半导体结构的制作方法及半导体结构技术

本发明专利技术提出一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有第一保护结构；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层和所述衬底中形成第二保护结构；其中，所述第二保护结构与所述第一保护结构在垂直所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠，所述第二保护结构与所述第一保护结构在沿所述衬底表面方向上的投影存在间距。本发明专利技术提出的半导体结构和制作方法，通过分段的保护结构，可以降低芯片运行时在保护结构中产生的电磁感应进而减弱对芯片正常运行的干扰，提高芯片性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法及半导体结构
本专利技术涉及半导体制备工艺
，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。
技术介绍
在芯片的制作过程中，需要在芯片的外周设置保护结构，防止晶圆在切割时对芯片内部造成破坏。然而，现有的保护结构容易在芯片运行时产生电磁感应，进而影响芯片的正常运行。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够提高芯片性能的半导体结构的制作方法和半导体结构。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：根据本专利技术的一个方面，提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底中形成有第一保护结构；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层和所述衬底中形成第二保护结构；其中，所述第二保护结构与所述第一保护结构在垂直所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠，所述第二保护结构与所述第一保护结构在沿所述衬底表面方向上的投影存在间距。可选的，还包括：在所述第一保护结构和所述第二保护结构之间形成第一气隙。可选的，所述衬底包括芯片区域和外围区域，所述第一保护结构和所述第二保护结构位于所述外围区域；所述间距小于5μm。可选的，还包括：在所述第一介质层上形成第二介质层；在所述第二介质层中形成第三保护结构，其中，所述第三保护结构与所述第二保护结构在垂直所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠，所述第三保护结构与所述第一保护结构在沿所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠。可选的，还包括：在所述第二介质层上形成第三介质层；在所述第三介质层和所述第二介质层中形成第四保护结构，其中，所述第四保护结构与所述第三保护结构在垂直所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠，所述第四保护结构与所述第二保护结构在沿所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠。可选的，还包括：在所述第四保护结构和所述第三保护结构之间形成第二气隙。可选的，还包括：在所述芯片区域的所述衬底、所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层中分别依次形成电连接的第一连接构件、第二连接构件、第三连接构件和第四连接构件；其中，所述第三连接构件的宽度小于所述第二连接构件和所述第四连接构件的宽度，所述第二保护结构和所述第四保护结构形成在远离所述芯片区域的一侧，所述第三保护结构形成在靠近所述芯片区域的一侧。可选的，所述在所述第一介质层和所述衬底中形成第二保护结构和所述在所述第三介质层和所述第二介质层中形成第四保护结构的方法，包括：在所述第三介质层、所述第二介质层和所述第一介质层上形成第三保护开口，其中，所述第三保护开口贯穿所述第三介质、所述第二介质和所述第一介质层，且所述第三保护开口的底部位于所述衬底内；在所述第三保护开口中填充第一导电材料形成所述第二保护结构；在所述第二保护结构上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第四保护结构。根据本专利技术的一个方面，提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底中形成有第一保护结构；位于所述衬底上的第一介质层，所述第一介质层中形成有第二保护结构；其中，所述第二保护结构与所述第一保护结构在垂直所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠，所述第二保护结构与所述第一保护结构在沿所述衬底表面方向上的投影存在间距。可选的，还包括：第一气隙，所述第一气隙位于所述第一保护结构和所述第二保护结构之间。可选的，还包括：所述衬底包括芯片区域和外围区域，所述第一保护结构和所述第二保护结构位于所述外围区域；所述间距小于5μm。可选的，还包括：位于所述第一介质层上的第二介质层；第三保护结构，位于所述第二介质层中；其中，所述第三保护结构与所述第二保护结构在垂直所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠，所述第三保护结构与所述第一保护结构在沿所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠。可选的，还包括：位于所述第二介质层上的第三介质层；第四保护结构，位于所述第三介质层和所述第二介质层中；其中，所述第四保护结构与所述第三保护结构在垂直所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠，所述第四保护结构与所述第二保护结构在沿所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠。可选的，还包括：绝缘层，所述绝缘层位于所述第二保护结构和所述第四保护结构之间。可选的，还包括：第二气隙，位于所述第四保护结构和所述第三保护结构之间。可选的，还包括：分别位于所述芯片区域的所述衬底、所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层中且电连接的第一连接构件、第二连接构件、第三连接构件和第四连接构件；其中，所述第三连接构件的宽度小于所述第二连接构件和所述第四连接构件的宽度，所述第二保护结构和所述第四保护结构形成在远离所述芯片区域的一侧，所述第三保护结构形成在靠近所述芯片区域的一侧。本专利技术提出的半导体结构和制作方法，通过分段的保护结构，可以降低芯片运行时在保护结构中产生的电磁感应进而减弱对芯片正常运行的干扰，提高芯片性能。附图说明通过结合附图考虑以下对本专利技术的实施方式的详细说明，本专利技术的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本专利技术的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：图1至图3分别是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法的几个步骤下的半导体结构的示意图；图4至图8分别是根据另一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法的几个步骤下的半导体结构的示意图；图9至图11分别是根据另一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法的几个步骤下的半导体结构的示意图。具体实施方式体现本专利技术特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本专利技术能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本专利技术的范围，且其中的说明及附图在本质上是作说明之用，而非用以限制本专利技术。在对本专利技术的不同示例性实施方式的下面描述中，参照附图进行，所述附图形成本专利技术的一部分，并且其中以示例方式显示了可实现本专利技术的多个方面的不同示例性结构、系统和步骤。应理解的是，可以使用部件、结构、示例性装置、系统和步骤的其他特定方案，并且可在不偏离本专利技术范围的情况下进行结构和功能性修改。而且，虽然本说明书中可使用术语“之上”、“之间”、“之内”等来描述本专利技术的不同示例性特征和元件，但是这些术语用于本文中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本专利技术的范围内。在示例性实施方式中，本专利技术提出的制作方法是以应用于半导体结构的保护环为例进行说明的。本领域技术人员容易理解的是，为将本专利技术的相关设计应用于其他类型的半导体结构或其他工艺中，而对下述的具体实施方式做出多种改型、添加、替代、删除或其他变化，这些变化仍在本专利技术提出的半导体结构的制作方法的原理的范围内。如图1至图3所示，在本实施方式中，本专利技术提出的半导体结构的制作方法至少包括以下步骤：提供衬底100，衬底100中形成有第一保护结构102；在衬底100上形成第一介质层200；在第一介质层200和衬底100中形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底中形成有第一保护结构；/n在所述衬底上形成第一介质层；/n在所述第一介质层和所述衬底中形成第二保护结构；/n其中，所述第二保护结构与所述第一保护结构在垂直所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠，所述第二保护结构与所述第一保护结构在沿所述衬底表面方向上的投影存在间距。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底中形成有第一保护结构；
在所述衬底上形成第一介质层；
在所述第一介质层和所述衬底中形成第二保护结构；
其中，所述第二保护结构与所述第一保护结构在垂直所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠，所述第二保护结构与所述第一保护结构在沿所述衬底表面方向上的投影存在间距。


2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述第一保护结构和所述第二保护结构之间形成第一气隙。


3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，
所述衬底包括芯片区域和外围区域，所述第一保护结构和所述第二保护结构位于所述外围区域；
所述间距小于5μm。


4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述第一介质层上形成第二介质层；
在所述第二介质层中形成第三保护结构，其中，所述第三保护结构与所述第二保护结构在垂直所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠，所述第三保护结构与所述第一保护结构在沿所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠。


5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述第二介质层上形成第三介质层；
在所述第三介质层和所述第二介质层中形成第四保护结构，其中，所述第四保护结构与所述第三保护结构在垂直所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠，所述第四保护结构与所述第二保护结构在沿所述衬底表面方向上的投影至少部分重叠。


6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述第四保护结构和所述第三保护结构之间形成第二气隙。


7.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述芯片区域的所述衬底、所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层中分别依次形成电连接的第一连接构件、第二连接构件、第三连接构件和第四连接构件；
其中，所述第三连接构件的宽度小于所述第二连接构件和所述第四连接构件的宽度，所述第二保护结构和所述第四保护结构形成在远离所述芯片区域的一侧，所述第三保护结构形成在靠近所述芯片区域的一侧。


8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，所述在所述第一介质层和所述衬底中形成第二保护结构和所述在所述第三介质层和所述第二介质层中形成第四保护结构的方法，包括：
在所述第三介质层、所述第二介质层和所述第一介质层上形成第三保护开口，其中，所述第三保护开口贯穿所述第三介质、所述第二介质和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蒙蒙，黄信斌，张强，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34