电缆结构制造技术

本实用新型专利技术的实施例提供了一种电缆结构，涉及电缆领域。旨在改善电缆导体的性能。电缆结构包括单晶金属芯以及单晶二维材料层；单晶二维材料层包覆在单晶金属芯的外表面。单晶金属芯的内部没有晶界，为单晶金属取向，单晶金属芯表面覆盖单晶二维材料层，单晶二维材料层覆盖均匀，与单晶金属芯不剥离，能够有效改善电缆导体的导电、耐腐蚀等性能；同时用于高频电缆，能够提高导电以及信号传输性能。能够提高导电以及信号传输性能。能够提高导电以及信号传输性能。

【技术实现步骤摘要】
电缆结构


[0001]本技术涉及电缆领域，具体而言，涉及一种电缆结构。

技术介绍

[0002]相关技术中，为了提高电缆导体的电导率，减少高频下的损耗，电缆导体一般采用无氧铜线或无氧铜线镀银来制作。铜镀银工艺不仅成本较高，而且存在电镀环境污染问题，导致材料的应用受到限制。
[0003]石墨烯具有减小复合金属导体的电阻，可承载的更大电流，改善屏蔽性能和防静电效果，提高线缆的拉断力、可靠性和使用寿命等优点。然而现有“铜+石墨烯”的电缆导体，由于表面存在大量的晶界、表面粗糙度过大和氧化缺陷过多等原因，严重影响了电缆导体的导电、耐腐蚀等性能。特别是在高频电缆的趋肤效应下，将严重影响高频电缆的导电、信号传输效果。

技术实现思路

[0004]本技术的目的包括，例如，提供了一种电缆结构，其能够改善电缆导体的性能。
[0005]本技术的实施例可以这样实现：
[0006]本技术的实施例提供了电缆结构，包括：单晶金属芯以及单晶二维材料层；所述单晶二维材料层包覆在所述单晶金属芯的外表面。
[0007]另外，本技术的实施例提供的电缆结构还可以具有如下附加的技术特征：
[0008]可选地：所述单晶二维材料层的数量为多层，多层所述单晶二维材料层依次层叠包覆在所述单晶金属芯的外表面。
[0009]可选地：所述单晶二维材料层为通过CVD工艺形成的薄膜结构。
[0010]可选地：所述单晶二维材料层的厚度为5
‑
300nm。
[0011]可选地：所述单晶二维材料层的材质为石墨烯。
[0012]可选地：所述电缆结构还包括绝缘层，所述绝缘层包覆在所述单晶二维材料层的外表面。
[0013]可选地：所述电缆结构还包括外导体屏蔽层，所述导体屏蔽层包覆在所述绝缘层的外表面。
[0014]可选地：所述电缆结构还包括护套层，所述护套层包覆在所述外导体屏蔽层的外表面。
[0015]可选地：所述单晶金属芯的数量为多根，多根所述单晶金属芯绞合；每根所述单晶金属芯的外表面依次包覆所述单晶二维材料层以及所述绝缘层。
[0016]可选地：所述电缆结构还包括填充介质以及外导体屏蔽层，所述外导体屏蔽层包裹多根所述单晶金属芯；
[0017]所述填充介质填充在每根所述单晶金属芯的外表面的所述绝缘层与所述外导体
屏蔽层之间。
[0018]本技术实施例的电缆结构的有益效果包括，例如：
[0019]电缆结构，单晶金属芯为单晶金属取向，单晶金属芯的内部没有晶界，单晶金属芯的表面覆盖单晶二维材料层，单晶二维材料层与单晶金属芯不剥离，单晶金属芯加单晶二维材料层形成的电缆导体能够有效改善电缆导体的导电性能，提高耐腐蚀性；同时，用于高频电缆能够提高电缆的导电以及信号传输性能。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0021]图1为本技术实施例提供的电缆结构的第一种结构的内部结构示意图；
[0022]图2为本技术实施例提供的电缆结构的第二种结构的内部结构示意图。
[0023]图标：100
‑
单晶金属芯；200
‑
单晶二维材料层；300
‑
绝缘层；400
‑
外导体屏蔽层；500
‑
护套层；600
‑
填充介质。
具体实施方式
[0024]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0025]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0027]在本技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0028]此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0029]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施例中的特征可以相互结合。
[0030]下面结合图1至图2对本实施例提供的电缆结构进行详细描述。
[0031]本技术的实施例提供了电缆结构，包括：单晶金属芯100以及单晶二维材料层200；单晶二维材料层200包覆在单晶金属芯100的外表面。
[0032]单晶金属芯100单晶金属取向，没有晶界，单晶二维材料层200也是单晶材料，单晶金属芯100外表面覆盖单晶二维材料层200，能够提高电缆导体的导电以及耐腐蚀等性能。参照表1。
[0033][0034]根据表1可知，本实施例提供的电缆导体和对比例中多晶界金属芯相比，电导率更高，更能够符合现有条件下高频电缆的综合性能要求。
[0035]本实施例中，单晶金属芯100的材质为铜。在其他实施例中，单晶二维材料层200的材质可以为金、银、铜、铝、铂、钨、铁、铬、钴、镍金属及其合金。
[0036]具体地，单晶金属芯100的直径范围为0.015
‑
2.5mm。
[0037]本实施例中，单晶二维材料层200的材质为石墨烯。在其他实施例中，单晶二维材料层200的材质可以为石墨烯、六方氮化硼、过渡金属硫族化合物、及三五族化合物中任一种。其中，过渡金属硫族化合物可以为二硫化钼、二硒化钼、二碲化钼、二硫化钨、二硒化钨或二碲化钨。三五族化合物可以为氮化镓或磷化铟。
[0038]本实施例中，单晶二维材料层200的数量为多层，多层单晶二维材料层200依次层叠包覆在单晶金属芯100的外表面。
[0039]单晶二维材料层200的数量可以为单层，也可以为多层。具体地，单晶二维材料层200的层数范围为1
‑
100层，优选层数是1
‑
20层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电缆结构，其特征在于，包括：单晶金属芯(100)以及单晶二维材料层(200)；所述单晶二维材料层(200)包覆在所述单晶金属芯(100)的外表面。2.根据权利要求1所述的电缆结构，其特征在于：所述单晶二维材料层(200)的数量为多层，多层所述单晶二维材料层(200)依次层叠包覆在所述单晶金属芯(100)的外表面。3.根据权利要求2所述的电缆结构，其特征在于：所述单晶二维材料层(200)为通过CVD工艺形成的薄膜结构。4.根据权利要求3所述的电缆结构，其特征在于：所述单晶二维材料层(200)的厚度为5
‑
300nm。5.根据权利要求1所述的电缆结构，其特征在于：所述单晶二维材料层(200)的材质为石墨烯。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的电缆结构，其特征在于：所述电缆结构还包括绝缘层(300)，所述绝缘层(300)包覆在所述单晶二维材料层(200)的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：何梦林，李皓，
申请(专利权)人：中科晶益东莞材料科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：