阵列基板及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，在阵列基板中，第一导电层设置在薄膜晶体管结构层上，第一导电层包括第一电极；感光二极管设置在第一电极上；第一绝缘层覆盖所述感光二极管，第一绝缘层上开设有第一开孔，第一开孔裸露出感光二极管；第二导电层包括保护部，保护部设置在第一开孔内且与感光二极管相连；第二绝缘层覆盖第一绝缘层，第二绝缘层上开设有第二开孔和第三开孔，第二开孔裸露出保护部，第二开孔的深度小于第三开孔的深度；第三导电层设置在第二绝缘层上，第三导电层包括第二电极，第二电极通过第二开孔连接于保护部。本申请在感光二极管上形成一保护部，避免在曝光和蚀刻第三开孔的过程，降低感光二极管的性能。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法
本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
光学指纹识别技术利用光的折射和反射原理，当光照射到手指上，被手指反射到感光器件上，由于指纹谷和脊对光的反射不同，感光器件所接受到谷和脊的反射光强不同，然后再将光信号转换为电学信号，从而进行指纹识别。在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的专利技术人发现，目前，在光学指纹识别模块集成在面板中的制程中，由于感光器件设置在薄膜晶体管结构层之上，因此在绝缘叠层上同时形成不同孔深的开孔时，浅孔对应的器件长时间处于蚀刻中，导致器件的性能变差；比如对应于感光器件的浅孔和对应于感光器件下方的导电膜层的深孔，感光器件长时间处在曝光和蚀刻中，导致感光器件的性能变差。
技术实现思路
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法，用于在绝缘层上同时形成深孔和浅孔的制程中，达到保护浅孔对应的器件的效果。本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：基板；薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层设置在所述基板上，所述薄膜晶体管结构层包括第一薄膜晶体管；第一导电层，所述第一导电层设置在所述薄膜晶体管结构层上，所述第一导电层包括第一电极，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管连接；感光二极管，所述感光二极管设置在所述第一电极上；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述感光二极管和所述薄膜晶体管结构层，所述第一绝缘层上开设有第一开孔，所述第一开孔裸露出所述感光二极管；第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一绝缘层上，所述第二导电层包括保护部，所述保护部设置在所述第一开孔内且与所述感光二极管相连；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述第二导电层，所述第二绝缘层上开设有第二开孔和第三开孔，所述第二开孔裸露出所述保护部，所述第二开孔的深度小于所述第三开孔的深度；以及第三导电层，所述第三导电层设置在所述第二绝缘层上，所述第三导电层包括第二电极，所述第二电极通过所述第二开孔连接于所述保护部。可选的，在本申请的一些实施例中，所述保护部设置在所述第一开孔内，并自所述第一开孔的周壁向所述第一开孔的外周延伸设定距离，所述设定距离小于或等于0.5微米。可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管结构层包括第二薄膜晶体管，所述第三导电层包括像素电极，所述像素电极通过所述第三开孔连接于所述第二薄膜晶体管的源极或漏极。可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电层还包括触控走线和信号走线，所述第二导电层包括公共电极和电容器的部分；所述触控走线连接于所述公共电极，所述第一电极连接于所述电容器；所述第二电极连接于所述信号走线；所述像素电极连接于裸露的源极或漏极。可选的，在本申请的一些实施例中，所述感光二极管与所述第一薄膜晶体管重叠设置。相应的，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：在基板上形成薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括第一薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管结构层上形成第一导电层，所述第一导电层包括第一电极，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管连接；在所述第一电极上形成感光二极管；在所述感光二极管上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层还覆盖所述薄膜晶体管结构层，所述第一绝缘层上开设有第一开孔，所述第一开孔裸露出所述感光二极管；在所述第一绝缘层上形成第二导电层，所述第二导电层包括保护部，所述保护部设置在所述第一开孔内且与所述感光二极管相连；在所述第二导电层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上开设有第二开孔和第三开孔，所述第二开孔裸露出所述保护部，所述第二开孔的深度小于所述第三开孔的深度；在所述第二绝缘层上形成第三导电层，所述第三导电层包括第二电极，所述第二电极通过所述第二开孔连接于所述保护部。可选的，在本申请的一些实施例中，所述保护部设置在所述第一开孔内，并自所述第一开孔的周壁向所述第一开孔的外周延伸设定距离，所述设定距离小于或等于0.5微米。可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管结构层包括第二薄膜晶体管；在所述第二导电层上形成第二绝缘层，包括以下步骤：在所述第二导电层上沉积绝缘材料形成绝缘材料层；对所述绝缘材料层对应于所述保护部和所述第二薄膜晶体管的源极或漏极的部分进行曝光和蚀刻处理，形成第二开孔和第三开孔；所述第二开孔裸露所述保护部，所述第三开孔裸露所述第二薄膜晶体管的源极或漏极。可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电层还包括触控走线和信号走线，所述第二导电层包括公共电极和电容器的部分；所述触控走线连接于所述公共电极，所述第一电极连接于所述电容器；所述第二电极连接于所述信号走线；所述第三导电层包括像素电极，所述像素电极通过所述第三开孔连接于所述源极或所述漏极。可选的，在本申请的一些实施例中，所述感光二极管与所述第一薄膜晶体管重叠设置。本申请实施例在第二开孔形成之前，在对应的感光二极管上形成一保护部，随后在第二绝缘层形成第二开孔(浅孔)和第三开孔(深孔)的过程中，避免在曝光和蚀刻第三开孔的过程，降低感光二极管的性能。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；图2是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图；图3是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤B1的示意图；图4是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤B2的示意图；图5是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤B3的示意图；图6是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤B4的示意图；图7是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤B5的示意图；图8是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤B6的示意图；图9是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤B7的示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法，下文进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基板；/n薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层设置在所述基板上，所述薄膜晶体管结构层包括第一薄膜晶体管；/n第一导电层，所述第一导电层设置在所述薄膜晶体管结构层上，所述第一导电层包括第一电极，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管连接；/n感光二极管，所述感光二极管设置在所述第一电极上；/n第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述感光二极管和所述薄膜晶体管结构层，所述第一绝缘层上开设有第一开孔，所述第一开孔裸露出所述感光二极管；/n第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一绝缘层上，所述第二导电层包括保护部，所述保护部设置在所述第一开孔内且与所述感光二极管相连；/n第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述第二导电层，所述第二绝缘层上开设有第二开孔和第三开孔，所述第二开孔裸露出所述保护部，所述第二开孔的深度小于所述第三开孔的深度；以及/n第三导电层，所述第三导电层设置在所述第二绝缘层上，所述第三导电层包括第二电极，所述第二电极通过所述第二开孔连接于所述保护部。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层设置在所述基板上，所述薄膜晶体管结构层包括第一薄膜晶体管；
第一导电层，所述第一导电层设置在所述薄膜晶体管结构层上，所述第一导电层包括第一电极，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管连接；
感光二极管，所述感光二极管设置在所述第一电极上；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述感光二极管和所述薄膜晶体管结构层，所述第一绝缘层上开设有第一开孔，所述第一开孔裸露出所述感光二极管；
第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一绝缘层上，所述第二导电层包括保护部，所述保护部设置在所述第一开孔内且与所述感光二极管相连；
第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述第二导电层，所述第二绝缘层上开设有第二开孔和第三开孔，所述第二开孔裸露出所述保护部，所述第二开孔的深度小于所述第三开孔的深度；以及
第三导电层，所述第三导电层设置在所述第二绝缘层上，所述第三导电层包括第二电极，所述第二电极通过所述第二开孔连接于所述保护部。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述保护部设置在所述第一开孔内，并自所述第一开孔的周壁向所述第一开孔的外周延伸设定距离，所述设定距离小于或等于0.5微米。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层包括第二薄膜晶体管，所述第三导电层包括像素电极，所述像素电极通过所述第三开孔连接于所述第二薄膜晶体管的源极或漏极。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层还包括触控走线和信号走线，所述第二导电层包括公共电极和电容器的部分；所述触控走线连接于所述公共电极，所述第一电极连接于所述电容器；
所述第二电极连接于所述信号走线；所述像素电极连接于裸露的所述第二薄膜晶体管的源极或漏极。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述感光二极管与所述第一薄膜晶体管重叠设置。


6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋德伟，艾飞，宋继越，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42