一种掩膜版图形的修正方法技术

一种掩膜版图形的修正方法，其中，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形；沿第一方向将所述目标版图分为若干第一区；获取每个所述第一区的位置信息；根据每个所述第一区的位置信息获取该第一区的第一模型；根据所述第一模型获取所述第一区内的每个所述主图形周围的辅助图形的图形参数；根据每个所述主图形的辅助图形的图形参数，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形。所述掩膜版图形的修正方法能够使辅助图形不易被曝光。修正方法能够使辅助图形不易被曝光。修正方法能够使辅助图形不易被曝光。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版图形的修正方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种掩膜版图形的修正方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸已经接近或者小于光刻过程中使用的光波波长，光的衍射效应和干涉效应变得越来越明显，导致实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变。
[0003]在一个设计中，芯片图形的密集度具有很大的任意性。理论和实验结果都清楚地表明，密集分布图形的光刻工艺窗口与稀疏图形的光刻工艺窗口是不一样的，这就导致了共同的工艺窗口偏小。适用于密集图形曝光的光照条件并不适合稀疏图形的曝光。在设计中添加曝光辅助图形可以解决这一技术难题。
[0004]曝光辅助图形是一些很细小的图形，它们被放置在稀疏设计图形的周围，使稀疏图形在光学的角度上看像密集图形。这些辅助图形的最小尺寸必须小于光刻机的分辨率。在曝光时，它们只对光线起散射作用，而不应该在光刻胶上形成图像。因此，曝光辅助图形也叫亚分辨率的辅助图形(sub-resolution assistant feature，SRAF)或散射条(scattering bar)。
[0005]然而，由于芯片图形的设计尺寸越来越小，导致芯片图形的关键尺寸(Critical Dimension，CD)与辅助图形的关键尺寸非常接近，从而在曝光过程中，不仅芯片图形被曝光形成光刻图案，辅助图形也非常容易被曝光，导致辅助图形在光刻胶上形成图像，从而在光刻胶上形成的实际图形变得和设计图形不同。

技术实现思路

>[0006]本专利技术解决的技术问题是提供一种掩膜版图形的修正方法，从而使辅助图形不易被曝光。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形；沿第一方向将所述目标版图分为若干第一区；获取每个所述第一区的位置信息；根据每个所述第一区的位置信息获取该第一区的第一模型；根据所述第一模型获取所述第一区内的每个所述主图形周围的辅助图形的图形参数；根据每个所述主图形的辅助图形的图形参数，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形。
[0008]可选的，获取每个所述第一区的位置信息的方法包括：设置坐标轴，所述坐标轴包括沿所述第一方向的第一坐标轴；获取每个所述第一区的中心点在所述第一坐标轴上的坐标。
[0009]可选的，所述第一模型包括对所述第一区内的目标版图进行曝光的光场信息，所述光场信息包括入射光的方位角。
[0010]可选的，每个所述主图形的辅助图形包括若干散射条，每个所述散射条包括长边
和短边；第i个所述第一区的每个主图形的第一模型包括：PW
i
＝F(Φ
i
，W
i
，O
i
，L
i
，P
i
)，并且所述W
i
大于或等于掩膜限制规则，所述PW
i
为对应所述第i个第一区的每个主图形的工艺窗口大小的工艺窗口参数，所述Φ
i
、W
i
、O
i
、L
i
和P
i
均为所述第i个第一区的每个主图形的若干散射条的图形参数，所述图形参数Φ
i
为所述若干散射条中每个散射条的长边与所述第一方向的夹角，所述图形参数W
i
为所述若干散射条中每个散射条的短边的边长，所述图形参数O
i
为所述若干散射条中每个散射条的对称中心与该主图形轮廓之间的最小间距，所述图形参数L
i
为所述若干散射条中每个散射条的长边的边长，所述图形参数P
i
为所述若干散射条的周期。
[0011]可选的，所述图形参数W
i
、图形参数O
i
、图形参数L
i
和图形参数P
i
均为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数Φ
i
在零值时的导数，获取所述图形参数Φ
i
的数值。
[0012]可选的，所述图形参数O
i
、图形参数L
i
和图形参数P
i
均为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数Φ
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数Φ
i
的数值；通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数W
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数W
i
的数值。
[0013]可选的，所述图形参数O
i
、图形参数L
i
和图形参数P
i
中的一者或两者为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过分别计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数O
i
、图形参数L
i
和图形参数P
i
中为变量的图形参数在零值时的偏导数，获取所述图形参数的数值。
[0014]可选的，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数Φ
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数Φ
i
的数值；通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数W
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数W
i
的数值；通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数O
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数O
i
的数值；通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数L
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数L
i
的数值；通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数P
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数P
i
的数值。
[0015]可选的，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形的方法还包括：当所述图形参数Φ
i
小于22.5
°
或等于22.5
°
或大于157.5
°
时，以图形参数Φ
i
为0
°
设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φ
i
大于22.5
°
且小于或等于67.5
°
时，以图形参数Φ
i
为45
°
设置所述主图形的辅助图形；当图形参数所述Φ
i
大于67.5
°
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版图形的修正方法，其特征在于，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形；沿第一方向将所述目标版图分为若干第一区；获取每个所述第一区的位置信息；根据每个所述第一区的位置信息获取该第一区的第一模型；根据所述第一模型获取所述第一区内的每个所述主图形周围的辅助图形的图形参数；根据每个所述主图形的辅助图形的图形参数，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形。2.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，获取每个所述第一区的位置信息的方法包括：设置坐标轴，所述坐标轴包括沿所述第一方向的第一坐标轴；获取每个所述第一区的中心点在所述第一坐标轴上的坐标。3.如权利要求2所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一模型包括对所述第一区内的目标版图进行曝光的光场信息，所述光场信息包括入射光的方位角。4.如权利要求3所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，每个所述主图形的辅助图形包括若干散射条，每个所述散射条包括长边和短边；第i个所述第一区的每个主图形的第一模型包括：PW
i
＝F(Φ
i
，W
i
，O
i
，L
i
，P
i
)，并且所述W
i
大于或等于掩膜限制规则，所述PW
i
为对应所述第i个第一区的每个主图形的工艺窗口大小的工艺窗口参数，所述Φ
i
、W
i
、O
i
、L
i
和P
i
均为所述第i个第一区的每个主图形的若干散射条的图形参数，所述图形参数Φ
i
为所述若干散射条中每个散射条的长边与所述第一方向的夹角，所述图形参数W
i
为所述若干散射条中每个散射条的短边的边长，所述图形参数O
i
为所述若干散射条中每个散射条的对称中心与该主图形轮廓之间的最小间距，所述图形参数L
i
为所述若干散射条中每个散射条的长边的边长，所述图形参数P
i
为所述若干散射条的周期。5.如权利要求4所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述图形参数W
i
、图形参数O
i
、图形参数L
i
和图形参数P
i
均为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数Φ
i
在零值时的导数，获取所述图形参数Φ
i
的数值。6.如权利要求4所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述图形参数O
i
、图形参数L
i
和图形参数P
i
均为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数Φ
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数Φ
i
的数值；通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数W
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数W
i
的数值。7.如权利要求4所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述图形参数O
i
、图形参数L
i
和图形参数P
i
中的一者或两者为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过分别计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数O
i
、图形参数L
i
和图形参数P
i
中为变量的图形参数在零值时的偏导数，获取所述图形参数的数值。8.如权利要求4所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数Φ
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数Φ
i
的数值；通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数W
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数W
i
的数值；通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参
数O
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数O
i
的数值；通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数L
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数L
i
的数值；通过计算工艺窗口参数PW
i
关于图形参数P
i
在零值时的偏导数，获取所述图形参数P
i
的数值。9.如权利要求5所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形的方法还包括：当所述图形参数Φ
i
小于22.5
°
或等于22.5
°
或大于157.5
°
时，以图形参数Φ
i
为0
°
设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φ
i
大于22.5
°
且小于或等于67.5
°
时，以图形参数Φ
i
为45
°
设置所述主图形的辅助图形；当图形参数所述Φ
i
大于67.5
°
且小于或等于112.5
°
时，以图形参数Φ
i
为90
°
设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φ
i
大于112.5
°
且小于或等于157.5
°
时，以图形参数Φ
i
为135
°
设置所述主图形的辅助图形。10.如权利要求6所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形的方法还包括：当所述图形参数Φ
i
小于22.5
°
或等于22.5
°
或大于157.5
°
时，以图形参数Φ
i
为0
°
设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φ
i
大于22.5
°
且小于或等于67.5
°
时，以图形参数Φ
i
为45
°
设置所述主图形的辅助图形；当图形参数所述Φ
i
大于67.5
°
且小于或...

【专利技术属性】
技术研发人员：柏锋，张婉娟，王英芳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：