芯片检测方法及芯片检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及集成电路失效分析技术领域，尤其涉及一种芯片检测方法及芯片检测装置。所述芯片检测方法包括如下步骤：提供待测试的芯片，所述芯片中具有若干一次性可编程存储器；传输测试信号至所述芯片，使得所述芯片中的所述一次性可编程存储器保持在锁存状态；探测所述芯片是否发出微光信号，若是，则确认所述一次性可编程存储器存在漏电缺陷。本发明专利技术不仅能检测出已出现误烧穿的一次性可编程存储器，而且还能够检测出漏电情况相对较为轻微的一次性可编程存储器，避免了存在潜在烧穿风险的不良产品流入后续生产线。

【技术实现步骤摘要】
芯片检测方法及芯片检测装置
本专利技术涉及集成电路失效分析
，尤其涉及一种芯片检测方法及芯片检测装置。
技术介绍
动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体结构，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启与关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。DRAM等芯片中通常包括若干个一次性可编程存储器(e-fuse)，所述一次性可编程存储器用于信息的存储。若一次性可编程存储器出现漏电，会导致芯片出现各种异常情况，例如进入4G模式或者双存储单元(twincell)模式，从而影响芯片的性能和良率，因此，对芯片中一次性可编程存储器的漏电情况进行检测显得至关重要。当前对芯片中一次性可编程存储器的漏电情况进行检测的方法是通过测试机台向所述芯片中的所有一次性可编程存储器传输测试指令，之后读取所有一次性可编程存储器的状态。但是，这种方法检测的准确度较低，这是因为：该方法虽然能够检测出漏电情况较为严重(例如出现误烧穿)的一次性可编程存储器，但是容易遗漏漏电情况较轻微的一次性可编程存储器，从而导致存在潜在烧穿风险的不良产品流入后续生产线，造成资源的浪费。因此，如何提高芯片检测的准确性，避免存在潜在风险的不良产品流入后续生产线，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种芯片检测方法及芯片检测装置，用于解决现有技术对芯片检测的准确度较低的问题，以避免存在潜在风险的不良产品流入后续生产线，提高最终芯片产品的良率。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种芯片检测方法，包括如下步骤：提供待测试的芯片，所述芯片中具有若干一次性可编程存储器；传输测试信号至所述芯片，使得所述芯片中的所述一次性可编程存储器保持在锁存状态；探测所述芯片是否发出微光信号，若是，则确认所述一次性可编程存储器存在漏电缺陷。可选的，使得所述芯片中的所述一次性可编程存储器保持在锁存状态的具体步骤包括：重复执行如下循环步骤，使得所述一次性可编程存储器保持压差漏电状态，所述循环步骤包括：传输测试信号至所述芯片，驱动所述芯片在预设的测试模式下进行测试；判断所述测试是否执行完成，若是，则进行下一次循环步骤。可选的，探测所述芯片是否发出微光信号的具体步骤包括：自所述芯片的背面探测所述芯片是否发出微光信号。可选的，传输测试信号至所述芯片之前，还包括如下步骤：将所述芯片正面朝上放置在透明载物台上，并使得一微光探测镜头朝向所述透明载物台的背面放置。可选的，所述一次性可编程存储器包括有源区、位于所述有源区外部的导电区、以及位于所述有源区和所述导电区之间的介质层区，所述介质层区一端连接所述有源区、另一端连接所述导电区；所述微光探测镜头能够探测波长为700nm～1400nm范围的微光。可选的，所述微光探测镜头为InGaAs镜头。可选的，所述芯片中具有呈阵列排布的多个一次性可编程存储器；传输测试信号至所述芯片的具体步骤包括：传输测试信号至所述芯片，使得所述芯片中的所有所述一次性可编程存储器均保持在锁存状态。可选的，探测所述芯片是否发出微光信号的具体步骤包括：探测所述芯片是否发出微光信号，若是，则获取所述芯片中出现微光信号的所述一次性可编程存储器的位置。为了解决上述问题，本专利技术还提供了一种芯片检测装置，包括：测试模块，用于传输测试信号至待测试的芯片，使得所述芯片中的所述一次性可编程存储器保持在锁存状态；探测模块，用于探测所述芯片发出的微光信号；判断模块，用于判断所述探测模块是否探测到所述微光信号，若是，则确认所述一次性可编程存储器存在漏电缺陷。可选的，所述测试模块重复执行如下循环步骤，使得所述一次性可编程存储器保持压差漏电状态，所述循环步骤包括：传输测试信号至所述芯片，驱动所述芯片在预设的测试模式下进行测试；判断所述测试是否执行完成，若是，则进行下一次循环步骤。可选的，所述探测模块用于自所述芯片的背面探测所述芯片发出的微光信号。可选的，所述探测模块包括透明载物台和微光探测镜头，所述芯片正面朝上放置于所述透明载物台上，所述微光探测镜头朝向所述透明载物台的背面放置。可选的，所述一次性可编程存储器包括有源区、位于所述有源区外部的导电区、以及位于所述有源区和所述导电区之间的介质层区，所述介质层区一端连接所述有源区、另一端连接所述导电区；所述微光探测镜头能够探测波长为700nm～1400nm范围的微光。可选的，所述微光探测镜头为InGaAs镜头。可选的，所述芯片中具有呈阵列排布的多个一次性可编程存储器；所述测试模块用于传输测试信号至所述芯片，使得所述芯片中的所有所述一次性可编程存储器均保持在锁存状态。可选的，所述判断模块用于在确认所述探测模块探测到所述芯片发出的微光信号之后，获取所述芯片中出现微光信号的所述一次性可编程存储器的位置。本专利技术提供的芯片检测方法及芯片检测装置，通过在芯片中的一次性可编程存储器处于锁存状态时探测芯片发出微光信号的情况，来判断芯片中的一次性可编程存储器是否存在漏电情况，不仅能检测出已出现误烧穿的一次性可编程存储器，而且还能够检测出漏电情况相对较为轻微的一次性可编程存储器，避免了存在潜在烧穿风险的不良产品流入后续生产线，节约了生产资源，并且有助于提高最终芯片产品的良率。附图说明附图1是本专利技术具体实施方式中芯片检测方法的流程图；附图2是本专利技术具体实施方式中芯片的示意图；附图3是本专利技术具体实施方式在对芯片进行检测时的装置示意图；附图4是本专利技术具体实施方式探测到的微光信号示意图；附图5是本专利技术具体实施方式中芯片检测装置的结构框图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术提供的芯片检测方法及芯片检测装置的具体实施方式做详细说明。本具体实施方式提供了一种芯片检测方法，附图1是本专利技术具体实施方式中芯片检测方法的流程图，附图2是本专利技术具体实施方式中芯片的示意图，附图3是本专利技术具体实施方式在对芯片进行检测时的装置示意图，附图4是本专利技术具体实施方式探测到的微光信号示意图。如图1-图4所示，本具体实施方式提供的芯片检测方法，包括如下步骤：步骤S11，提供待测试的芯片20，所述芯片20中具有若干一次性可编程存储器21，如图2所示。具体来说，所述芯片20可以是DRAM芯片，也可以是其他具有一次性可编程存储器21的芯片。所述芯片20中可以具有多个所述一次性可编程存储器21，且多个所述一次性可编程存储器21在所述芯片20中呈阵列排布，如图2所示。所述一次性可编程存储器21用于信息的存储。所述的一次性可编程存储器21可以为电熔丝(El本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片检测方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供待测试的芯片，所述芯片中具有若干一次性可编程存储器；/n传输测试信号至所述芯片，使得所述芯片中的所述一次性可编程存储器保持在锁存状态；/n探测所述芯片是否发出微光信号，若是，则确认所述一次性可编程存储器存在漏电缺陷。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供待测试的芯片，所述芯片中具有若干一次性可编程存储器；
传输测试信号至所述芯片，使得所述芯片中的所述一次性可编程存储器保持在锁存状态；
探测所述芯片是否发出微光信号，若是，则确认所述一次性可编程存储器存在漏电缺陷。


2.根据权利要求1所述的芯片检测方法，其特征在于，使得所述芯片中的所述一次性可编程存储器保持在锁存状态的具体步骤包括：
重复执行如下循环步骤，使得所述一次性可编程存储器保持压差漏电状态，所述循环步骤包括：
传输测试信号至所述芯片，驱动所述芯片在预设的测试模式下进行测试；判断所述测试是否执行完成，若是，则进行下一次循环步骤。


3.根据权利要求1所述的芯片检测方法，其特征在于，探测所述芯片是否发出微光信号的具体步骤包括：
自所述芯片的背面探测所述芯片是否发出微光信号。


4.根据权利要求3所述的芯片检测方法，其特征在于，传输测试信号至所述芯片之前，还包括如下步骤：
将所述芯片正面朝上放置在透明载物台上，并使得一微光探测镜头朝向所述透明载物台的背面放置。


5.根据权利要求4所述的芯片检测方法，其特征在于，所述一次性可编程存储器包括有源区、位于所述有源区外部的导电区、以及位于所述有源区和所述导电区之间的介质层区，所述介质层区一端连接所述有源区、另一端连接所述导电区；
所述微光探测镜头能够探测波长为700nm～1400nm范围的微光。


6.根据权利要求5所述的芯片检测方法，其特征在于，所述微光探测镜头为InGaAs镜头。


7.根据权利要求1所述的芯片检测方法，其特征在于，所述芯片中具有呈阵列排布的多个一次性可编程存储器；传输测试信号至所述芯片的具体步骤包括：
传输测试信号至所述芯片，使得所述芯片中的所有所述一次性可编程存储器均保持在锁存状态。


8.根据权利要求7所述的芯片检测方法，其特征在于，探测所述芯片是否发出微光信号的具体步骤包括：
探测所述芯片是否发出微光信号，若是，则获取所述芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：周舰波，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34