一种IGBT单元组制造技术

本实用新型专利技术提供一种IGBT单元组，包括绝缘板，绝缘板的两侧面上由下至上依次平行叠设有冷却铜板、P向铜排、N向铜排和U向铜排；冷却铜板上设有冷却铜板用冷却铜管；P向铜排上设有P向铜排用冷却铜管；N向铜排上设有N向铜排用冷却铜管；U向铜排上设有U向铜排用冷却铜管；还包括IGBT模块，IGBT模块有两组，两组IGBT模块分别设于冷却铜板的两侧，IGBT模块上部的三个输出连接铜端子分别连接P相铜排,N相铜排和U相铜排。本申请中，铜排与铜排之间采用层叠平行分布的结构降低线路分布杂散电感，降低直流回路对后续IGBT单元组功率元件两端的反向峰值电压,降低对IGBT单元组内浪涌吸收电容回路的电压要求，提高功率元件IGBT单元组运行的可靠性和稳定性。靠性和稳定性。靠性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT单元组


[0001]本技术涉及电子电路
，特别涉及一种IGBT单元组。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
[0003]IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
[0004]IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所述的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。
[0005]现有的IGBT单元在接入电气设备中，其芯片所产生的热量会导致在局部热点上散热性较差，而芯片位于IGBT单元的表面，如何实现热传导，需要基于现有的IGBT单元进行改良和改善。
[0006]所以，针对现有技术存在的不足，有必要设计一种IGBT单元组，以解决上述问题。

技术实现思路

[0007]为克服上述现有技术中的不足，本技术目的在于提供一种IGBT单元组。
[0008]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供的技术方案是：一种IGBT单元组，包括：
[0009]绝缘板；
[0010]冷却铜板，所述冷却铜板有两个，两个所述冷却铜板分别平行叠设于所述绝缘板的外侧，所述冷却铜板上设有冷却铜板用冷却铜管；
[0011]P相铜排，所述P相铜排有两个，两个所述P相铜排分别平行叠设于两个所述冷却铜板的外侧，所述P相铜排上设有P相铜排用冷却铜管；
[0012]N相铜排，所述N相铜排有两个，两个所述N相铜排分别平行叠设于两个所述P相铜排的外侧，所述N相铜排上设有N相铜排用冷却铜管；
[0013]U相铜排，所述U相铜排有两个，两个所述U相铜排分别平行叠设于两个所述N相铜排的外侧，所述U相铜排上设有U相铜排用冷却铜管；
[0014]IGBT模块，所述IGBT模块有两组，两组所述IGBT模块分别设于所述冷却铜板的两侧，所述 IGBT模块上部的三个输出连接铜端子分别连接所述P相铜排,所述N相铜排和所述
U相铜排。
[0015]优选的技术方案为：每组所述IGBT模块对应设置有相同数量的浪涌吸收电容。
[0016]优选的技术方案为：所述P相铜排和所述冷却铜板之间设有P相绝缘胶片。
[0017]优选的技术方案为：所述N相铜排和所述P相铜排之间设有N相绝缘胶片。
[0018]优选的技术方案为：所述U相铜排和所述N相铜排之间设有U相绝缘胶片。
[0019]优选的技术方案为：还包括四块用于驱动所述IGBT模块的IGBT驱动电路板和四块用于实现信号分配的IGBT信号分配板。
[0020]由于上述技术方案运用，本技术具有的有益效果为：
[0021]本技术中，铜排与铜排之间采用层叠平行分布的结构降低线路分布杂散电感，降低直流回路对后续IGBT单元组功率元件两端的反向峰值电压,降低对IGBT单元组内浪涌吸收电容回路的电压要求，提高功率元件IGBT单元组运行的可靠性和稳定性。
附图说明
[0022]图1为本技术结构示意图。
[0023]图2为本技术俯视图。
[0024]图3为本技术冷却铜板三视图。
[0025]图4为本技术P相铜排三视图。
[0026]图5为本技术N相铜排三视图。
[0027]图6为本技术U相铜排三视图。
[0028]以上附图中，1、绝缘板；2、冷却铜板；21、冷却铜板用冷却铜管；3、P相铜排；31、P 相铜排用冷却铜管；4、N相铜排；41、N相铜排用冷却铜管；5、U相铜排；51、U相铜排用冷却铜管；6、IGBT驱动电路板；7、IGBT信号分配板；8、IGBT模块；9、浪涌吸收电容。
具体实施方式
[0029]以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。
[0030]请参阅图1
‑
图6。须知，在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0031]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，可以是机械连接，也可以是电连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理
解上述术语在本技术中的具体含义。
[0032]实施例：
[0033]如图1
‑
图6所示，为本技术提供的一种IGBT单元组。包括绝缘板1，绝缘板1采用木质板状结构，在绝缘板1的两侧面上由下至上依次平行叠设有冷却铜板2、P相铜排3、N 相铜排4和U相铜排5。
[0034]具体的，冷却铜板2上设有冷却铜板用冷却铜管21；P相铜排3上设有P相铜排用冷却铜管31；N相铜排4上设有N相铜排用冷却铜管41；U相铜排5上设有U相铜排用冷却铜管 51。使用时，若干冷却铜管中均通低电导率的工业用蒸馏水，用于散热。
[0035]还包括IGBT模块8，IGBT模块8有两组，两组IGBT模块8分别设于冷却铜板2的两侧，每侧分上下两排，每排具有6个，每个IGBT模块8均对应设置有相同数量的浪涌吸收电容 9。IGBT模块8上部的三个输出连接铜端子分别连接P相铜排3,N相铜排4和U相铜排5。
[0036]进一步的，P相铜排3和冷却铜板2之间设有P相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT单元组，其特征在于，包括：绝缘板；冷却铜板，所述冷却铜板有两个，两个所述冷却铜板分别平行叠设于所述绝缘板的外侧，所述冷却铜板上设有冷却铜板用冷却铜管；P相铜排，所述P相铜排有两个，两个所述P相铜排分别平行叠设于两个所述冷却铜板的外侧，所述P相铜排上设有P相铜排用冷却铜管；N相铜排，所述N相铜排有两个，两个所述N相铜排分别平行叠设于两个所述P相铜排的外侧，所述N相铜排上设有N相铜排用冷却铜管；U相铜排，所述U相铜排有两个，两个所述U相铜排分别平行叠设于两个所述N相铜排的外侧，所述U相铜排上设有U相铜排用冷却铜管；IGBT模块，所述IGBT模块有两组，两组所述IGBT模块分别设于所述冷却铜板的两侧，所述IGBT模块上部的三个输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：万政权，
申请(专利权)人：江苏纳士达感应加热科技有限公司，
类型：新型
国别省市：