捆变厚这样的问题。
技术实现思路
因而,本专利技术就以提供一种能够防止或者降低将IC标签重合之 际的电波干扰的IC标签为i果题。为了解决上述课题,本专利技术采用以下构造用第1天线和第2天 线构成RFID标签,在第1天线和第2天线的端部之间进行静电电容 耦合。根据本专利技术,能够提供一种可以防止或者降低将IC标签重合之 际的电波干扰的IC标签。附图说明图1A是表示将本专利技术的实施例1所涉及的RFID标签组装起来 的形态的图。图1B是表示将实施例1所涉及的RFID标签分解了的形态的图。图2A是从信号输入输出电极侧来观察IC芯片的概略图。图2B是表示金属膜层的狭缝与IC芯片的信号输入输出电极的位置关系的图。图2C是表示在金属膜层上安装了 IC芯片的形态的图。图3A是表示金属膜层的T字形狭缝与IC芯片的信号输入输出电极的位置关系的图。图3B是表示在金属膜层上安装了 IC芯片的形态的图。图4A表示在带状的基体上形成金属膜层的形态。图4B表示将基体弯曲,形成本专利技术的实施例2所涉及的RFID标签的形态。图4C表示实施例2所涉及的RFID标签的其它形态。图5A是本专利技术的实施例3所涉及的RFID标签的侧面图。图5B是从表面侧来观察实施例3所涉及的RFID标签的图。图5C是从背面侧来观察实施例3所涉及的RFID标签的图。图6A是本专利技术的实施例4所涉及的RFID标签的平面图。图6B是本专利技术的实施例4所涉及的其它形态的RFID标签的平面图。具体实施例方式以下,使用适当的附图对用于实施本专利技术的实施例详细地进行说明。《实施例1》图1A、 1B是表示本专利技术的实施例1所涉及的RFID标签的图, 图1A是表示将实施例1所涉及的RFID标签组装起来的形态的图, 图1B是表示将实施例1所涉及的RFID标签分解了的形态的图。如图1A、1B所示那样,实施例l所涉及的RFID标签(IC标签) 1由在作为主天线的天线(第1天线)11上安装了 IC芯片10的插入 物la、作为辅助天线的2个导体片(第2天线)lb、 lb所构成。天线11是由作为绝缘体的PET (Polyethylene Ter印hthalate) 或PEN (Polyethylene Naphtahalate)等树脂组成的、例如在大致长 方形状的基体lib上以数微米(nm)程度的厚度通过利用溅射的蒸镀 等方法形成了Au、 Al等金属的金属膜层lla,并设置有狭缝llc。此 外,金属膜层lla的形成方法并不只限于蒸镀,例如还可以用喷墨打 印机印刷Au、 Al等的金属涂浆而形成。可以在金属膜层lla的形成 之际或形成之后设置狭缝llc。另外,基体llb并不只限于上述树脂,只要是绝缘体则还可以是 纸、橡胶、玻璃等。在此情况下,可以通过用喷墨打印机等印刷Au、 Al等的金属涂浆、贴附Au、 Al等的金属箔等适宜的方法形成金属膜 层lla。图2A、 2B、 2C是表示在金属膜层上安装IC芯片的形态的图, 图2A是从信号输入输出电极侧来观察IC芯片的概略图,图2B是表 示金属膜层的狭缝与IC芯片的信号输入输出电极的位置关系的图, 图2C是表示在金属膜层上安装了 IC芯片的形态的图。设置在金属膜层lla上的狭缝llc如图2B所示那样呈大致L字 形,以跨越狭缝llc的方式在狭缝llc的L字形的角部的金属膜层lla 上的假想线所示的10a'、 10b'的位置上安装IC芯片10,使得IC芯片 10向天线供电用的端子即信号输入输出电极10a、 10b (参照图2A) 相对应,也就是如图2C所示那样。IC芯片10的信号输入输出电极10a、 10b例如由Au制的焊盘构 成,例如通过超声波接合或金属共晶接合将金属膜层lla与信号输入 输出电极10a、 10b进行接合。另外,还可以隔着各向异性导电膜将信 号输入输出电极10a、 10b与金属膜层lla连接起来。将狭缝llc制作为在金属膜层lla的成膜时通过掩模使其平面形 状形成大致L字形的沟。狭缝llc的宽度方向的、在图2B上A-A所 示之间由于此狭缝llc而没有电气连接。狭缝llc的L字形的一端沿 金属膜层lla的宽度方向而形成,并到达金属膜层lla的端部。狭缝 llc的另一端沿金属膜层lla的长度方向而形成,并以规定的长度在 金属膜层lla之中闭合。如上述那样,在位于跨越狭缝llc的两侧的金属膜层lla的区域 分别将IC芯片10的信号输入输出电极10a、 10b电连接。由此,将 通过设置狭缝llc而得到的短截线lld (参照图2B)的部分串联连接 在作为天线的金属膜层lla (短截线lld以外)的其它部分、IC芯片 IO之间,短截线lld的部分作为串联连接的电感分量起作用。借助于 此电感分量,能够抵消IC芯片10内的电容分量,而取得金属膜层lla 与IC芯片IO的阻抗匹配。也就是,IC芯片IO能够将充分面积的金 属膜层lla作为天线。而且,能够使IC芯片IO的阻抗与由金属膜层 lla所形成的天线11的阻抗进行匹配。将这样的狭缝llc称为阻抗匹 配电路。此外,IC芯片10与作为天线的金属膜层lla的阻抗匹配的程度 取决于由直到狭缝lie的L字形的角的各长度而决定的短截线lid的 面积。此外,为了将IC芯片10安装在金属膜层lla的表面,还可以在 IC芯片10的信号输入输出电极10a、 10b的焊盘面或者与该部分对应 的金本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种IC标签,包含:借助于无线波进行动作的IC芯片;和由形成在绝缘体的基体上的金属膜层构成的天线,其特征在于:    上述天线包括阻抗匹配用的狭缝、安装上述IC芯片的一个第1天线以及不安装上述IC芯片的至少一个第2天线而成,    上述第1天线与至少一个上述第2天线被静电电容耦合起来。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:坂间功芦泽实
申请(专利权)人:株式会社日立制作所
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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