具有电耦合结构的微波介质波导滤波器制造技术

本实用新型专利技术具有电耦合结构的微波介质波导滤波器包括介质块，及介质块上的多个微波介质波导谐振器，每个微波介质波导谐振器上均设有调谐孔，介质块上还设有间隔设置在第一调谐孔与第二调谐孔之间的盲槽，所述介质块表面、第一调谐孔、第二调谐孔以及盲槽内均设有导电层，所述盲槽底部外圈还设有金属避让区，盲槽底部设有的导电层借助金属避让区在第一调谐孔和第二调谐孔之间形成电场耦合传输线。采用电场耦合传输线实现了两个微波介质谐振器之间的电耦合，使微波介质波导滤波器的多个微波介质波导谐振器之间的交叉耦合产生特定所需要的极性，从而产生所需求的传输零点，提高微波介质波导滤波器在特定范围的信号抑制，使滤波器具有更好的频率选择特性。波器具有更好的频率选择特性。波器具有更好的频率选择特性。

【技术实现步骤摘要】
具有电耦合结构的微波介质波导滤波器


[0001]本技术属于介质滤波器
，涉及到一种具有电耦合结构的微波介质波导滤波器。

技术介绍

[0002]随着无线通信技术的发展，尤其是大规模天线技术在5G系统中的应用，射频通道数将成倍增长为64通道甚至128通道，基站滤波器的需求空间巨大，同时5G基站的高度集成化和小型化发展对于滤波器的尺寸的和发热性能提出了更高的要求。介质滤波器尤其微波介质波导滤波器凭借高Q值、低损耗、体积小、重量轻、成本低、抗温漂性能好等优点成为5G时代滤波器的主流，拥有广阔的应用前景。
[0003]为了改善滤波器的频率选择特性，微波介质波导滤波器多为交叉耦合滤波器，滤波器的多个介质波导谐振器之间交叉耦合可以产生传输零点，有效的增加滤波器通带近端的带外抑制。谐振器之间的耦合包括电耦合和磁耦合，如果在交叉耦合滤波器中只有单一正极性的磁耦合，就限制了传输零点设置的灵活性，引入至少一个耦合极性为负的电耦合就可以实现传输零点的灵活设置。目前在介质波导滤波器的谐振器之间实现电耦合的难点较多，实现的结构往往比较复杂，不利于介质波导滤波器的加工，实际应用存在局限性，有必要加以改进。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本技术提出了一种结构简单的具有电耦合结构的微波介质波导滤波器。
[0005]本技术采用的技术方案是，
[0006]具有电耦合结构的微波介质波导滤波器，包括介质块，所述介质块包含多个微波介质波导谐振器，每个微波介质波导谐振器上均设有调谐孔，相邻两个微波介质波导谐振器借助耦合结构连接，所述相邻两个微波介质波导谐振器分别包括第一调谐孔与第二调谐孔
[0007]所述耦合结构还包括盲槽，所述盲槽设置在介质块上并且间隔设置在第一调谐孔与第二调谐孔之间，
[0008]所述介质块表面、第一调谐孔、第二调谐孔以及盲槽内均设有导电层，所述盲槽底部外圈还设有金属避让区，
[0009]盲槽底部设有的导电层借助金属避让区在第一调谐孔和第二调谐孔之间形成电场耦合传输线。
[0010]所述第一调谐孔、第二调谐孔与盲槽的开口方向相同。
[0011]所述盲槽的形状为长圆形，盲槽的长轴与第一调谐孔和第二调谐孔的连线平行。
[0012]所述金属避让区为去除盲槽底部导电层形成的非金属化环形封闭结构。
[0013]所述的具有电耦合结构的微波介质波导滤波器还包括第三调谐孔、第四调谐孔、
第五调谐孔、第六调谐孔及第一通槽和第二通槽，所述第一通槽和第二通槽分别设置在三调谐孔和第四调谐孔、第五调谐孔和第六调谐孔之间。
[0014]所述盲槽内还设有盲孔，盲孔对称设置于盲槽底部的两端，所述盲孔内壁设有导电层。
[0015]所述导电层为金属银材质。
[0016]所述介质块为微波介质陶瓷。
[0017]本技术的有益效果是：
[0018]在盲槽底部设有的导电层借助金属避让区在两个微波介质谐振器的调谐孔之间形成电场耦合传输线，采用电场耦合传输线实现了两个微波介质谐振器之间的电耦合，使微波介质波导滤波器的多个微波介质波导谐振器之间的交叉耦合产生特定所需要的极性，从而产生所需求的传输零点，提高微波介质波导滤波器在特定范围的信号抑制，使滤波器具有更好的频率选择特性。这种电耦合结构相对简单，利于微波介质波导滤波器的加工，具有调试方便，利于大批量生产的优点。
[0019]下面结合附图对本技术进行详细说明。
附图说明
[0020]图1是本技术具体实施例1的俯视图；
[0021]图2是本技术图1沿A
‑
A方向的剖面图；
[0022]图3是本技术具体实施例2的俯视图；
[0023]图4是本技术具体实施例3的俯视图；
[0024]附图中，1、介质块，2、盲槽，3、第一调谐孔，4、第二调谐孔，5、金属避让区，6、第三调谐孔，7、第四调谐孔，8、第五调谐孔，9、第六调谐孔，10、第一通槽，11、第二通槽，12、盲孔。
具体实施方式
[0025]以下结合具体实施例及附图对本技术的技术方案作进一步详细的描述，但本技术的保护范围及实施方式不限于此。
[0026]具体实施例1，如图1和图2所示，本技术为一种具有电耦合结构的微波介质波导滤波器，包括介质块1，所述介质块1包含多个微波介质波导谐振器，每个微波介质波导谐振器上均设有调谐孔，设置在介质块1上的调谐孔周围区域的介质形成相应的微波介质波导谐振器，
[0027]相邻两个微波介质波导谐振器借助耦合结构形成耦合连接，所述相邻两个微波介质波导谐振器分别包括第一调谐孔3与第二调谐孔4，
[0028]所述耦合结构还包括盲槽2，所述盲槽2设置在介质块1上并且间隔设置在第一调谐孔3与第二调谐孔4之间，所述介质块1表面、第一调谐孔3、第二调谐孔4以及盲槽2内均设有导电层，所述盲槽2底部外圈还设有金属避让区5，盲槽2底部设有的导电层借助金属避让区5在第一调谐孔3和第二调谐孔4之间形成电场耦合传输线。
[0029]被金属避让区5封闭分隔出的导电层的形状为长圆形，此长圆形导电层在两个微波介质谐振器间起连接作用，形成一条传输线，传输线的两端分别与两个相邻微波介质谐
振器通过电场作用，在传输线上形成电流，因此长圆形导电层在两个微波介质波导谐振器之间是电场耦合传输线，可以实现了两个微波介质谐振器之间的电耦合。电耦合的强度与电场耦合传输线的长度、宽度、所在盲槽2的深度和位置有关，实际应用中依据需要进行调整，在此不予限定。
[0030]进一步，所述第一调谐孔3、第二调谐孔4与盲槽2的开口方向相同。所述盲槽2的形状为长圆形，盲槽2的长轴与第一调谐孔3和第二调谐孔4的连线平行。所述金属避让区5为去除盲槽2底部导电层形成的非金属化环形封闭结构。
[0031]长圆形状的盲槽2可以使底部形成的电场耦合传输线的两端能够尽可能位于谐振器的腔体中心，因为电场在谐振器的腔体中心位置最强，更容易实现电耦合。
[0032]具体实施例2，如图3所示，本技术由六个微波介质谐振器组成，还包括第三调谐孔6、第四调谐孔7、第五调谐孔8、第六调谐孔9及第一通槽10和第二通槽11，所述第一通槽10和第二通槽11分别设置在三调谐孔6和第四调谐孔7、第五调谐孔8和第六调谐孔9之间。
[0033]介质块1上设置的第一通槽10和第二通槽11，贯穿介质块1上下表面，通槽在相邻的微波介质谐振器之间起电感膜片的作用，实现微波介质谐振器之间的磁耦合。
[0034]微波介质波导滤波器的拓扑结构包含有CQ拓扑结构单元，且CQ拓扑结构单元包括一个电场耦合传输线实现的电耦合结构，电耦合结构在CQ拓扑结构单元中产生必要的耦合极性，从而使CQ拓扑结构单元独立实现两个传输零点，增加了微波介质波导滤波器在通带近端的信号抑制，提高了微波介质波导滤波器的频率选择特性。
[0035]具体实施例3，如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.具有电耦合结构的微波介质波导滤波器，包括介质块(1)，所述介质块(1)包含多个微波介质波导谐振器，每个微波介质波导谐振器上均设有调谐孔，相邻两个微波介质波导谐振器借助耦合结构连接，所述相邻两个微波介质波导谐振器分别包括第一调谐孔(3)与第二调谐孔(4)其特征在于：所述耦合结构还包括盲槽(2)，所述盲槽(2)设置在介质块(1)上并且间隔设置在第一调谐孔(3)与第二调谐孔(4)之间，所述介质块(1)表面、第一调谐孔(3)、第二调谐孔(4)以及盲槽(2)内均设有导电层，所述盲槽(2)底部外圈还设有金属避让区(5)，盲槽(2)底部设有的导电层借助金属避让区(5)在第一调谐孔(3)和第二调谐孔(4)之间形成电场耦合传输线。2.根据权利要求1所述的具有电耦合结构的微波介质波导滤波器，其特征在于：所述第一调谐孔(3)、第二调谐孔(4)与盲槽(2)的开口方向相同。3.根据权利要求1所述的具有电耦合结构的微波介质波导滤波器，其特征在于：所述盲槽(2)的形状为长圆形，盲槽(2)的长轴与第一调谐...

【专利技术属性】
技术研发人员：高付龙，王明哲，张志强，
申请(专利权)人：石家庄市鹿泉区麦特思电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：