用于形成半导体器件的方法和封装件技术

在一个实施例中，一种用于形成半导体器件的方法包括：将第一封装组件与第二封装组件对准，第一封装组件具有第一区域和第二区域，该第一区域包括第一导电连接件，该第二区域包括第二导电连接件；在第一封装组件的顶表面的第一部分上执行第一激光照射，第一激光照射使第一区域的第一导电连接件回流，第一封装组件的顶表面的第一部分与第一区域完全重叠；并且在执行第一激光照射之后，在第一封装组件的顶表面的第二部分上执行第二激光照射，第二激光照射回流第二区域的第二导电连接件，第二封装组件的顶表面的第二部分与第二个区域完全重叠。本发明专利技术的实施例还提供了另外的用于形成半导体器件的方法以及封装件。

【技术实现步骤摘要】
用于形成半导体器件的方法和封装件本申请是2019年02月27日提交的标题为“用于形成半导体器件的方法和封装件”、专利申请号为201910145215.5的分案申请。
本专利技术的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及用于形成半导体器件的方法和封装件。
技术介绍
由于许多电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速发展。对于大部分而言，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的迭代减小，这使得更多的组件集成到给定的面积。随着对缩小电子器件的需求的增长，出现了对更小和更有创意的半导体管芯封装技术的需求。这种封装系统的一个实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部以提供高水平的集成度和组件密度。PoP技术通常能够在印刷电路板(PCB)上生产具有增强功能和较小占用面积的半导体器件。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：将第一封装组件与第二封装组件对准，所述第一封装组件具有第一区域和第二区域，所述第一区域包括第一导电连接件，所述第二区域包括第二导电连接件；在所述第一封装组件的顶表面的第一部分上执行第一激光照射，所述第一激光照射使所述第一区域的所述第一导电连接件回流，所述第一封装组件的顶表面的第一部分与所述第一区域完全重叠；以及在执行所述第一激光照射之后，在所述第一封装组件的顶表面的第二部分上执行第二激光照射，所述第二激光照射使所述第二区域的所述第二导电连接件回流，所述第一封装组件的顶表面的第二部分与所述第二区域完全重叠。根据本专利技术的实施例，还提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：提供第一封装组件和第二封装组件，所述第一封装组件包括第一区域，所述第二封装组件包括第二区域；将所述第一封装组件的所述第一区域与所述第二封装组件的所述第二区域对准；在所述第一封装组件的顶表面上执行激光照射，每次所述激光照射顺序地执行，所述激光照射的每个相应的激光照射与所述第一区域的相应第一区域和所述第二区域的相应第二区域重叠，所述相应的第一区域和所述相应的第二区域之间的导电材料被相应的激光照射回流；以及在执行所述激光照射之后，切割所述第一封装组件的所述第一区域和所述第二封装组件的所述第二区域。根据本专利技术的实施例，还提供了一种封装件，包括：第一封装件，包括第一导电部件和第二导电部件；第二封装件，包括第三导电部件和第四导电部件；第一导电连接件，将所述第三导电部件连接到所述第一导电部件；第一金属间化合物(IMC)，位于所述第一导电连接件和所述第一导电部件之间，所述第一金属间化合物具有第一厚度；第二导电连接件，将所述第四导电部件连接到所述第二导电部件；以及第二金属间化合物，位于所述第二导电连接件和所述第二导电部件之间，所述第二金属间化合物具有小于所述第一厚度的第二厚度。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本专利技术的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。图1至图19是根据一些实施例的在用于形成器件封装件的工艺期间的中间步骤的横截面图。具体实施方式以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现本专利技术的不同特征。以下描述组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可以同样地作相应地解释。根据一些实施例，第一封装组件通过多次回流工艺接合到第二封装组件。第一封装组件和第二封装组件可以是，例如，晶圆，并且每个包含多个封装区域。在多次回流工艺中，封装组件的封装区域通过激光束顺序地加热。每个激光照射完全重叠至少一个封装区域，并且可以部分地与其他相邻封装区域重叠。多次回流工艺允许第一封装组件和第二封装组件通过仅直接加热顶部封装组件而接合在一起。可以减少底部封装组件的间接加热，这可以帮助减少晶圆翘曲。此外，可以改变不同激光照射的参数以帮助进一步减少晶圆翘曲。图1至图10示出根据一些实施例的在用于形成第一封装组件100的工艺期间的中间步骤的横截面图。示出第一封装区域100A和第二封装区域100B，并且在封装区域100A和封装区域100B中的每一个中形成第一封装件101(参见图19)。第一封装件101也可以称为集成扇出(InFO)封装件。在图1中，提供载体衬底102，并且在载体衬底102上形成释放层104。载体衬底102可以是玻璃载体衬底、陶瓷载体衬底等。载体衬底102可以是晶圆，从而使得多个封装件可以同时形成在载体衬底102上。释放层104可以由聚合物基材料形成，释放层可以与载体衬底102一起被从在随后步骤中将要形成的上面的结构中去除。在一些实施例中，释放层104是诸如光热转换(LTHC)释放涂层的环氧树脂基热释放材料，该材料在被加热时失去其粘性。在其他实施例中，释放层104可为紫外线(UV)胶，其在暴露于UV光时丧失它的粘合性能。释放层104可以以液体形式进行分配并且被固化，可以是层压在载体衬底102上的层压膜，或者可以是类似物。可使释放层104的顶面齐平并且该顶面可具有高度的平面性。在图2中，在释放层104上形成后侧再分布结构106。在所示实施例中，后侧再分布结构106包括介电层108、金属化图案110(有时称为再分布层或再分布线)、和介电层112。后侧再分布结构106是可选的，并且在一些实施例中，仅形成介电层108。介电层108形成在释放层104上。介电层108的底面可以与释放层104的顶面接触。在一些实施例中，介电层108由诸如聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等的聚合物形成。在其他的实施例中，介电层108由以下材料形成：诸如氮化硅的氮化物；诸如氧化硅、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、硼掺杂的磷硅酸盐玻璃(BPSG)等的氧化物；等等。介电层108可以通过任何可接受的沉积工艺来形成，诸如旋涂、化学气相沉积(CVD)、层压等或它们的组合。在介电层108上形成金属化图案110。作为形成金属化图案110的实例，在介电层108上方形成晶种层。在一些实施例中，晶种层为金属层，其可为单层或包括由不同材料形成的多个子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：/n提供第一封装组件和第二封装组件，所述第一封装组件包括第一区域，所述第二封装组件包括第二区域；/n将所述第一封装组件的所述第一区域与所述第二封装组件的所述第二区域对准；/n在所述第一封装组件的顶表面上执行激光照射，每次所述激光照射顺序地执行，所述激光照射的每个相应的激光照射与所述第一区域的相应第一区域和所述第二区域的相应第二区域重叠，所述相应的第一区域和所述相应的第二区域之间的导电材料被相应的激光照射回流；以及/n在执行所述激光照射之后，切割所述第一封装组件的所述第一区域和所述第二封装组件的所述第二区域。/n

【技术特征摘要】
20180323 US 62/647,379;20181001 US 16/148,4651.一种用于形成半导体器件的方法，包括：
提供第一封装组件和第二封装组件，所述第一封装组件包括第一区域，所述第二封装组件包括第二区域；
将所述第一封装组件的所述第一区域与所述第二封装组件的所述第二区域对准；
在所述第一封装组件的顶表面上执行激光照射，每次所述激光照射顺序地执行，所述激光照射的每个相应的激光照射与所述第一区域的相应第一区域和所述第二区域的相应第二区域重叠，所述相应的第一区域和所述相应的第二区域之间的导电材料被相应的激光照射回流；以及
在执行所述激光照射之后，切割所述第一封装组件的所述第一区域和所述第二封装组件的所述第二区域。


2.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件的方法，其中，对于每个相应的激光照射，执行所述激光照射包括：
将激光束引导到所述第一封装组件的所述相应的第一区域，直到所述导电材料回流，所述激光束产生的热量通过所述第一封装组件传递到所述导电材料；以及
在所述导电材料回流之后，关闭所述激光束直到所述导电材料冷却。


3.根据权利要求2所述的用于形成半导体器件的方法，其中，以相同的单位功率执行所述激光照射。


4.根据权利要求2所述的用于形成半导体器件的方法，其中，所述激光照射执行相同的时间段。


5.根据权利要求2所述的用于形成半导体器件的方法，其中，利用第一单位功率执行所述激光照射的第一子集并且利用第二单位功率执行所述激光照射的第二子集，所述第二单位功率不同于所述第一单位功率。


6.根据权利要求2所述的用于形成半导体器件的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴浩然，林修任，陈威宇，钟宇轩，郑佳申，黄贵伟，谢静华，刘重希，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71