【技术实现步骤摘要】
位移装置
[0001]本专利技术涉及自动化装备领域,具体涉及一种位移装置。
技术介绍
[0002]在自动化装备制造领域,大行程运动传送技术是自动化装备制造系统的核心技术,一直受到行业内的高度重视。大行程运动传送系统,是诸如溅射装备等工艺制程设备所必需的关键核心装置。传统的溅射装备,运动传送装置采用的是滚轮传动和机械导向的技术方式,其装置本身的重量会影响其负载的能力,尤其是驱动电机既要提供运动方向上的驱动力,又要提供支撑方向上的承载力,大大降低了驱动电机的利用效率,而且无论滚轮传动还是机械导向,均存在着接触摩擦情况,容易产生摩擦颗粒,由于设备内部多处于低真空环境甚至是高真空环境下,颗粒所带来的污染问题,不仅影响真空工况下的洁净度,而且容易干扰工艺的正常进行,破坏成品加工的质量和良品率;较新的运动传送装置采用滚轮传动和永磁导向的技术方式,虽然一定程度上解决了机械导向的摩擦颗粒问题,但驱动电机的利用效率依然较低,滚轮传动仍然存在着接触摩擦情况,由此造成的颗粒污染依然存在,影响着工艺的质量和良品率的提升。
技术实现思路
[0003]本申请的目的是提供一种位移装置,本申请的位移装置能承受较大的负载,提高了驱动电机的利用效率,并提高了工况环境的洁净度。
[0004]为实现上述目的,本专利技术提供了一种位移装置,包括支撑体;位移体;第一导向组件及第二导向组件,设置于所述支撑体与所述位移体之间并分别位于所述位移体的相对两侧;所述第一导向组件包括第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分可沿X轴方向相对位移 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种位移装置,其特征在于,包括:支撑体;位移体;第一导向组件及第二导向组件,设置于所述支撑体与所述位移体之间并分别位于所述位移体的相对两侧;所述第一导向组件包括第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分可沿X轴方向相对位移,所述第二导向组件包括第三部分和第四部分,所述第三部分和所述第四部分可沿X轴方向相对位移;所述第一导向组件的所述第一部分及所述第二导向组件的所述第三部分分别与所述位移体固定连接,所述第一导向组件的所述第二部分及所述第二导向组件的所述第四部分分别与所述支撑体固定连接;所述第一导向组件,包括设于所述第一部分并沿X轴方向延伸的第一磁体分布结构,及设于所述第二部分并沿X轴方向延伸的第二磁体分布结构;所述第一磁体分布结构与所述第二磁体分布结构之间相对间隔设置,相互间产生沿Z轴方向排斥的磁浮力以形成第一磁浮间隙;所述第二导向组件,包括设于所述第三部分并沿X轴方向延伸的第三磁体分布结构,及设于所述第四部分并沿X轴方向延伸的第四磁体分布结构;所述第三磁体分布结构与所述第四磁体分布结构之间相对间隔设置,相互间产生沿Z轴方向排斥的磁浮力以形成第二磁浮间隙,其中所述Z轴方向为所述位移体的重力方向;至少一驱动组件,包括分别固定设于所述支撑体和所述位移体并沿X轴方向延伸的定子磁性单元和动子磁性单元;其中,所述定子磁性单元和动子磁性单元用于相互磁性作用,以提供对所述位移体的位移的驱动力。2.根据权利要求1所述的位移装置,其特征在于,所述第二磁体分布结构和第一磁体分布结构相互作用,向所述位移体提供在Y轴方向上大小相同且方向相反的至少一对磁浮力或磁浮力分量,所述第四磁体分布结构向第三磁体分布结构相互作用,向所述位移体提供在Y轴方向上大小相同且方向相反的至少一对磁浮力或磁浮力分量。3.根据权利要求1所述的位移装置,其特征在于,所述第一磁体分布结构的磁体分布及磁体的磁化方向关于所述Z轴方向呈镜像关系;所述第二磁体分布结构的磁体分布及磁体的磁化方向关于所述Z轴方向呈镜像关系;所述第三磁体分布结构的磁体分布及磁体的磁化方向关于所述Z轴方向呈镜像关系;所述第四磁体分布结构的磁体分布及磁体的磁化方向关于所述Z轴方向呈镜像关系。4.根据权利要求1所述的位移装置,其特征在于,所述第一磁体分布结构包括至少一个第一磁体分布单元,所述第二磁体分布结构包括至少一个第二磁体分布单元,且所述第一磁体分布单元与所述第二磁体分布单元数量相同;所述第一磁体分布单元和所述第二磁体分布单元均包括三个横置磁体,且所述第一磁体分布单元的所述三个横置磁体和所述第二磁体分布单元的所述三个横置磁体一一对应间隔布置在所述第一磁浮间隙的两侧组成三对横置磁体,所述三对横置磁体包括一对磁化方向相同的中部横置磁体,以及两对分别位于所述中部横置磁体两侧的侧端横置磁体,每对所述侧端横置磁体的磁体磁化方向相反,两对所述侧端横置磁体置于所述Z轴方向上的相同位置且与所述中部横置磁体设于所述Z轴方向上的位置不同,且所述三对横置磁体的每对磁体分别设在所述第一部分和所述第二部分的相对间隔设置的延伸表面上;
所述第一磁体分布单元还包括一个设于两侧所述侧端横置磁体间的H磁体且磁化方向为Y轴方向,所述第二磁体分布单元还包括分别设于所述中部横置磁体和所述侧端横置磁体间,且在所述第二部分的延伸表面上的两个斜向磁体,两个所述斜向磁体的磁化方向分别为第一方向和第二方向,两个所述斜向磁体与所述H磁体相互作用,提供所述位移体在Y轴方向大小相同且方向相反的磁浮力或磁浮力分量,以及在所述Z轴方向排斥的磁浮力或磁浮力分量。5.根据权利要求4所述的位移装置,其特征在于,所述第三磁体分布结构包括至少一个第三磁体分布单元,所述第四磁体分布结构包括至少一个第四磁体分布单元,且所述第三磁体...
【专利技术属性】
技术研发人员:龚威,胡兵,蒋赟,
申请(专利权)人:上海隐冠半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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