一种用于高基频谐振器晶片的治具制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于高基频谐振器晶片的治具，包括从上到下依次设置的上掩膜片、定位片和下掩膜片；上掩膜片和下掩膜片上的每个电极槽上设有一个凸形层，下掩膜片上的电极位于凸形层的内部，凸形层嵌入到与定位槽中；定位槽远离电极的两角为圆弧形，该实用新型专利技术中：上掩膜片和下掩膜片上的每个电极槽上设有一个凸形层，在生产排片过程，通过下掩膜片、上掩膜片的凸形层可以有效的将高基频晶片固定在定位槽内，采用此种设计就可以增加定位片的厚度，也避免了晶片跑片的风险，完全可满足高基频晶片批量生产需求；定位槽远离电极的两角为圆弧形，解决由于晶片太薄，在自动装片作业时容易引起晶片角落破损的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于高基频谐振器晶片的治具
本技术涉及电力电子
，具体涉及一种用于高基频谐振器晶片的治具。
技术介绍
随着5G行业的高速发展，市场对5G通讯设备的需求迅速增加，这需要更快的运行速度，因此对超高频段谐振器产品的需求也随之诞生。目前行业水平采用基频切割方式的无源谐振器产品高频段只做到62.4M左右，这是由于其厚度切变的振动方式决定，其特点就是晶片越薄、频率点越高，因为石英晶片的化学成分是SiO2，其二氧化硅的材质决定了晶片越薄越容易破损，60M以上晶片厚度在0.027mm以下，因此晶片越薄生产难度越大。现有的常规作业偏高频的频点，以96M为例，晶片厚度为0.017mm，配套的治具也必须是接近晶片厚度才能满足生产工艺的要求，对于治具的设计要求厚度0.05mm已经是极限，再薄的定位片设计就极易变形，晶片跑片严重，根本无法满足批量生产需求；不仅如此，由于晶片太薄，容易磕碰到定位片中定位槽，损坏晶片，降低了生产效率，而且，由于定位片设计较薄，在与上掩膜片和下掩膜片不断拆装的过程中，会造成定位片形变，进一步降低了治具的实用性。目前市场对100M左右的无源高频段谐振器的需求逐步加大，本技术的高频段谐振器晶片的治具设计与应用正是解决了这一难点。
技术实现思路
本技术为了克服上述的不足，提供一种用于高基频谐振器晶片的治具。本技术通过以下技术方案来实现上述目的：一种用于高基频谐振器晶片的治具，包括从上到下依次设置的上掩膜片、定位片和下掩膜片；所述定位片上均匀设有若干定位槽，上掩膜片和下掩膜片上均匀设有若干电极槽，各定位槽与各电极槽一一对应；上掩膜片和下掩膜片上的每个电极槽上设有一个凸形层，凸形层由若干个厚度在0.03～0.06mm，凸形层的形状为U形，下掩膜片上的电极位于凸形层的内部，凸形层嵌入到与定位槽中；所述定位槽的长度为0.755～1.355mm，定位槽的宽度为0.575～0.985mm，定位片的厚度为0.07～0.20mm；所述定位槽远离电极的两角为圆弧形。优选的，定位槽和电极槽的数量均为672个。优选的，所述定位片和下掩膜片的外周经过氧化铝砂进行喷砂处理，使热扩散加工后残留物、微毛刺的处理，更耐磨、防油。优选的，所述定位片和下掩膜片均由304不锈钢材质制成。优选的，所述凸形层的形状为半开口长方形。优选的，所述定位片与下掩膜片之间通过焊接形成互相贴合的一体化结构。本技术的有益效果是：该用于高基频谐振器晶片的治具中：1、上掩膜片和下掩膜片上的每个电极槽上设有一个凸形层，在生产排片过程，通过下掩膜片、上掩膜片的凸形层可以有效的将高基频晶片固定在定位槽内，采用此种设计就可以增加定位片的厚度，也避免了晶片跑片的风险，完全可满足高基频晶片批量生产需求；2、定位槽远离电极的两角为圆弧形，解决由于晶片太薄，在自动装片作业时容易引起晶片角落破损的问题；3、定位片与下掩膜片之间通过焊接形成互相贴合的一体化结构，能够避免定位片与下掩膜片长期拆装以后带来的形变，而且定位槽的长度为0.755～1.355mm，定位槽的宽度为0.575～0.985mm，保证定位片和下掩膜片在焊接热贴后即使出现热胀冷缩，治具尺寸仍满足在标准公差范围内。附图说明本技术将通过例子并参照附图的方式说明，其中：图1是本技术的结构示意图；图2是本技术的定位槽和电极槽的一种结构示意图；图3是本技术的定位槽的结构示意图；图4是本技术的电极槽的结构示意图；图5是本技术的定位槽和电极槽的另一种结构示意图；图6是本技术的定位片与下掩膜片互相贴合的结构示意图。图中：1.上掩膜片，2.定位片，3.下掩膜片，4.凸形层，5.电极，6.定位槽。具体实施方式现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。本技术可应用扩展到60M～110M之间的晶片治具。实施例1：一种用于高基频谐振器晶片的治具，如图1-4所示：包括从上到下依次设置的上掩膜片1、定位片2和下掩膜片3。所述定位片2上均匀设有若干定位槽6，上掩膜片1和下掩膜片3上均匀设有若干电极槽，各定位槽6与各电极槽一一对应；上掩膜片1和下掩膜片3上的每个电极槽上设有一个凸形层4，凸形层4由若干个厚度在0.03～0.06mm，凸形层4的形状为U形，下掩膜片3上的电极5位于凸形层4的内部，凸形层4嵌入到与定位槽6中；所述定位槽6的长度为0.755～1.355mm，定位槽6的宽度为0.575～0.985mm，定位片2的厚度为0.07～0.20mm；所述定位槽6远离电极的两角为圆弧形。以96M高频谐振器为例，晶片厚度为0.017mm，按原设计最佳匹配的定位片2厚度设计0.02mm，但由于太薄无法满足生产需求。现在把下掩膜片3、上掩膜片1上的每个电极5槽位通过半蚀刻的方式，形成厚度为0.05mm凸形层4，加上接近晶片的设计厚度0.02mm，实际可设计的定位片2厚度为0.12mm，在生产排片过程，通过下掩膜片3、上掩膜片1的凸形层4可以有效的将高基频晶片固定在定位槽6内，采用此种设计就可以避免因定位片2太薄所产生的变形，也避免了晶片跑片的风险，完全可满足高基频晶片批量生产需求。另外，原定位片2由原来的直角形改为圆弧形，能够解决由于晶片太薄，在自动装片作业时容易引起晶片角落破损的问题。而且，定位片2与下掩膜片3之间通过焊接形成互相贴合的一体化结构，能够避免定位片2与下掩膜片3长期拆装以后带来的形变。具体的，定位槽6和电极槽的数量均为672个，定位槽6和电极槽已24*28的矩阵方式排列。具体的，所述定位片2和下掩膜片3的外周经过氧化铝砂进行喷砂处理。具体的，所述定位片2和下掩膜片3均由304不锈钢材质制成。实施例2：如图5所示：所述凸形层4的形状为半开口长方形。实施例3：如图6所示：所述定位片2与下掩膜片3之间通过焊接形成互相贴合的一体化结构。上述依据本技术为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于高基频谐振器晶片的治具，其特征在于：包括从上到下依次设置的上掩膜片、定位片和下掩膜片；/n所述定位片上均匀设有若干定位槽，上掩膜片和下掩膜片上均匀设有若干电极槽，各定位槽与各电极槽一一对应；/n上掩膜片和下掩膜片上的每个电极槽上设有一个凸形层，凸形层由若干个厚度在0.03～0.06mm，凸形层的形状为U形，下掩膜片上的电极位于凸形层的内部，凸形层嵌入到与定位槽中；/n所述定位槽的长度为0.755～1.355mm，定位槽的宽度为0.575～0.985mm，定位片的厚度为0.07～0.20mm；/n所述定位槽远离电极的两角为圆弧形。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于高基频谐振器晶片的治具，其特征在于：包括从上到下依次设置的上掩膜片、定位片和下掩膜片；
所述定位片上均匀设有若干定位槽，上掩膜片和下掩膜片上均匀设有若干电极槽，各定位槽与各电极槽一一对应；
上掩膜片和下掩膜片上的每个电极槽上设有一个凸形层，凸形层由若干个厚度在0.03～0.06mm，凸形层的形状为U形，下掩膜片上的电极位于凸形层的内部，凸形层嵌入到与定位槽中；
所述定位槽的长度为0.755～1.355mm，定位槽的宽度为0.575～0.985mm，定位片的厚度为0.07～0.20mm；
所述定位槽远离电极的两角为圆弧形。


2.根据权利要求1所述的用...

【专利技术属性】
技术研发人员：王秋贞，祝希坚，
申请(专利权)人：江苏海德频率科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32