一种光耦驱动电路结构制造技术

本实用新型专利技术公开了智能电容技术领域内的一种光耦驱动电路结构，包括互锁单元，互锁单元包括反相器IC7E和反相器IC8A，反相器IC7E的输出端经电阻R43连接电阻R57一端、三极管N12的基极和二极管D22的阳极，反相器IC8A的输出端经电阻R46连接二极管D24的阳极、电阻R60一端和三极管N15的基极，三极管N12的集电极连接电阻R50一端和二极管D24的阴极，光耦驱动单元G13的输入端连接发光二极管L16的阳极，发光二极管L16的阴极连接电阻R53另一端，光耦驱动单元G11的驱动输入端连接发光二极管L13的阳极，发光二极管L13的阴极连接电阻R50另一端；本实用新型专利技术提高产品的稳定性。用新型提高产品的稳定性。用新型提高产品的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种光耦驱动电路结构


[0001]本技术属于智能电容
，特别涉及一种光耦驱动电路结构。

技术介绍

[0002]在智能低压无功补偿模块中，使用光耦电路驱动大功率半导体器件，使电力电容器投入电网中，进行无功调节。
[0003]实际使用过程中，在设备通电瞬间，A相和C相会同时出现短暂的冲击电流。经反复测试，在电路上电瞬间，单片机端口状态不稳定，偶尔出现同时能使两路光耦模块工作的脉冲信号，虽然单片机程序中已经做了两路驱动信号互锁的处理，但仍不能避免加电瞬间或者死机等意外事件引起误动作的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于，克服现有技术中的不足之处，提供一种光耦驱动电路结构，解决了现有技术中产品加电瞬间或者死机等意外事件引起误动作的技术难题，本技术结构简单，可有效避免光耦驱动单元出现同时动作的情况。
[0005]本技术的目的是这样实现的：一种光耦驱动电路结构，包括互锁单元、光耦驱动单元G11和G13，所述互锁单元使两个光耦驱动单元分别动作，所述互锁单元包括反相器IC7E和反相器IC8A，反相器IC7E的输出端连接电阻R43一端，电阻R43另一端连接电阻R57一端、三极管N12的基极和二极管D22的阳极，所述反相器IC8A的输出端连接电阻R46一端，所述电阻R46另一端连接二极管D24的阳极、电阻R60一端和三极管N15的基极，所述三极管N12的集电极连接电阻R50一端和二极管D24的阴极，所述光耦驱动单元G13的驱动输入端连接发光二极管L16的阳极，所述发光二极管L16的阴极连接电阻R53另一端，所述光耦驱动单元G11的驱动输入端连接发光二极管L13的阳极，所述发光二极管L13的阴极连接电阻R50另一端，所述电阻R57另一端、三极管N12发射极、电阻R60另一端和三极管N15发射极均接地。
[0006]作为本技术的进一步改进，所述反相器IC7E和反相器IC8A均为74LS04。
[0007]作为本技术的进一步改进，所述三极管N12和三极管N15的型号均为2N5551。
[0008]本技术中，反相器IC7E的输入端连接单片机，信号隔离整形后控制三极管N12的通断；反相器IC8A的输入端连接单片机，信号隔离整形后控制三极管N15的通断，光耦驱动单元G11的输出端经接线端子SC2连接A相可控硅功率元件，光耦驱动单元G13的输出端经接线端子SC4连接C相可控硅功率元件；初始状态时IC7E、IC8A的输入端均为低电平，IC7E和IC8A的输出端均为高电平，这种情况下其中一路必然先导通，若三极管N12先导通，N12的集电极为低电平，N15的基极电平经二极管D24被迅速拉低为低电平，三极管N15不导通；若三极管N15先导通，三极管N15的集电极为低电平，三极管N12的基极电平经二极管D22被迅速拉低为低电平，三极管N12不导通；当IC7E的输入端为低电平，IC8A的输入端为高电平时，反相器IC7E的输出端为高电平，反相器IV8A的输出端为低电平，此时三极管N12导通，三极管N12的集电极为低电平，12V电源经过光耦驱动单元G11、发光二极管L13、电阻R50和三极管
N12到地形成回路，光耦驱动单元G11开始工作，同时三极管N15的基极电平经过二极管D24至三极管N12的集电极被钳制在低电平状态；当IC7E的输入端为高电平，反相器IC8A的输入端为低电平，对应IC7E的输出端为低电平，反相器IC8A的输出端为高电平，此时三极管N15导通，N15的集电极为低电平，12V电源经过光耦驱动单元G13、发光二极管L16、电阻R53和三极管N15到地形成回路，光耦驱动单元G13开始工作，同时N12的基极电平被钳制在低电平状态；从上可以看出，无论另一路出现任何干扰，都不能改变当前工作状态，实现互锁；本技术结构简单，有效避免光耦驱动模块因上电瞬间或单片机死机等事件引起同时动作的情况，提高了产品的稳定性；可应用于智能低压无功补偿模块中驱动大功率半导体器件的工作中。
附图说明
[0009]图1为本技术的结构框图。
[0010]图2为本技术的电路原理图。
具体实施方式
[0011]下面结合附图对本技术进行进一步说明。
[0012]如图1和图2所示的一种光耦驱动电路结构，包括互锁单元、光耦驱动单元G11和G13，所述互锁单元使两个光耦驱动单元分别动作，所述互锁单元包括反相器IC7E和反相器IC8A，反相器IC7E的输出端连接电阻R43一端，电阻R43另一端连接电阻R57一端、三极管N12的基极和二极管D22的阳极，所述反相器IC8A的输出端连接电阻R46一端，所述电阻R46另一端连接二极管D24的阳极、电阻R60一端和三极管N15的基极，所述三极管N12的集电极连接电阻R50一端和二极管D24的阴极，所述光耦驱动单元G13的驱动输入端连接发光二极管L16的阳极，所述发光二极管L16的阴极连接电阻R53另一端，所述光耦驱动单元G11的驱动输入端连接发光二极管L13的阳极，所述发光二极管L13的阴极连接电阻R50另一端，所述电阻R57另一端、三极管N12发射极、电阻R60另一端和三极管N15发射极均接地。
[0013]其中，反相器IC7E和反相器IC8A的型号均为74LS04；三极管N12和三极管N15的型号均为2N5551。
[0014]本技术中，反相器IC7E的输入端连接单片机，信号隔离整形后控制三极管N12的通断；反相器IC8A的输入端连接单片机，信号隔离整形后控制三极管N15的通断，光耦驱动单元G11的输出端经接线端子SC2连接A相可控硅功率元件，光耦驱动单元G13的输出端经接线端子SC4连接C相可控硅功率元件；初始状态时IC7E、IC8A的输入端均为低电平，IC7E和IC8A的输出端均为高电平，这种情况下其中一路必然先导通，若三极管N12先导通，N12的集电极为低电平，N15的基极电平经二极管D24被迅速拉低为低电平，三极管N15不导通；若三极管N15先导通，三极管N15的集电极为低电平，三极管N12的基极电平经二极管D22被迅速拉低为低电平，三极管N12不导通；当IC7E的输入端为低电平，IC8A的输入端为高电平时，反相器IC7E的输出端为高电平，反相器IV8A的输出端为低电平，此时三极管N12导通，三极管N12的集电极为低电平，12V电源经过光耦驱动单元G11、发光二极管L13、电阻R50和三极管N12到地形成回路，光耦驱动单元G11开始工作，同时三极管N15的基极电平经过二极管D24至三极管N12的集电极被钳制在低电平状态；当IC7E的输入端为高电平，反相器IC8A的输入
端为低电平，对应IC7E的输出端为低电平，反相器IC8A的输出端为高电平，此时三极管N15导通，N15的集电极为低电平，12V电源经过光耦驱动单元G13、发光二极管L16、电阻R53和三极管N15到地形成回路，光耦驱动单元G13开始工作，同时N12的基极电平被钳制在低电平状态；从上可以看出，无论另一路出现任何本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光耦驱动电路结构，其特征在于：包括互锁单元、光耦驱动单元G11和G13，所述互锁单元使两个光耦驱动单元分别动作，所述互锁单元包括反相器IC7E和反相器IC8A，反相器IC7E的输出端连接电阻R43一端，电阻R43另一端连接电阻R57一端、三极管N12的基极和二极管D22的阳极，所述反相器IC8A的输出端连接电阻R46一端，所述电阻R46另一端连接二极管D24的阳极、电阻R60一端和三极管N15的基极，所述三极管N12的集电极连接电阻R50一端和二极管D24的阴极，所述光耦驱动单元G13的驱动输入端...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢星宏，张瑞丰，
申请(专利权)人：艾博白云电气技术扬州有限公司，
类型：新型
国别省市：