一种MiniLED显示面板结构及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种Mini LED显示面板结构，为蚀刻阻挡型结构，所述蚀刻阻挡型结构包括遮光层、平坦层和光学薄膜结构；所述光学薄膜结构为高反射率的薄膜结构且位于所述遮光层和所述平坦层之间。本发明专利技术还公开了一种MiniLED显示面板结构的制作方法，包括步骤：S1、在蚀刻阻挡型结构的遮光层和平坦层之间制备一组高反射率的光学薄膜结构。本发明专利技术通过在传统的蚀刻阻挡型结构中的遮光层和平坦层之间加入高反射率的光学薄膜结构，从而将MiniLED灯珠发出的光反射到出光方向，减少了遮光层的吸光，避免了由于遮光层吸光导致Mini LED显示器的亮度变暗以及由于遮光层不能完全遮挡造成光线从Mini LED灯珠的引脚处进入到有源层造成的有源层失效，提高了Mini LED显示器的亮度。LED显示器的亮度。LED显示器的亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种Mini LED显示面板结构及制作方法


[0001]本专利技术涉及Mini LED显示器制造领域，特别涉及一种Mini LED显示面板结构及制作方法。

技术介绍

[0002]Mini LED(Mini Light Emitting Diode，次毫米发光二极管)显示器具有超轻薄、功耗低、柔性好、可弯曲度高和色域范围广的特点，且能达到更高的HDR(High
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Dynamic Range，高动态光照渲染)和对比度。相比OLED(Organic LightEmitting Diode，有机发光二极管)显示器，Mini LED的成本更低，寿命更长，不存在烧屏的现象，可实现窄边框全面屏显示。
[0003]随着显示屏像素的要求越来越高、屏幕厚度越来越薄的趋势，Mini LED显示器的驱动器件多采用金属氧化物薄膜晶体管结构驱动，其中金属氧化物薄膜晶体管的种类有顶栅型结构(Top
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gate)、蚀刻阻挡型结构(ESL，Etch Stopper Layer)和背沟道刻蚀型(BCE，Back Channel Etch)，其中传统的蚀刻阻挡型金属氧化物有蚀刻阻挡层的保护，因而呈现出较好的稳定性，目前已实现量产。
[0004]Mini LED显示器多采用ESL进行驱动，其中ESL中的遮光层能遮挡MiniLED发出的光照射在有源层上，防止有源层直接接受光照而失效，因此遮光层多采用黑色吸光材料，导致Mini LED的亮度变暗，并且Mini LED的正负引脚之间没有遮光层，光容易在Mini LED灯珠引脚处进入到有源层，导致有源层失效。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种Mini LED显示面板结构及制作方法，通过在传统的蚀刻阻挡型结构中加入高反射率的光学薄膜结构，防止MiniLED发出的光直接照射在有源层上的同时提高Mini LED显示器的亮度。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：
[0007]一种Mini LED显示面板结构，为蚀刻阻挡型结构，所述蚀刻阻挡型结构包括遮光层、平坦层和光学薄膜结构；
[0008]所述光学薄膜结构为高反射率的薄膜结构且位于所述遮光层和所述平坦层之间。
[0009]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案为：
[0010]一种Mini LED显示面板结构的制作方法，包括步骤：
[0011]S1、在蚀刻阻挡型结构的遮光层和平坦层之间制备一组高反射率的光学薄膜结构。
[0012]本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供了一种Mini LED显示面板结构及制作方法，通过在传统的蚀刻阻挡型结构中的遮光层和平坦层之间加入高反射率的光学薄膜结构，从而将Mini LED灯珠发出的光反射到出光方向，减少了遮光层的吸光，避免了由于遮光层吸光导致Mini LED显示器的亮度变暗以及由于遮光层不能完全遮挡造成光线从Mini LED灯
珠的引脚处进入到有源层造成的有源层失效，提高了Mini LED显示器的亮度。
附图说明
[0013]图1为一种Mini LED显示面板结构的结构图；
[0014]图2为一种Mini LED显示面板结构的制作方法的主要流程图；
[0015]图3为一种Mini LED显示面板结构的制作方法的具体流程图。
[0016]标号说明：
[0017]1、玻璃基板；2、金属栅极；3、栅极绝缘层；4、有源层；5、蚀刻阻挡层；6、金属漏极；7、金属源极；8、缓冲层；9、公共电极；10、遮光层；11、电极层；12、平坦层；13、像素定义层；14、薄膜绝缘层；15、硅胶固定层；16、无机薄膜封装层；17、第一反射层；18、第二反射层；19、Mini LED灯珠。
具体实施方式
[0018]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0019]需要说明的是，本专利技术附图中图1的一种Mini LED显示面板结构的结构图仅表示组成Mini LED显示面板结构的各层薄膜之间的连接关系和位置对应关系，图1中各层之间的厚度比例并不代表实际各层之间的厚度比例，具体各层之间的厚度比例以实施例中描述为准。
[0020]请参照图1，一种Mini LED显示面板结构，为蚀刻阻挡型结构，所述蚀刻阻挡型结构包括遮光层、平坦层和光学薄膜结构；
[0021]所述光学薄膜结构为高反射率的薄膜结构且位于所述遮光层和所述平坦层之间。
[0022]由上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：通过在传统的蚀刻阻挡型结构中的遮光层和平坦层之间加入高反射率的光学薄膜结构，从而将Mini LED灯珠发出的光反射到出光方向，减少了遮光层的吸光，避免了由于遮光层吸光导致Mini LED显示器的亮度变暗以及由于遮光层不能完全遮挡造成光线从MiniLED灯珠的引脚处进入到有源层造成的有源层失效，提高了Mini LED显示器的亮度。
[0023]进一步地，所述光学薄膜结构包括不同折射率的第一反射层和第二反射层；
[0024]所述第一反射层和所述第二反射层沿着所述遮光层朝向所述平坦层的方向依次沉积在所述遮光层和所述平坦层之间。
[0025]进一步地，所述第二反射层的折射率高于所述第一反射层的折射率。
[0026]进一步地，所述第一反射层为SiO2或MgF2，所述第二反射层为TiO2、ZrO2或Ti2O5。
[0027]由上述描述可知，光学薄膜结构只要增加薄膜层数，反射率可以无限接近于100％，但考虑到实际面板中薄膜的吸收、散射损伤以及显示面板的厚度问题，优选采用第一反射层和第二反射层的双层结构，其中第一反射层采用相比于第二反射层折射率低的材料，在可见光上的消光系数足够小，具有很强的机械韧性，第二反射层采用高折射率的材料，能够使光经过反射层组合时尽可能地发生全反射，将往下照射的光完全反射到显示面板的出光面，提高了光的利用率和显示面板的亮度。
[0028]进一步地，所述蚀刻阻挡型结构还包括Mini LED灯珠、硅胶固定层和薄膜绝缘层；
[0029]所述薄膜绝缘层位于所述Mini LED灯珠的正负极引脚之间；
[0030]所述硅胶固定层位于所述Mini LED灯珠的两侧，用于固定所述Mini LED灯珠。
[0031]由上述描述可知，摒弃传统蚀刻阻挡型结构中采用导电胶来固定Mini LED灯珠的方式，在Mini LED灯珠的正负极引脚之间涂布一层薄膜绝缘层，由于薄膜绝缘层具有一定的粘度和绝缘的作用，使得当Mini LED灯珠经过巨能量转移定位在薄膜绝缘层上时，薄膜绝缘层可以将Mini LED灯珠粘连并固定住，并且可以将Mini LED灯珠的正负极引脚隔离，防止正负极引脚在绑定时，导电胶或者多余锡膏将正负极引脚连接导致短路；硅胶固定层不仅能起到固定Mini LED灯珠的作用，还能进一步防止水氧进入而腐蚀Mini LED灯珠引脚的金属衔接处。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Mini LED显示面板结构，为蚀刻阻挡型结构，其特征在于，所述蚀刻阻挡型结构包括遮光层、平坦层和光学薄膜结构；所述光学薄膜结构为高反射率的薄膜结构且位于所述遮光层和所述平坦层之间。2.根据权利要求1所述的一种Mini LED显示面板结构，其特征在于，所述光学薄膜结构包括不同折射率的第一反射层和第二反射层；所述第一反射层和所述第二反射层沿着所述遮光层朝向所述平坦层的方向依次沉积在所述遮光层和所述平坦层之间。3.根据权利要求2所述的一种Mini LED显示面板结构，其特征在于，所述第二反射层的折射率高于所述第一反射层的折射率。4.根据权利要求2所述的一种Mini LED显示面板结构，其特征在于，所述第一反射层为SiO2或MgF2，所述第二反射层为TiO2、ZrO2或Ti2O5。5.根据权利要求1所述的一种Mini LED显示面板结构，其特征在于，所述蚀刻阻挡型结构还包括Mini LED灯珠、硅胶固定层和薄膜绝缘层；所述薄膜绝缘层位于所述Mini LED灯珠的正负极引脚之间；所述硅胶固定层位于所述Mini LED灯珠的两侧，用于固定所述Mini LED灯珠。6.根据权利要求5所述的一种Mini LED显示面板结构，其特征在于，所述蚀刻阻挡型结构还包括玻璃基板、金属栅极、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、金属源极、金属漏极、公共电极、缓冲层、平坦层、遮光层、电极层、像素定义层和无机薄膜封装层；所述金属栅极具体为在所述玻璃基板上沉积的一层金属层经过曝光和蚀刻后形成的Al/Mo结构或者Cu/MoTi结构；所述栅极绝缘层沉积在所述金属栅极上以及所述玻璃基板上除所述金属栅极之外的区域，所述栅极绝缘层为SiO2或SiNx；所述有源层具体为在所述栅极绝缘层上沉积的一层金属氧化物层经过曝光和蚀刻形成的结构，所述有源层沉积在所述栅极绝缘层上与所述金属栅极对应的位置，所述有源层为IGZO、IGZTO或IZO材料；所述蚀刻阻挡层沉积在所述有源层上以及所述栅极绝缘层上除所述有源层之外的区域，且在所述有源层两端对应的位置形成两个蚀刻开孔，所述蚀刻阻挡层为SiO2或SiNx；所述金属源极和所述金属漏极均为T型结构且分别填充两个所述蚀刻开孔并与所述有源层形成搭接，所述公共电极位于所述蚀刻阻挡层上靠近所述金属漏极且远离所述金属源极的区域，所述公共电极、所述金属漏极和所述金属源极的顶部高度相持平且均为所述Al/Mo结构或者所述Cu/MoTi结构；所述缓冲层沉积在包含了所述金属源极、所述金属漏极和所述公共电极的所述蚀刻阻挡层上，并在所述金属漏极和所述公共电极上方形成两个电极开孔，两个所述电极开孔的开孔宽度均小于所述金属漏极和所述公共电极的宽度，所述缓冲层为至少一层的SiO2/SiNx叠层结构；所述遮光层、所述光学薄膜结构、所述平坦层、所述像素定义层和所述无机薄膜封装层依次沉积在所述缓冲层上，所述遮光层为至少一层的金属Mo，所述平坦层为SiO2或SiNx，所述像素定义层为聚酰亚胺、乳酸乙酯或丙二醇单甲醚，所述无机薄膜封装层为SiNx、SiO2或SiNC；
所述电极层填充在两个所述电极开孔内，且所述电极层的顶部高度与所述平坦层的顶部高度相持平，所述电极层为ITO、IGZO或AZO材料；所述薄膜绝缘层和所述硅胶固定层均位于所述像素定义层内，所述Mini LED灯珠通过正负极引脚连接在所述电极层上，所述Mini LED灯珠的顶部高度低于所述无机薄膜封装层的顶部高度，所述硅胶固定层与所述像素定义层...

【专利技术属性】
技术研发人员：温质康，乔小平，苏智昱，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：