一种基于反激电源芯片的升压电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种基于反激电源芯片的升压电路，属于交换机的电源电路结构领域。本实用新型专利技术包括反激电源芯片分别与所述反激电源芯片相连的降压模块、升压模块和反馈模块，其中，所述降压模块用于对反激电源芯片的电源输入端降压，所述升压模块设置在反激电源芯片的电源输出端，用于输出升压后的电源，所述反馈模块用于反馈升压模块输出端的电压变化给所述反激电源芯片。本实用新型专利技术的有益效果为：减少PCB占有尺寸，有效降低物料成本，相比专业的高压Boost升压芯片，成本降低50％以上。成本降低50％以上。成本降低50％以上。

【技术实现步骤摘要】
一种基于反激电源芯片的升压电路


[0001]本技术涉及一种交换机领域的电源电路，尤其涉及一种基于反激电源芯片的升压电路。

技术介绍

[0002]在现有的的电压解决方案中，Flayback电路芯片与Boost升压电路一般分别应用与以下2种使用场景：
[0003]1：Flayback电路芯片：一般应用于隔离式的降压电路中，可以实现输入输出相互隔离，安全性较好。其中一种应用如图1所示。
[0004]Boost电路芯片：一般应用于需要将电压进行抬升的使用场景中，可以将输入的低电压转化成高电压。
[0005]上述方式的缺陷：
[0006]1、Flayback电路芯片：采用隔离变压器，占用PCB面积大，成本高；
[0007]2、Boost电路芯片：专用芯片，生产厂家一般多为传统强势的电源芯片厂家，交付相对较难，成本高。

技术实现思路

[0008]为解决现有技术中的问题，本技术提供一种基于反激电源芯片的升压电路。
[0009]本技术包括反激电源芯片分别与所述反激电源芯片相连的降压模块、升压模块和反馈模块，其中，所述降压模块用于对反激电源芯片的电源输入端降压，所述升压模块设置在反激电源芯片的电源输出端，用于输出升压后的电源，所述反馈模块用于反馈升压模块输出端的电压变化给所述反激电源芯片。
[0010]本技术作进一步改进，还包括控制端与反激电源芯片相连的控制模块，所述控制模块用于控制所述升压模块的通断。
[0011]本技术作进一步改进，所述控制模块包括开关管Q2，所述开关管的栅极与反激电源芯片的控制引脚6相连，源极接地，漏极接升压模块输出端。
[0012]本技术作进一步改进，所述降压模块包括稳压二极管D11、电阻R68、R69、三极管Q1，其中，所述稳压二极管D11的负极通过电阻R68与外部输入电源相连，所述三极管Q1的基极接稳压二极管D11和电阻R68之间，三极管Q1的发射极与所述反激电源芯片的电源引脚5相连，所述三极管Q1的集电极与电阻R69的一端相连，所述电阻R69的另一端分别与外部电压输出端和升压模块输入端相连。
[0013]本技术作进一步改进，所述降压模块还包括与稳压二极管D11串联的稳压二极管D25，所述稳压二极管D25设置在电阻R68与外部输入电源端之间。
[0014]本技术作进一步改进，所述升压模块包括电感L3及与电感L3并联的电阻R93。
[0015]本技术作进一步改进，所述升压模块还包括隔离单元和二级升压单元，所述隔离单元设置在所述并联的电感L3及电阻R93的电源输出端，所述隔离单元的输出端与二
级升压单元输入端相连。
[0016]本技术作进一步改进，所述隔离单元包括二极管D10、电阻R49、电容C186和极性电容C109，其中，所述二极管D10与串联后的电阻R49、电容C186并联，所述二极管D10的正极接电感L3的电源输出端，所述极性电容C109的一段接二极管D10的负极，另一端接地，所述二级升压单元包括并联的电感L5和电阻R110，还包括与电感L5电源输入端相连的接地电容C110。
[0017]本技术作进一步改进，所述反馈模块包括光耦U13和稳压管U14，其中，所述稳压管U14与电源输出端相连，将电源输出端的电压转换成电流，输出给光耦U13的原边，所述光耦的副边与所述反激电源芯片的反馈引脚2相连，所述光耦U13对接收到的电流整形，输出给所述反激电源芯片。
[0018]本技术作进一步改进，还包括稳压二极管D24，所述稳压二极管D24的正极与光耦U13的原边电源引脚相连，所述稳压二极管D24的负极接电源输出端。
[0019]与现有技术相比，本技术的有益效果是：提供一种升压电路，将输入低电压转化为输出高电压，同时将Flayback(反激)电路中的隔离式的大体积变压器修改成小尺寸电感，减少PCB占有尺寸，有效降低物料成本，相比专业的高压Boost升压芯片，成本降低50％以上。
附图说明
[0020]图1为本技术现有技术Flayback电路一实施例结构示意图；
[0021]图2为本技术电路框图；
[0022]图3为本技术一实施例电路原理图。
具体实施方式
[0023]下面结合附图和实施例对本技术做进一步详细说明。
[0024]如图2所示，本技术包括反激电源芯片分别与所述反激电源芯片相连的降压模块、升压模块和反馈模块，其中，所述降压模块用于对反激电源芯片的电源输入端降压，所述升压模块设置在反激电源芯片的电源输出端，输出升压后的电源，所述反馈模块用于反馈升压模块输出端的电压变化给所述反激电源芯片。还包括控制端与反激电源芯片相连的控制模块，所述控制模块用于控制所述升压模块的通断。
[0025]如图3所示，由于反激Flayback电源芯片的输入电压范围一般不会太高，需要对VDD引脚的输入电压进行降压处理，以满足VDD的输入条件。本例的降压模块包括稳压二极管D11、电阻R68、R69、三极管Q1，其中，所述稳压二极管D11的负极通过电阻R68与外部输入电源相连，所述三极管Q1的基极接稳压二极管D11和电阻R68之间，三极管Q1的发射极与所述反激电源芯片的电源引脚5相连，所述三极管Q1的集电极与电阻R69的一端相连，所述电阻R69的另一端分别与外部电压输出端和升压模块输入端相连。
[0026]本例采用稳压二极管D11控制三极管Q1的基级电压，确保基级电压不超过18V。
[0027]优选的，所述降压模块还包括与稳压二极管D11串联的稳压二极管D25，所述稳压二极管D25设置在电阻R68与外部输入电源端之间。本例稳压二极管D25与D11采用相同规格的稳压二极管，进行串联连接，如此，只有输入电压超过两倍二极管的电压才会有电压通过
R68，才会启动三极管Q1，电路更加安全可靠。
[0028]本例三极管Q1工作在放大区，发射级的电压接近于稳压二极管D11的电压，发射极和集电极之间的电压Vce＝48V
‑
18V＝20V，其主要功能用于消耗48V与U12电源引脚之间的电压。
[0029]本例的电源输出部分的升压模块在反激Flayback电路的基础上进行修改，采用普通的2脚电感替代隔离式功率变压器，随着开关的导通、截至完成功率存储、释放过程，达到将电压抬升的目的。
[0030]控制模块所述控制模块包括开关管Q2，所述开关管的栅极与反激电源芯片的控制引脚6相连，源极接地，漏极接升压模块输出端。由反激Flayback电源芯片的GATE引脚输出PWM控制波形，用于打开与关闭MOS开关管Q2，实现通过电感L3中的电流的导通与截止的变化。
[0031]本例的反馈模块主要由稳压管U14与光耦U13组成。稳压管U14主要作用是将后端变化的电压转化成变化的电流，比如：输出电压过高，则通过光耦U13的电流增大，输出电压低，则通过光耦U1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于反激电源芯片的升压电路，其特征在于：包括反激电源芯片、分别与所述反激电源芯片相连的降压模块、升压模块和反馈模块，其中，所述降压模块用于对反激电源芯片的电源输入端降压，所述升压模块设置在反激电源芯片的电源输出端，用于输出升压后的电源，所述反馈模块用于反馈升压模块输出端的电压变化给所述反激电源芯片。2.根据权利要求1所述的基于反激电源芯片的升压电路，其特征在于：还包括控制端与反激电源芯片相连的控制模块，所述控制模块用于控制所述升压模块的通断。3.根据权利要求2所述的基于反激电源芯片的升压电路，其特征在于：所述控制模块包括开关管Q2，所述开关管Q2的栅极与反激电源芯片的控制引脚6相连，源极接地，漏极接升压模块输出端。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的基于反激电源芯片的升压电路，其特征在于：所述降压模块包括稳压二极管D11、电阻R68、R69、三极管Q1，其中，所述稳压二极管D11的负极通过电阻R68与外部输入电源相连，所述三极管Q1的基极接稳压二极管D11和电阻R68之间，三极管Q1的发射极与所述反激电源芯片的电源引脚5相连，所述三极管Q1的集电极与电阻R69的一端相连，所述电阻R69的另一端分别与外部电压输出端和升压模块输入端相连。5.根据权利要求4所述的基于反激电源芯片的升压电路，其特征在于：所述降压模块还包括与稳压二极管D11串联的稳压二极管D25，所述稳压二极管D25设置在电阻R68与外部输入电源端之间。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志光，
申请(专利权)人：深圳市吉祥腾达科技有限公司，
类型：新型
国别省市：