一种晶片研磨装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶片研磨装置，包括第一磨盘、第二磨盘、夹持在所述第一磨盘和所述第二磨盘之间的夹具、安装在所述夹具上的基座；所述基座具有相互背离设置的第一端面和第二端面，所述第一端面上设有用于晶片卡入的第一装夹凹槽，所述第二端面上设有用于晶片卡入的第二装夹凹槽，所述第一端面上的晶片与所述第一磨盘接触，所述第二端面上的晶片与所述第二磨盘接触。本实用新型专利技术可以提高晶片研磨质量和成品率，属于晶片加工的技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片研磨装置
本技术涉及晶片加工的
，特别是涉及一种晶片研磨装置。
技术介绍
随着工艺和技术的发展，晶片的用途越来越广泛，有些公司会提出一些超薄晶片的需求，厚度要求在80－150um左右，这就要求研磨工序所使用夹具厚度也相对较低，在常规加工中，夹具厚度低于200um的情况下，夹具在研磨过程中容易发生断齿和破损，造成该夹具内甚至整盘晶片发生碎片，极大的影响了晶片的成品率，研磨成品率仅50％左右。如果选用厚度较厚夹具，就会造成研磨前后晶片厚度变大，同时也需要增加后续抛光的加工掉量，这样会极大的降低超薄晶片加工效率，同时增加了原料和物料成本，造成超薄晶片生产成本变高。
技术实现思路
针对现有技术中存在的技术问题，本技术的目的是：提供一种晶片研磨装置，本技术可以提高晶片研磨质量和成品率。为了达到上述目的，本技术采用如下技术方案：一种晶片研磨装置，包括第一磨盘、第二磨盘、夹持在所述第一磨盘和所述第二磨盘之间的夹具、安装在所述夹具上的基座；所述基座具有相互背离设置的第一端面和第二端面，所述第一端面上设有用于晶片卡入的第一装夹凹槽，所述第二端面上设有用于晶片卡入的第二装夹凹槽，所述第一端面上的晶片与所述第一磨盘接触，所述第二端面上的晶片与所述第二磨盘接触。进一步的是：所述基座呈圆盘状，所述夹具上设有通孔，所述通孔沿着所述第一磨盘至所述第二磨盘的方向贯穿所述夹具，所述通孔的直径与所述基座的直径相等，所述基座安装在所述通孔内。进一步的是：所述夹具的厚度与所述基座的厚度相等。r>进一步的是：所述第一装夹凹槽的深度为100um－180um。进一步的是：所述第二装夹凹槽的深度为100um－180um。进一步的是：所述第一装夹凹槽的底部到所述第二装夹凹槽底部之间的距离为100um－300um。进一步的是：所述基座为聚氨酯制造的一体件。进一步的是：所述第一端面和所述第一装夹凹槽的内壁的连接处设有第一倒圆角，所述第一端面和所述基座的圆周侧面的连接处设有第二倒圆角。进一步的是：所述第二端面和所述第二装夹凹槽的内壁的连接处设有第三倒圆角，所述第二端面和所述基座的圆周侧面的连接处设有第四倒圆角。本技术与现有技术相比，其有益效果在于：晶片研磨装置可以用于超薄晶片研磨工序加工，晶片研磨装置对夹具的厚度要求低，避免了加工超薄晶片时候对夹具造成破损，晶片研磨装置的基座可以同时夹持两个晶片，提高了超薄晶片研磨工序的成品率，成品率由50％提高到90％左右。附图说明图1是晶片研磨装置的结构示意图。图2是基座的结构示意图。图3是夹具的结构示意图。图中，1为第一磨盘，2为第二磨盘，3为夹具，4为基座，5为晶片，31为通孔，41为第一端面，42为第二端面，43为第一装夹凹槽，44为第二装夹凹槽，45为第一倒圆角，46为第二倒圆角，47为第三倒圆角，48为第四倒圆角。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“连通”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。为叙述方便，除另有说明外，下文所说的上下方向与图1本身的上下方向一致。如图1至图3所示，本实施例提供一种晶片研磨装置，包括第一磨盘1、第二磨盘2、夹持在第一磨盘1和第二磨盘2之间的夹具3、安装在夹具3上的基座4；基座4具有相互背离设置的第一端面41和第二端面42，第一端面41上设有用于晶片5卡入的第一装夹凹槽43，第二端面42上设有用于晶片5卡入的第二装夹凹槽44，第一端面41上的晶片5与第一磨盘1接触，第二端面42上的晶片5与第二磨盘2接触。第一磨盘1位于第二磨盘2的上方，夹具3和基座4均位于第一磨盘1和第二磨盘2之间。一个基座4可以安装两个不同的晶片5，两个晶片5分别通过第一磨盘1和第二磨盘2进行加工。加工过程晶片5为单面掉量，也就是每片晶片5与第一磨盘1或第二磨盘2接触的面掉量，晶片5与基座4接触的面不掉量，所以为了保证晶片5的两面掉量的均匀性，每各晶片5需要进行两次研磨，每个晶片5的其中一个面研磨完成之后，要对晶片5进行翻转然后重新装在第一装夹凹槽43或第二装夹凹槽44内来对另一个面进行研磨。具体的，在一个实施例中，基座4呈圆盘状，夹具3的上设有通孔31，通孔31沿着第一磨盘1至第二磨盘2的方向贯穿夹具3，通孔31的直径与基座4的直径相等，基座4安装在通孔31内。具体的，在一个实施例中，基座4的厚度H1大于夹具31－3mm。使得晶片5能够高于夹具3。具体的，在一个实施例中，夹具3的通孔31直径比基座4的直径D1大0.3mm－0.8mm。使得夹具3能够夹住基座4。具体的，在一个实施例中，夹具3的厚度与基座4的厚度相等。防止第一磨盘1和第二磨盘2会研磨到夹具3合格基座4。具体的，在一个实施例中，基座4为环氧树脂制造的一体件，加工硬度较低的晶片5时，夹具3材料一般为环氧树脂，夹具3厚度要低于晶片5加工要求厚度上限最少20um。具体的，在一个实施例中，夹具3为一个圆盘，圆盘的圆周侧面设有轮齿，通孔31位于夹具3的端面上并沿着夹具3的轴线方向贯穿夹具3。夹具3上的通孔31有多个，基座4有若多个，多个基座4和多个通孔31一一对应。多个通孔31均位于夹具3的端面的边缘，多个通孔31沿着夹具3的圆心圆周均匀分布。具体的，在一个实施例中，第一装夹凹槽43为圆形槽，第一装夹凹槽43的深度为100um－180um。实际加工时可根据晶片5厚度选择基座4，选择原则是第一装夹凹槽43的深度大于晶片5研磨工序要求厚度15um－－30um左右。具体的，在一个实施例中，第二装夹凹槽44为圆形槽，第二装夹凹槽44的深度为100um－180um。实际加工时可根据晶片5厚度选择基座4，选择原则是第二装夹凹槽44的深度大于晶片5研磨工序要求厚度15um－－30um左右。具体的，在一个实施例中，第一装夹凹槽43的底部到第二装夹凹槽44底部之间的距离H2为100um－300um。具体的，在一个实施例中，第一装夹凹槽43的直径和第二装夹凹槽44的直径均比晶片5直径大0.3mm—0.8mm。具体的，在一个实施例中，基座4为聚氨酯制造的一体件。具体的，在一个实施例中，第一端面41和第一装夹凹槽43的内壁的连接处设有第一倒圆角45，第一端面41和基座4的圆周侧面的连接处设有第二倒圆角46。第一倒圆角45和第二倒圆角46防止研磨的时候第一磨盘1对基座4造成磨损。具体的，在一个实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片研磨装置，其特征在于：包括第一磨盘、第二磨盘、夹持在所述第一磨盘和所述第二磨盘之间的夹具、安装在所述夹具上的基座；所述基座具有相互背离设置的第一端面和第二端面，所述第一端面上设有用于晶片卡入的第一装夹凹槽，所述第二端面上设有用于晶片卡入的第二装夹凹槽，所述第一端面上的晶片与所述第一磨盘接触，所述第二端面上的晶片与所述第二磨盘接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶片研磨装置，其特征在于：包括第一磨盘、第二磨盘、夹持在所述第一磨盘和所述第二磨盘之间的夹具、安装在所述夹具上的基座；所述基座具有相互背离设置的第一端面和第二端面，所述第一端面上设有用于晶片卡入的第一装夹凹槽，所述第二端面上设有用于晶片卡入的第二装夹凹槽，所述第一端面上的晶片与所述第一磨盘接触，所述第二端面上的晶片与所述第二磨盘接触。


2.根据权利要求1所述的一种晶片研磨装置，其特征在于：所述基座呈圆盘状，所述夹具上设有通孔，所述通孔沿着所述第一磨盘至所述第二磨盘的方向贯穿所述夹具，所述通孔的直径与所述基座的直径相等，所述基座安装在所述通孔内。


3.根据权利要求2所述的一种晶片研磨装置，其特征在于：所述夹具的厚度与所述基座的厚度相等。


4.根据权利要求1所述的一种晶片研磨装置，其特征在于：所述第一装夹凹槽的深度为10...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴春龙，周铁军，毛伟文，王金灵，刘火阳，
申请(专利权)人：广东先导先进材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44