一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法，本发明专利技术是用毛刷刷洗能洗掉碲镉汞芯片表面及边缘脏渣等污染物，并通过冲洗能将刷洗的残留再一次清洗，使得清洗每片碲镉汞芯片的时间由120～150S变为60～95S。清洗每片碲镉汞芯片的丙酮试剂量由(0.42～0.45L)变为(0.34～0.36L),节约时间与试剂用量，工艺效率大大提高，有利于降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法
本专利技术涉及材料
，特别是涉及一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法。
技术介绍
红外探测器在近些年取得了非常快速的发展，现已经发展到第三代。第三代红外探测器包含的主要特点有：高性能、高分辨率、多波段探测等。碲镉汞三元系合金材料其禁带宽度可调、波段可以覆盖1-3μm、3-5μm、8-14μm三个重要的红外波段。碲镉汞材料的电子有效质量小，本征载流子浓度低，由其制成的碲镉汞探测器具有噪声低、探测率高、响应速度快和响应频带宽等优点，使碲镉汞成为制备第三代红外探测器的主要材料。在制备碲镉汞探测器器件的过程中，碲镉汞材料表面的钝化被看成是红外探测器制备的关键工艺之一。实用的碲镉汞器件需要稳定且可以重复生产的钝化表面和符合器件性能的要求的界面及表面势。良好的表面钝化可以有效减少碲镉汞表面的界面态、降低器件表面的漏电流、降低器件表面复合速率和1/f噪声、提高探测器动态电阻和反向击穿电压，从而改善器件性能。制备出致密、高阻的钝化层可以降低表面复合速度，抑制暗电流，减少暗电流导致的盲元。在钝化工艺来看，钝化前的材料表面清洗显得格外重要，由于钝化前材料表面清洗不彻底，导致钝化层附着力不好，导致器件表面漏电流过大等问题，对器件性能有很大影响。通常碲镉汞钝化前的清洗方式为：喷笔清洗或者用沾有试剂的棉花擦洗，喷笔清洗就是将不同规格的材料片置于吸盘上，用带有不同溶液的喷笔进行喷洗，喷洗过程中材料边缘的脏渣容易清洗不干净，而且需要消耗大量的人工时间与试剂用量。棉花擦洗就是把碲镉汞材料片固定住，然后用带有不同试剂的棉花擦洗，擦洗过程中很容易因为人工用力不均匀造成衬底表面划伤，无论是清洗不彻底，还是清洗过程中容易产生划伤，对后续的钝化都会有很大影响，因此对器件的性能也会产生一定的影响。
技术实现思路
本专利技术提供了一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法，以解决现有对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗不净或者产生划伤的问题。本专利技术提供了一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法，该方法包括：将经过第一预设溶剂浸泡后的碲镉汞芯片置于片托上，使所述碲镉汞芯片的碲镉汞材料面朝上；控制第二预设溶液按照预设流量冲洗所述碲镉汞芯片的表面，冲洗过程中控制冲洗转速为200～300r/min，冲洗时间为10～15s；用带有所述第二预设溶液的毛刷刷洗所述碲镉汞芯片表面，刷洗时，控制所述碲镉汞芯片的转速为800～1100r/min，所述预设溶剂剂的流量为0.4～0.5L/min；依次用去离子水和乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面，以去除残留物和水分。可选地，所述第一预设溶剂为石油醚。可选地，所述第二预设溶液为丙酮溶液。可选地，所述预设流量为0.6～0.7L/min。可选地，用去离子水冲洗所述碲镉汞芯片表面，包括：用去离子水冲洗所述碲镉汞芯片表面，冲洗时保持去离子水的水柱能冲洗到所述所述碲镉汞芯片表面的正中间部分。可选地，去离子水冲洗时，去离子水的流量为0.6～0.7L/min，所述碲镉汞芯片的转速为200～300r/min。可选地，用乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面，包括：用乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面时，冲洗时保持乙醇溶液能冲洗到所述所述碲镉汞芯片表面的正中间部分。可选地，用乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面时，乙醇溶液的冲洗流量为0.6～0.7L/min，所述碲镉汞芯片的转速为200～300r/min。可选地，用去离子水和乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面的时间为60～95s。本专利技术有益效果如下：本专利技术提供了一种新的对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法，通过采用刷洗与冲洗相结合的方式，对碲镉汞钝化前进行清洗，克服了现有的碲镉汞材料表面边缘清洗不干净，容易产生划伤，工艺效率低、试剂用量多等问题，实现了一个高效率、低损伤的清洗方法。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1是本专利技术实施例提供的对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法的流程示意图；图2是本专利技术实施例提供的对碲镉汞芯片清洗过程中丙酮乙醇喷洗实物图。具体实施方式为了确保碲镉汞在钝化前，表面能清洗干净、并且不产生划伤，达到一个良好的清洗效果，本专利技术是用毛刷刷洗能洗掉碲镉汞芯片表面及边缘脏渣等污染物，并通过冲洗能将刷洗的残留再一次清洗，使得清洗每片碲镉汞芯片的时间由120～150S变为60～95S。清洗每片碲镉汞芯片的丙酮试剂量由(0.42～0.45L)变为(0.34～0.36L),节约时间与试剂用量，工艺效率大大提高，有利于降低成本。以下结合附图以及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不限定本专利技术。本专利技术实施例提供了一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法，参见图1，该方法包括：将经过第一预设溶剂浸泡后的碲镉汞芯片置于片托上，使所述碲镉汞芯片的碲镉汞材料面朝上；S101、控制第二预设溶液按照预设流量冲洗所述碲镉汞芯片的表面，冲洗过程中控制冲洗转速为200～300r/min，冲洗时间为10～15s；S102、用带有所述第二预设溶液的毛刷刷洗所述碲镉汞芯片表面，刷洗时，控制所述碲镉汞芯片的转速为800～1100r/min，所述预设溶剂剂的流量为0.4～0.5L/min；S103、依次用去离子水和乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面，以去除残留物和水分。需要说明的是，本专利技术实施例所述第一预设溶剂为石油醚、所述第二预设溶液为丙酮溶液。具体实施时，本专利技术实施例中，用去离子水冲洗所述碲镉汞芯片表面，包括：用去离子水冲洗所述碲镉汞芯片表面，冲洗时保持去离子水的水柱能冲洗到所述所述碲镉汞芯片表面的正中间部分。其中，去离子水的流量为0.6～0.7L/min，所述碲镉汞芯片的转速为200～300r/min。本专利技术实施例中，用乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面，包括：用乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面时，冲洗时保持乙醇溶液能冲洗到所述所述碲镉汞芯片表面的正中间部分。其中，用乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面时，乙醇溶液的冲洗流量为0.6～0.7L/min，所述碲镉汞芯片的转速为200～300r/min。总体来说，本专利技术实施例是根据碲镉汞材料本身的特点，毛刷选用特种尼龙材质制成，将经过石油醚浸泡过的碲镉汞芯片置于片托上，碲镉汞材料正面朝上，待材料片固定稳定后，进行清洗，下面将通过一个具体的例子对本专利技术所述的方法进行详细的解释和说明：第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法，其特征在于，包括：/n将经过第一预设溶剂浸泡后的碲镉汞芯片置于片托上，使所述碲镉汞芯片的碲镉汞材料面朝上；/n控制第二预设溶液按照预设流量冲洗所述碲镉汞芯片的表面，冲洗过程中控制冲洗转速为200～300r/min，冲洗时间为10～15s；/n用带有所述第二预设溶液的毛刷刷洗所述碲镉汞芯片表面，刷洗时，控制所述碲镉汞芯片的转速为800～1100r/min，所述预设溶剂剂的流量为0.4～0.5L/min；/n依次用去离子水和乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面，以去除残留物和水分。/n

【技术特征摘要】
1.一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法，其特征在于，包括：
将经过第一预设溶剂浸泡后的碲镉汞芯片置于片托上，使所述碲镉汞芯片的碲镉汞材料面朝上；
控制第二预设溶液按照预设流量冲洗所述碲镉汞芯片的表面，冲洗过程中控制冲洗转速为200～300r/min，冲洗时间为10～15s；
用带有所述第二预设溶液的毛刷刷洗所述碲镉汞芯片表面，刷洗时，控制所述碲镉汞芯片的转速为800～1100r/min，所述预设溶剂剂的流量为0.4～0.5L/min；
依次用去离子水和乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面，以去除残留物和水分。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一预设溶剂为石油醚。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第二预设溶液为丙酮溶液。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述预设流量为0.6～0.7L/min。


5.根据权利要求1-4中任意一项所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴永喜，宁提，谭振，孙浩，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11